电子说
在电子工程师的日常设计工作中,选择一款性能卓越、功能丰富的微控制器至关重要。今天,我们来深入了解Maxim Integrated推出的DS89C430和DS89C450超高速闪存微控制器,看看它们能为我们的设计带来哪些惊喜。
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DS89C430和DS89C450是8051兼容微控制器中的佼佼者,它们采用了全新设计的处理器内核,在相同晶体速度下,指令执行速度比原始8051快达12倍,典型应用中速度可提升达10倍。在1MHz时钟频率下,每兆赫兹可实现100万条指令每秒(MIPS)的性能,最高33MHz时钟频率时可达到33MIPS的性能。
DS89C440是DS89C450的32kB版本,现已停产,DS89C450可作为直接替代品。同时,建议结合《超高速闪存微控制器用户指南》来使用本数据手册,该指南可从www.maxim-ic.com/microcontrollers下载。
在 (V{CC}=4.5 ~V) 至5.5V, (T{0}=-40^{circ} C) 至 +85°C的条件下,对电源电压、电源故障警告、复位触发点、电源电流等参数进行了详细规定。例如,电源电压范围为4.5V至5.5V,典型值为5.0V;电源故障警告电压范围为4.2V至4.6V,典型值为4.375V。
系统时钟外部振荡器和外部晶体的频率范围为0至33MHz,同时对ALE脉冲宽度、端口地址有效时间、PSEN脉冲宽度等参数进行了详细的规定,以确保系统的稳定运行。
DS89C430和DS89C450提供了多种封装形式,包括40引脚PDIP、44引脚PLCC和44引脚TQFP。每个引脚都有其特定的功能,如VCC为 +5V电源引脚,GND为逻辑地引脚,RST为外部复位引脚,XTAL1和XTAL2为晶体振荡器引脚等。
位于片上256字节的RAM中,可分为两个128字节的子区域。通过不同的寻址方式访问寄存器和程序/数据内存,其中低128字节可使用直接或间接寻址,高128字节与特殊功能寄存器(SFR)重叠,需使用间接寻址。
DS89C430和DS89C450分别拥有16kB和64kB的片上程序内存,可通过软件动态配置最大片上程序内存地址。当访问外部程序内存时,PSEN信号会变为低电平,作为芯片使能或输出使能信号。
通过MOVX指令访问数据内存,可使用工作寄存器或数据指针提供地址。同时,支持页模式操作,可提高外部数据内存访问的速度。
内置64字节的加密阵列,允许用户在验证程序代码时以加密形式查看数据,提高了数据的安全性。
通过编程三个锁位,用户可以选择不同的安全级别,限制对内部程序和数据内存内容的查看。
支持用户软件对片上闪存内存进行应用内编程,通过向闪存控制寄存器写入命令,可实现擦除、编程和验证操作。
可通过内置的ROM加载器从外部源通过串口0对片上闪存程序内存、安全闪存块和外部SRAM进行系统编程。
支持商业设备编程器使用的编程模式,具体信息可联系技术支持部门。
外部程序和数据内存访问周期比内部内存周期慢四倍,可通过软件调整外部数据内存访问速度,通过CKCON寄存器提供可选择的拉伸值。
保留了原始8051外部内存接口的基本电路要求,但改变了P0和P2的配置,以支持不同的外部总线结构和内存周期。可通过设置PAGEE位和PAGES1:PAGES0位来选择不同的页模式。
提供13个中断源,支持五级中断优先级,除电源故障中断外,其他中断由中断使能寄存器中的全局使能位和个别使能位控制。
包含三个16位定时器,可作为外部事件计数器或振荡器周期定时器使用,每个定时器有多种操作模式,可通过TMOD和T2MOD寄存器进行配置。
提供三种节能模式,包括空闲模式、停止模式和电源管理模式,可通过设置相关寄存器位来实现。
可编程时钟分频控制位(CD1和CD0)允许处理器适应不同的晶体,并在需要时降低系统时钟速度,以实现低功耗操作。同时,支持晶体倍增器功能,可将系统时钟频率提高到晶体频率的两倍或四倍。
DS89C430和DS89C450具有广泛的应用领域,包括数据记录、电话、建筑能源控制和管理、不间断电源、汽车测试、工业控制、白色家电、HVAC、电源供应、电机控制、自动售货机、建筑安全、消费电子、磁条阅读器/扫描仪、游戏设备等。
DS89C430和DS89C450超高速闪存微控制器以其卓越的性能、丰富的功能和灵活的配置,为电子工程师提供了一个强大的设计平台。无论是在速度要求较高的应用中,还是对系统稳定性和安全性有严格要求的场景,它们都能发挥出色的作用。在实际设计中,我们需要根据具体的应用需求,合理选择和配置这些微控制器,以实现最佳的设计效果。
你在使用DS89C430/DS89C450微控制器的过程中遇到过哪些问题?或者你对它们的哪些特性最感兴趣?欢迎在评论区分享你的经验和想法。
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