瑞能半导体亮相2026国际绿色能源生态发展峰会

2026 年4月1日，以“零碳赛道上的生态合力：技术、资本与政策”为主题的2026国际绿色能源生态发展峰会在上海圆满举行。作为全球绿色能源与功率半导体领域的重要交流平台，本次峰会汇聚国内外顶尖专家、企业领袖与行业精英，聚焦光伏、储能、宽禁带半导体、新能源交通等前沿方向，共探全球新能源电子生态发展新路径。

瑞能半导体碳化硅产品线产品与市场高级经理王越受邀出席本次峰会，并发表《SiC功率器件应用趋势分析以及瑞能产品适用性介绍》主题演讲，与行业同仁共话SiC技术演进、应用落地及产业未来趋势。

聚焦SiC应用新趋势，赋能绿色能源高效升级

王越在演讲中表示：“SiC 功率器件的应用正朝着‘大道至简’的方向发展，SiC器件不断提升的耐压等级、功率密度、可靠性表现是支撑拓扑简单化的基石。功率器件的性能提升，帮助客户使用更简单的拓扑、实现更不简单的性能突破。这也会大大加速客户项目落地，抢占市场先机。”

当前，以碳化硅为代表的宽禁带半导体已成为绿色能源、新能源汽车、高效电源等领域的核心支撑。凭借高效率、高可靠性、低损耗等优势，SiC功率器件正加速推动能源电子产业高效化、低碳化升级。

演讲中，王越围绕当前SiC功率器件应用的四大核心趋势展开深入解读：

01功率器件电压提升

为进一步优化系统成本与效率，SiC 器件正朝着更高电压等级发展，以适应光伏、储能及充电桩等应用对更高功率密度的需求。

02功率环路拓扑简化

两电平拓扑应用日益普及，单级变换器成为主流趋势，这极大地简化了系统设计，加速了项目落地进程。

03功率器件应用领域拓展

SiC的应用正从传统领域向更多新兴场景拓展，如固态变压器（SST）、固态断路器（SSCB）以及高性能线性电源等。

04功率器件封装多样化

随着应用场景的复杂化，对封装的散热性能、可靠性、模块化及小型化提出了更高要求，封装创新成为关键。

王越结合瑞能半导体的产品布局与技术能力，系统介绍了SiC器件如何通过技术创新，完美适配这些趋势。他展示了瑞能SiC产品的技术路线图与匹配应用发展的产品规划，其产品矩阵覆盖650V-2300V的器件耐压范围。同时，他还分享了瑞能半导体在产品性能、产品封装、功率模块类产品的全方位布局。

此外，针对火热的SiC MOS领域，王越展示了瑞能最新的技术突破方向，包括Trench gate MOS、Suppet junction MOS、3kV -10kV 特高压产品、8inch 晶圆产品。这些层出不穷的技术迭代，充分彰显了瑞能半导体在碳化硅领域的技术前瞻性与行业领导地位。

作为全球领先的功率半导体企业，瑞能半导体坚持以技术创新为核心驱动力，专注于高性能、高可靠性功率器件的研发与生产，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及可再生能源等多个核心领域。

面向全球能源转型浪潮，瑞能半导体持续加大SiC等宽禁带半导体技术研发投入，不断优化产品性能与成本竞争力，以更高效、更可靠的功率器件产品，赋能光伏、储能、新能源交通、绿色数据中心等关键领域，助力全球绿色能源生态高质量发展。