onsemi ECH8697R双N沟道功率MOSFET的特性与应用

在电子设计领域，功率MOSFET作为关键元件，广泛应用于各类电源管理和开关电路中。今天，我们来深入了解onsemi公司的ECH8697R双N沟道功率MOSFET，它在1 - 2节锂离子电池应用中表现出色。

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产品概述

ECH8697R是一款双N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻的特性，适用于便携式设备的电源开关等应用，尤其适合1 - 2节锂离子电池的相关应用。其引脚定义为：1为Source1，2为Gate1，3为Source2，4为Gate2，5 - 8均为Drain。

产品特性

低导通电阻

该MOSFET能够在不同的驱动电压下保持较低的导通电阻。例如，在(V{GS}=4.5V)、(I{D}=5A)的条件下，导通电阻的典型值为(9.3mΩ)，最大值为(11.6mΩ)；当(V{GS}=4.0V)、(I{D}=5A)时，典型值为(9.7mΩ)，最大值为(12.6mΩ)。低导通电阻可以有效降低功率损耗，提高电路效率。

共漏极类型

这种类型的设计使得电路布局更加灵活，方便工程师进行电路设计。

ESD二极管保护栅极

能有效防止静电放电对栅极造成损坏，增强了产品的可靠性和稳定性。

内置栅极保护电阻

进一步保护栅极，提高了器件的抗干扰能力。

环保特性

该器件符合无铅和RoHS标准，符合环保要求。

绝对最大额定值

在使用ECH8697R时，需要注意其绝对最大额定值，以避免对器件造成损坏。以下是部分重要参数：	参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	24	V
栅源电压	(V_{GSS})	+ 12.5	V
直流漏极电流	(I_{D})	10	A
脉冲漏极电流（脉宽≤10μs，占空比≤1%）	(I_{DP})	60	A
功率耗散（陶瓷基板表面安装，(1000mm^{2}×0.8mm)，单器件）	(P_{D})	1.5	W
总耗散（陶瓷基板表面安装，(1000mm^{2}×0.8mm)）	(P_{T})	1.6	W
结温	(T_{j})	150	°C
储存温度	(T_{stg})	- 55 至 + 150	°C

如果超过这些额定值，可能会导致器件损坏，影响其功能和可靠性。

电气特性

击穿电压

漏源击穿电压(V{(BR)DSS})在(I{D}=1mA)、(V_{GS}=0V)的条件下为(24V)。

漏极电流和栅极泄漏电流

零栅压漏极电流(I{DSS})在(V{DS}=20V)、(V{GS}=0V)时，最大值为(1μA)；栅源泄漏电流(I{GSS})在(V{GS}= + 8V)、(V{DS}=0V)时，最大值为(pm1μA)。

栅极阈值电压

栅极阈值电压(V{GS(th)})在(V{DS}=10V)、(I_{D}=1mA)的条件下，最小值为(0.5V)，最大值为(1.3V)。

跨导

正向跨导(g{fs})在(V{DS}=10V)、(I_{D}=5A)时，典型值为(5.0S)。

开关特性

开关时间包括导通延迟时间(t{d(on)})、上升时间(t{r})、关断延迟时间(t{d(off)})和下降时间(t{f})。不同测试电路下的开关时间有所不同，例如在测试电路1中，导通延迟时间典型值为(160ns)，上升时间典型值为(230ns)；在测试电路2中，关断延迟时间典型值分别为(19.7μs)和(980μs)。

栅极电荷

总栅极电荷(Q{g})典型值为(6nC)，栅源电荷(Q{gs})在(V{DS}=10V)、(V{GS}=4.5V)、(I{D}=10A)时，典型值为(1.1nC)，栅漏“米勒”电荷(Q{gd})典型值为(0.9nC)。

正向二极管电压

正向二极管电压(V{SD})在(I{S}=10A)、(V_{GS}=0V)时，典型值为(0.8V)，最大值为(1.2V)。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，如(I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{A})等曲线。这些曲线直观地展示了器件在不同条件下的性能表现，工程师可以根据这些曲线来选择合适的工作点和设计参数。例如，通过(R{DS(on)}-T{A})曲线可以了解导通电阻随环境温度的变化情况，从而在不同的环境温度下合理设计电路。

应用场景

ECH8697R主要应用于1 - 2节锂离子电池的充电和放电开关。在锂离子电池管理系统中，其低导通电阻可以减少电池充放电过程中的能量损耗，提高电池的使用效率和寿命。同时，其良好的开关特性能够快速、准确地控制电池的充放电过程，保证电池的安全和稳定。

订购信息

ECH8697R的产品型号为ECH8697R - TL - W，采用SOT - 28FL / ECH8封装，每盘3000个，以卷带包装形式供货。关于卷带规格的详细信息，可参考BRD8011 / D手册。

使用注意事项

由于ECH8697R是MOSFET产品，应避免在高电荷物体附近使用该器件。如果需要用于指定应用以外的场景，请联系销售部门。

总之，onsemi的ECH8697R双N沟道功率MOSFET以其低导通电阻、良好的开关特性和可靠的保护功能，为1 - 2节锂离子电池应用提供了优秀的解决方案。电子工程师在设计相关电路时，可以充分利用其特性，提高电路的性能和可靠性。大家在实际应用中是否遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享。