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在电子设计领域,高性能、低功耗的微控制器一直是工程师们追求的目标。DS80C320/DS80C323作为高速低功耗微控制器,为我们带来了诸多出色的特性和功能。下面,我们就来详细了解一下这两款微控制器。
文件下载:DS80C320-ECL/T&R.pdf
DS80C320/DS80C323是与80C32兼容的高速微控制器,通过重新设计处理器核心,去除了浪费的时钟和内存周期,使得在相同晶体速度下,8051指令的执行速度比原始的快1.5到3倍。DS80C320的最大晶体速率可达33MHz,相当于82.5MHz的执行速度(约2.5倍);DS80C323则适用于对功耗要求严苛的应用,工作电压范围为2.7V至5.5V。这两款微控制器提供40引脚DIP、44引脚PLCC和44引脚TQFP三种封装,方便不同的应用需求。
DS80C320/DS80C323采用4时钟/机器周期的高速架构(8032为12时钟/机器周期),DC至33MHz(DS80C320)和DC至18MHz(DS80C323)的工作频率,单周期指令执行时间仅121ns,在相同工作下功耗更低。其多数指令能实现3倍的速度提升,部分指令也有1.5 - 2.4倍的改善,平均速度提升约2.5倍。例如,在处理同样的任务时,使用DS80C320能明显缩短执行时间,提高系统效率。
所有指令功能与80C32相同,但执行时间不同。计数器/定时器默认以12时钟/增量运行,也可设置为4时钟/增量以利用高速特性。不同指令的相对执行时间也有所变化,例如“MOVX A, @DPTR”和“MOV direct, direct”在原架构中时间相同,但在DS80C320/DS80C323中执行时间不同。工程师在进行精确程序设计时,需要仔细研究每个指令的执行时间。
DS80C320/DS80C323没有片上ROM,有256字节的暂存RAM,通过P0的复用地址/数据总线和P2的MSB地址访问片外内存。程序内存(ROM)访问速率由晶体频率和指令决定,数据内存(RAM)通过可变速度的MOVX指令访问。
通过时钟控制寄存器(SFR位置8Eh)可调整数据内存访问速度,拉伸值可在0到7之间选择。拉伸值为0时,MOVX为两个机器周期;拉伸值为7时,MOVX为九个机器周期。默认拉伸值为1,即三个机器周期。这样的设计使得不同速度的内存和外设都能被有效访问,无需额外的胶合逻辑。
DS80C320/DS80C323引入了双数据指针(DPTR),标准的16位数据指针DPTR0位于SFR地址82h和83h,新的DPTR1位于SFR 84h和85h。通过DPTR选择位(DPS,位于SFR位置86h的LSB)切换数据指针。使用双数据指针可以节省代码,提高数据块移动的效率。例如,在64字节的数据块移动中,使用双数据指针比单数据指针节省772个机器周期和123.5μs的时间。
提供13个中断源,具有三个优先级级别。电源故障中断(PFI)若启用则优先级最高,其余中断有用户可选择的高、低优先级。当相同优先级的中断同时发生时,按自然优先级顺序处理。
部分特殊功能寄存器(SFR)位通过定时访问程序保护,防止意外写入。写入受保护位前,需先向定时访问寄存器(位置C7h)写入AAh和55h,打开三周期窗口,才能修改受保护位。
各引脚相对于地的电压范围为 -0.3V至(VCC + 0.5V),VCC相对于地的电压范围为 -0.3V至 +6.0V,工作温度范围为 -40°C至 +85°C,存储温度范围为 -55°C至 +125°C。
DS80C320工作电压范围为4.25V至5.5V,DS80C323为2.7V至5.5V。不同工作模式下的电源电流、输入输出电压和电流等参数都有明确的规定,工程师在设计时需根据实际情况进行选择。
包括振荡器频率、ALE脉冲宽度、端口地址有效时间、PSEN脉冲宽度等参数,这些参数对于确保微控制器与外部设备的正确通信至关重要。
在使用DS80C320/DS80C323时,工程师需要根据具体的应用需求选择合适的型号和封装。对于对速度要求较高的应用,可选择DS80C320;对于对功耗敏感的应用,DS80C323是更好的选择。同时,要注意内存访问速度的调整,合理设置拉伸值,以适应不同速度的内存和外设。在电源管理方面,可根据实际情况灵活运用空闲模式和掉电模式,降低系统功耗。
DS80C320/DS80C323以其高速、低功耗和丰富的外设功能,为电子工程师提供了一个强大的设计平台。通过合理利用其特性和功能,能够设计出高性能、低功耗的电子系统。你在使用这两款微控制器的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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