ON Semiconductor ATP213 N-Channel Power MOSFET：特性、参数与应用考量

引言

在电子设计领域，功率 MOSFET 是至关重要的元件，广泛应用于各种电源管理、电机驱动等电路中。ON Semiconductor 的 ATP213 N - Channel Power MOSFET 以其出色的性能和特性，成为众多工程师的选择。本文将详细介绍 ATP213 的特点、规格参数以及使用注意事项。

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产品概述

ATP213 是一款 60V、50A、16mΩ 的单通道 N - Channel Power MOSFET，采用 ATPAK 封装。该产品由 ON Semiconductor 生产，其官方网站为 http://onsemi.com 。

产品特性

低导通电阻

• 4V 驱动：支持 4V 驱动，在较低的驱动电压下就能实现良好的导通性能，有助于降低驱动电路的设计复杂度和功耗。
• 无卤合规：符合无卤标准，满足环保要求，适用于对环保有严格要求的应用场景。

大电流能力

• 超薄封装：采用 Slim 封装，在有限的空间内实现大电流的承载能力，同时节省电路板空间。
• 内置保护二极管：内部集成保护二极管，可有效防止反向电压对 MOSFET 造成损坏，提高了电路的可靠性。

规格参数

绝对最大额定值（Ta = 25°C）

参数	符号	条件	额定值	单位
漏源电压	VDSS	-	60	V
栅源电压	VGSS	-	+20	V
漏极电流（直流）	ID	-	50	A
漏极电流（脉冲 10us）	IDP	PW 10us，占空比 1%	150	A
允许功耗	PD	Tc = 25°C	50	W
通道温度	Tch	-	150	°C
存储温度	Tstg	-	-55 至 +150	°C
雪崩能量（单脉冲）	EAS	-	37	mJ
雪崩电流	IAV	-	25	A

需要注意的是，超过最大额定值的应力可能会损坏器件，最大额定值仅为应力额定值，在推荐工作条件以上的功能操作并不意味着器件可以正常工作。长时间暴露在超过推荐工作条件的应力下可能会影响器件的可靠性。

电气特性（Ta = 25°C）

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	V(BR)DSS	ID = 1mA，VGS = 0V	60	-	-	V
零栅压漏极电流	IDSS	VDS = 60V，VGS = 0V	-	-	1	μA
栅源泄漏电流	IGSS	VGS = 16V，VDS = 0V	-	-	±10	μA
截止电压	VGS(off)	VDS = 10V，ID = 1mA	1.2	-	2.6	V
正向传输导纳	yfs	VDS = 10V，ID = 25A	-	55	-	S
静态漏源导通电阻	RDS(on)1	ID = 25A，VGS = 10V	-	12	16	mΩ
RDS(on)2	ID = 13A，VGS = 4.5V	-	15	21	mΩ
RDS(on)3	ID = 7A，VGS = 4V	-	17	26	mΩ
输入电容	Ciss	VDS = 20V，f = 1MHz	-	3150	-	pF
输出电容	Coss	-	-	310	-	pF
反向传输电容	Crss	-	-	190	-	pF
导通延迟时间	td(on)	见指定测试电路	-	23	-	ns
上升时间	tr	-	170	-	ns
关断延迟时间	td(off)	-	230	-	ns
下降时间	tf	-	150	-	ns
总栅极电荷	Qg	VDS = 30V，VGS = 10V，ID = 50A	-	58	-	nC
栅源电荷	Qgs	-	10.5	-	nC
栅漏“米勒”电荷	Qgd	-	12.5	-	nC
二极管正向电压	VSD	IS = 50A，VGS = 0V	-	1.01	1.2	V

封装与包装信息

封装

采用 ATPAK 封装，符合 JEITA、JEDEC 相关标准。

包装

• 最小包装数量为 3000 件/卷，型号为 ATP213 - TL - H，包装类型为 TL。
• 包装格式（TL）：包含载带、内盒和外盒。内盒尺寸为 340x340x28mm（外部），可容纳 5 卷；外盒尺寸为 355×355×165mm（外部），可容纳多个内盒。
• 引脚无铅处理，表面处理为无铅工艺。

使用注意事项

由于 ATP213 是 MOSFET 产品，在使用时应避免将该器件放置在高电荷物体附近，以免静电对器件造成损坏。

知识产权与免责声明

ON Semiconductor 和 ON 标志是 Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) 的注册商标。SCILLC 拥有多项专利、商标、版权、商业秘密和其他知识产权。SCILLC 保留对产品进行更改而无需另行通知的权利，并且不对产品在特定用途中的适用性作出任何保证，也不承担因产品或电路的应用或使用而产生的任何责任。所有操作参数，包括“典型值”，都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。SCILLC 的产品不设计、不打算也未获授权用于外科植入人体的系统、支持或维持生命的其他应用，或任何因 SCILLC 产品故障可能导致人身伤害或死亡的应用。

总结

ATP213 N - Channel Power MOSFET 凭借其低导通电阻、大电流能力和良好的封装特性，在电源管理、电机驱动等领域具有广泛的应用前景。工程师在设计电路时，应充分考虑其规格参数和使用注意事项，以确保电路的可靠性和性能。你在使用这款 MOSFET 时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。