描述
RZ/G3S Group:一款功能强大的MPU芯片全面解析
在如今的电子科技领域,微处理器(MPU)一直都是各类电子设备的核心部件。今天,我们就来深入探讨Renesas推出的RZ/G3S Group系列MPU芯片。这款芯片在设计上融合了多种先进技术,具备广泛的应用前景,下面让我们一起详细了解它的特点和性能。
文件下载:rzg3s.pdf
1. 芯片总体特性概述
RZ/G3S Group 拥有丰富的功能特性,为电子设计带来了更多的可能性。它集成了高性能CPU,具备多种内存接口和通信接口,还在安全、音频、模拟信号处理等方面有出色的表现。以下是其一些主要特性:
CPU核心配置强大
主CPU :采用单核心的Arm® Cortex® - A55,最高运行频率可达1.1 GHz。这一高性能的CPU能够满足复杂的计算任务需求,例如运行大型操作系统和复杂的应用程序。同时,它还配备了L1 I - cache(32 Kbytes,带奇偶校验)、D - cache(32 Kbytes,带ECC纠错)以及256 Kbytes的L3 cache(带ECC纠错),支持NEON™和FPU浮点运算单元,还具备加密扩展功能,采用了Arm® v8.2 - A架构。
辅助CPU :包含两个Arm® Cortex® - M33核心,每个核心的最高运行频率为250 MHz。这两个核心中的一个支持浮点扩展功能,采用了Arm® v8 - M架构,并且具备安全扩展功能。在启动方面,用户可以从Cortex - A55和Cortex - M33中选择作为启动CPU,启动设备也有多种选择,如eSD、eMMC、串行闪存、SCIF下载等。
内存接口丰富多样
内部共享SRAM :拥有1 Mbyte的带ECC纠错功能的内部共享SRAM,为数据的高速缓存和处理提供了可靠的支持。
外部DDR内存接口 :支持DDR4 - 1600或LPDDR4 - 1600,总线宽度为16位。内存控制器还支持在线ECC纠错功能,并能产生错误检测中断,最大支持4 Gbytes(DDR4)或1 Gbytes(LPDDR4)的内存容量。同时支持自动刷新和自刷新功能,还具备On - The - Fly Decryption / Encryption功能,增强了数据的安全性。
扩展串行外设接口(xSPI) :有1通道,支持最高2个串行闪存的连接,可与2个Quad - SPI闪存或2个Octal - SPI闪存连接。支持的最大时钟频率在不同模式下有所不同,如Single - SPI / Quad - SPI在SDR模式下,1.8 V / 3.3 V时为66 MHz;Octal - SPI / OctaFlash / OctaRAM在DDR模式下,1.8 V时为133 MHz,同样具备On - The - Fly Decryption / Encryption功能。
Octa内存控制器 :支持Macronix Serial Multi I/O(MXSMIO ®)Octa Peripheral Interface(OPI),可连接一个符合OPI规格的OctaFlash设备和一个OctaRAM设备。支持多种设备接口模式,如SPI、SOPI、DOPI等,并且具备On - The - Fly Decryption / Encryption功能。
SD卡和多媒体卡接口 :有3通道SD卡主机接口和1通道多媒体卡接口(与SDHI共享)。支持多种SD和MMC存储卡的访问,包括SD、SDHC、SDXC、e - MMC等,支持多种传输模式,如默认、高速、UHS - I / SDR50、SDR104等,还具备错误检查和卡检测等功能。
通信、存储和网络接口齐全
USB接口 :有2通道USB 2.0接口,其中1通道为仅主机模式,1通道为主机 - 功能模式。支持USB On - The - Go(OTG)功能和电池充电功能,内部还配备了专用的DMA,提高了数据传输效率。
千兆以太网控制器 :具备2通道千兆以太网控制器,支持1000 Mbps、100 Mbps和10 Mbps的数据传输速率,还支持以太网帧过滤功能,接口符合IEEE802.3 PHY RGMII和MII标准。
CANFD接口 :有2通道CANFD接口,符合CAN - FD ISO 11898 - 1(CD2015)标准,仲裁阶段最高速率可达1 Mbps,数据阶段最高速率可达8 Mbps,还配备了消息缓冲功能。
其他接口 :还拥有I2C总线接口(4通道)、I3C总线接口(1通道)、串行通信接口(SCI,2通道)、带FIFO的串行通信接口(SCIF,6通道)、Renesas串行外设接口(RSPI,5通道)等,满足了不同的通信和数据传输需求。
扩展功能定时器多样
通用PWM定时器 :有32位的8通道通用PWM定时器,可进行向上或向下计数(锯齿波),也可进行上下计数(三角波),每个通道可独立选择计数模式。每个通道配备2个输出比较/输入捕获寄存器和2个输入/输出引脚,还具备输出比较缓冲区切换、产生死区时间、同步启动/停止/清除等功能。
多功能定时器脉冲单元(MTU3a) :拥有9个通道(16位×8通道,32位×1通道),最多可处理28路脉冲输入/输出和3路脉冲输入。提供14种计数时钟选择,具备输入捕获功能、39个输出比较和输入捕获寄存器、计数器清除操作、缓冲操作、级联操作等多种功能,并能产生43种中断源。
实时时钟(RTC) :具有1通道实时时钟,支持32 kHz时钟源,可进行日历计数模式或二进制计数模式,具备闹钟中断、周期性中断和进位中断等功能,还拥有时间捕获功能。
音频接口丰富
串行声音接口(SSI) :有4通道双向串行传输接口,支持2个外部时钟源,可实现全双工通信,支持I2S、单声道、TDM等音频格式,具备主从功能,可生成可编程的字时钟和位时钟,支持多通道格式和多种数据格式,传输和接收都支持32级FIFO,还支持LR - clock持续功能。
脉冲密度调制(PDM)接口 :有3通道,能够对1位数字输入数据进行滤波,并将其转换为20位或16位数字数据。支持立体声麦克风采样,具备声音活动检测功能,支持可编程滤波器,内部还具备缓冲区,可在低功耗模式下存储语音数据。
SPDIF接口 :支持IEC 60958标准(仅立体声和消费模式),支持32 kHz、44.1 kHz和48 kHz的采样频率,支持每样本16至24位的音频字大小,采用双相标记编码、双缓冲数据和奇偶校验编码的串行数据,可同时进行发送和接收,接收器能自动检测IEC 61937压缩模式数据。
模拟/数字转换器及传感器功能
A/D转换器(ADC) :有8通道12位A/D转换器,输入范围为0V至1.8 V,转换时间为1.0 μs。支持选择模式/扫描模式和单模式/重复模式,可通过软件触发、异步触发(外部触发)或同步触发(MTU和PWM定时器)启动A/D转换。
热传感器单元(TSU) :具备1通道热传感器单元,可实时监测芯片的温度。
安全性能保障
硬件加密引擎(可选) :可选配Renesas Security IP(RSIP - E01B),支持多种加密算法,如AES(符合NIST FIPS PUB 197标准)、RSA、ECC等,还具备真随机数生成器(TRNG)、哈希值生成(SHA - 1、SHA - 224、SHA - 256)和唯一ID支持等功能。
OTFDE功能 :支持对外部内存(DDR、xSPI、Octa)进行On - The - Fly Decryption / Encryption,提高了数据的安全性。
一次性可编程内存(OTP) :是一种非易失性内存,只能写入一次,可用于安全设置和认证设置,还支持一次性读取功能(128字节)。
电池备份功能 :具备实时时钟、备份寄存器和篡改检测功能,确保在电池供电或出现异常情况时数据的安全性和完整性。
2. 芯片详细规格参数
电源电压
芯片的电源电压有多种规格,不同的模块和接口需要不同的电源电压范围,具体如下:
电源名称
电压范围
VBATT_VDD
1.50 to 1.95 V
VDD、PLL16_AVDD、PLL23_AVDD、PLL4_AVDD、VDD_ISO、PCIE_VDD09
0.905 to 0.99 V
PVDD18、ADC_AVDD18、OTP_AVDD18、JTAG_PVDD、USB_AVDD18、USB_VDD18、PCIE_VDD18、DDR_VAA
1.65 to 1.95 V
XSPI_PVDD
1.65 to 1.95 V / 3.0 to 3.6 V
PVDD33、USB_VDD33
3.0 to 3.6 V
I3C_PVDD
1.1 to 1.3 V / 1.65 to 1.95 V
SDn_PVDD (n = 0, 1)
1.65 to 1.95 V / 3.0 to 3.6 V
PVDD182533_n (n = 0, 1)
1.65 to 1.95 V / 2.3 to 2.7 V / 3.0 to 3.6 V
DDR_VDDQ
1.06 to 1.17 V (LPDDR4) / 1.14 to 1.26 V (DDR4)
温度范围
芯片的工作温度范围为 - 40°C至 + 85°C,结温范围为 - 40°C至 + 125°C。如果需要更宽的温度范围,需要对具体的使用情况进行评估。
封装形式
芯片提供两种封装形式:
361 - pin LFBGA,13 - mm方形,0.5mm间距(无PCle)
359 - pin LFBGA,14 - mm方形,0.5mm间距(有PCle)
3. 电气特性和时序参数
绝对最大额定值
芯片的绝对最大额定值规定了在不同电源电压和温度条件下的极限值,超过这些值可能会对芯片造成损坏,具体如下表所示:
项目
符号
值
单位
电源电压(0.94 V相关)
VDD、PLL16_AVDD、PLL23_AVDD、PLL4_AVDD、VDD_ISO、PCIE_VDD09
- 0.3 to + 1.26
V
电源电压(1.8 V相关)
VBATT_VDD、ADC_AVDD18、OTP_AVDD18、USB_AVDD18、USB_VDD18、PCIE_VDD18、DDR_VAA
- 0.3 to + 2.5
V
电源电压(1.8 V)
PVDD18、JTAG_PVDD
- 0.3 to + 2.45
V
电源电压(3.3 V)
PVDD33、USB_VDD33
- 0.3 to + 4.1
V
电源电压(1.8 V/3.3 V可切换)
XSPI_PVDD、SDn_PVDD (n = 0, 1)
- 0.3 to + 2.45 (1.8 V模式) / - 0.3 to + 4.1 (3.3 V模式)
V
电源电压(1.2 V/1.8 V可切换)
I3C_PVDD
- 0.3 to + 2.45 (1.8 V模式) / - 0.3 to + 1.8 (1.2 V模式)
V
电源电压(1.8 V/2.5 V/3.3 V可切换)
PVDD182533_n (n = 0, 1)
- 0.3 to + 2.45 (1.8 V模式) / - 0.3 to + 3.2 (2.5 V模式) / - 0.3 to + 4.1 (3.3 V模式)
V
电源电压(DDR)
DDR_VDDQ
- 0.3 to + 1.68
V
输入电压
3.3 V I/O输入信号
- 0.5 to 3.3 V电源 + 0.5 V
-
2.5 V I/O输入信号
- 0.5 to 2.5 V电源 + 0.5 V
-
1.8 V I/O输入信号
- 0.5 to 1.8 V电源 + 0.5 V
-
工作环境温度
Ta
- 40 to + 85°C
-
结温
Tj
- 40 to + 125°C
-
存储温度
Tstg
- 40 to + 150°C
-
电源时序
芯片的电源开启和关闭需要遵循一定的时序,以确保芯片的正常工作。不同的电源模式(如ALL_ON、AWO_DDR_RETENTION、VBATT_DDR_RETENTION、VBATT等)有不同的电源时序要求,并且在不同的电源域之间有严格的上电和下电顺序,例如:
G3必须在G2、G5上电后上电,在下电时要先于G2、G5下电。G3和G7可以同时上电或下电。
G4、G6必须在G3上电后上电,在下电时要先于G3下电。
PRST#信号必须在VDD(G2)上电2 msec后变为高电平,在下电前要变为低电平。
VBATTRESET#信号必须在VBATT_VDD(G1)上电50 μsec后变为高电平。
直流特性
芯片的直流特性包括不同接口的输入/输出电压、电阻、电流等参数,不同的接口(如GP I/O、SD I/O、RGMII、I3C、I2C、USB 2.0、ADC等)有各自的直流特性要求,例如:
GP I/O(3.3 V):高电平输入电压VIH最小为2 V,低电平输入电压VIL最大为0.8 V,输出逻辑高电压VOH与电源电压有关(如I OH = – 1.9 mA时,VOH = V CCQ – 0.4 V),输出逻辑低电压VOL最大为0.4 V(如I OL = 1.9 mA时),弱上拉电阻RUP范围为10 K至90 KΩ,弱下拉电阻RDN范围为10 K至90 KΩ,输入漏电流ILI最大为10 μA。
USB 2.0:不同速度模式(低速、全速、高速)下有不同的输入/输出电平、差分输入灵敏度、差分共模范围等参数要求。
交流特性
交流特性主要包括各种时钟信号和控制信号的时序参数,如时钟输入频率、周期、高低电平脉宽、上升/下降时间等,不同的时钟信号(如XIN、AUDIO_CLK1、AUDIO_CLK2等)和接口(如SDHI、eMMC、USB 2.0、以太网、JTAG、xSPI、SSIF - 2、CAN - FD、MTU3a、POE3、GPT、POEG、I2C、I3C、SCIFA、SCIg、RSPI、ADC、WDT、PDM、Octa内存控制器等)都有详细的时序要求,这些时序参数对于确保芯片与外部设备的正常通信和协同工作至关重要。
4. 产品系列和选型建议
RZ/G3S Group系列有多种型号可供选择,不同型号在CPU配置、安全功能和PCIe支持等方面存在差异,具体如下表所示:
组
封装
部件编号
CPU
安全功能
PCIe
RZ/G3S
14 mm BGA
R9A08G045S37GBG
1 × Cortex - A55, 2 × Cortex - M33
可用
可用
R9A08G045S17GBG
1 × Cortex - A55, 1 × Cortex - M33*1
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R9A
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