Onsemi NTMT190N65S3HF：高性能N沟道功率MOSFET的卓越之选

在电子工程师的日常设计工作中，功率MOSFET是不可或缺的关键元件。今天，我们就来深入探讨Onsemi推出的NTMT190N65S3HF这款N沟道功率MOSFET，看看它有哪些独特的性能和应用优势。

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产品概述

NTMT190N65S3HF属于Onsemi的SUPERFET III系列，这是全新的高压超结（SJ）MOSFET家族。该系列采用了电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和较低的栅极电荷，能够有效降低传导损耗，提供出色的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。这使得它非常适合用于各种需要小型化和高效率的电源系统。

产品特性

卓越的电气性能

• 耐压与电流能力：其漏源电压（VDSS）可达650V，在25°C时连续漏极电流（ID）为20A，100°C时为12.7A，脉冲漏极电流（IDM）更是高达50A，能满足多种高功率应用的需求。
• 低导通电阻：典型的静态漏源导通电阻（RDS(on)）为159mΩ，最大为190mΩ，可有效降低功率损耗，提高系统效率。
• 低栅极电荷：总栅极电荷（Qg(tot)）典型值为34nC，有助于减少开关损耗，提高开关速度。
• 低输出电容：有效输出电容（Coss(eff.)）典型值为316pF，能降低开关过程中的能量损耗。

优化的体二极管性能

SUPERFET III FRFET MOSFET优化了体二极管的反向恢复性能，可减少额外元件的使用，提高系统可靠性。

出色的封装设计

采用TDFN4封装，这是一种超薄表面贴装封装，高度仅1mm，尺寸为8x8mm，具有低外形和小尺寸的特点。同时，由于较低的寄生源电感以及分离的电源和驱动源，该封装的MOSFET具有出色的开关性能，并且其湿度敏感度等级为1级（MSL 1）。

其他特性

• 100%雪崩测试，保证了产品的可靠性。
• 无铅且符合RoHS标准，环保合规。

绝对最大额定值

参数	数值	单位
漏源电压（VDSS）	650	V
栅源电压（VGSS）（DC/AC）	±30	V
连续漏极电流（ID）（25°C/100°C）	20/12.7	A
脉冲漏极电流（IDM）	50	A
单脉冲雪崩能量（EAS）	220	mJ
雪崩电流（IAS）	3.7	A
重复雪崩能量（EAR）	1.62	mJ
MOSFET dv/dt	100	V/ns
峰值二极管恢复dv/dt	50	-
功率耗散（PD）（25°C）	162	W
25°C以上降额	1.3	W/°C
工作和存储温度范围（TJ, TSTG）	-55至+150	°C
焊接时最大引脚温度（TL）	300	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

参数	数值	单位
结到外壳热阻（ReJC）	0.77	°C/W
结到环境热阻（RBJA）	45	°C/W

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（BVDSS）：25°C时为650V，150°C时为700V。
• 零栅压漏极电流（IDSS）：在不同条件下有相应的数值。
• 击穿电压温度系数（BVDSS /TJ）：0.65V/°C。
• 栅源泄漏电流（IGSS）：±100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 - 5.0V。
• 静态漏源导通电阻（RDS(on)）：典型值159mΩ，最大值190mΩ。
• 正向跨导（gFS）：11S。

动态特性

• 输入电容（Ciss）：1610pF。
• 输出电容（Coss）：30pF。
• 有效输出电容（Coss(eff.)）：316pF。
• 能量相关输出电容（Coss(er.)）：59pF。
• 总栅极电荷（Qg(tot)）：34nC。
• 栅源栅极电荷（Qgs）：11nC。
• 栅漏“米勒”电荷（Qgd）：13nC。
• 等效串联电阻（ESR）：4.1Ω。

开关特性

• 开启延迟时间（td(on)）：22ns。
• 上升时间（tr）：13ns。
• 关断延迟时间（td(off)）：53ns。
• 下降时间（tf）：3.3ns。

源漏二极管特性

最大脉冲源漏二极管正向电流在特定条件下有相应的数值。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化、Eoss随漏极源电压的变化、瞬态热响应曲线等。这些曲线有助于工程师更深入地了解器件在不同工作条件下的性能。

应用领域

• 电信/服务器电源：满足高功率、高效率的需求。
• 工业电源：适应工业环境的稳定性和可靠性要求。
• UPS/太阳能：在不间断电源和太阳能系统中发挥重要作用。
• 照明/充电器/适配器：为小型电源设备提供高效解决方案。

总结

Onsemi的NTMT190N65S3HF功率MOSFET凭借其出色的性能和优化的设计，在众多电源应用中具有显著的优势。电子工程师在进行相关设计时，可以充分考虑其特性和优势，以实现系统的小型化、高效率和高可靠性。你在实际设计中有没有使用过类似的MOSFET呢？遇到过哪些挑战？欢迎在评论区分享你的经验和见解。