ON Semiconductor BMS3004 P-Channel Power MOSFET：性能参数与应用要点

在电子设计领域，功率MOSFET是不可或缺的元件，其性能直接影响电路的效率和稳定性。今天，我们就来详细探讨ON Semiconductor推出的BMS3004 P-Channel Power MOSFET。

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产品概述

BMS3004是一款具备出色性能的P-Channel Power MOSFET，额定电压为 -75V，最大连续漏极电流达 -68A，导通电阻仅为 8.5mΩ，采用TO - 220F - 3SG封装。该产品适用于众多对功率和效率有较高要求的应用场景。

产品特性

低导通电阻

其典型导通电阻RDS(on)仅为 6.5mΩ，低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小，能有效提高电路效率，减少发热，这对于需要长时间稳定工作的电路尤为重要。

合适的输入电容

输入电容Ciss典型值为 13400pF，这一参数影响着MOSFET的开关速度和驱动要求。合适的输入电容能确保MOSFET在不同的应用场景下，实现快速、稳定的开关动作。

4V驱动能力

BMS3004支持4V驱动，这使得它在一些低电压驱动的应用中具有优势，能更好地与低电压控制电路配合，简化设计。

规格参数

绝对最大额定值

在Ta = 25°C的条件下，各参数如下：

• 漏源电压VDSS为 -75V，这决定了MOSFET能够承受的最大电压，超过该值可能会导致器件损坏。
• 栅源电压VGSS为 ±20V，使用时需确保栅源电压在这个范围内，以保证器件的正常工作。
• 直流漏极电流ID为 -68A，脉冲漏极电流IDP（PW≤10μs，占空比≤1%）为 -272A，这两个参数限制了MOSFET能够通过的电流大小。
• 允许的功率耗散PD在Tc = 25°C时为 40W，这关系到MOSFET的散热设计，在实际应用中需要根据功率耗散来选择合适的散热方式。
• 通道温度Tch最高为 150°C，存储温度Tstg范围为 -55°C至 +150°C，了解这些温度参数有助于在不同的环境条件下正确使用和存储器件。

电气特性

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	V(BR)DSS	ID = -1mA，VGS = 0V	-75	/	/	V
零栅压漏极电流	IDSS	VDS = -75V，VGS = 0V	/	/	-10	A
栅源泄漏电流	IGSS	VGS = 16V，VDS = 0V	/	/	±10	uA
截止电压	VGS(off)	VDS = -10V，ID = -1mA	-1.2	/	-2.6	V
正向传输导纳	|yfs|	VDS = -10V，ID = -34A	/	120	/	S
静态漏源导通电阻	RDS(on)1	ID = -34A，VGS = -10V	/	6.5	8.5	mΩ
RDS(on)2	ID = -34A，VGS = -4V	/	8.3	11.4	mΩ
输入电容	Ciss	VDS = -20V，f = 1MHz	/	13400	/	pF
输出电容	Coss	/	1000	/	pF
反向传输电容	Crss	/	740	/	pF
导通延迟时间	td(on)	见Fig.2	/	70	/	ns
上升时间	tr	/	245	/	ns
关断延迟时间	td(off)	/	1400	/	ns
下降时间	tf	/	650	/	ns
总栅极电荷	Qg	VDS = -48V，VGS = -10V，ID = -68A	/	300	/	nC
栅源电荷	Qgs	/	30	/	nC
栅漏“米勒”电荷	Qgd	/	70	/	nC
二极管正向电压	VSD	IS = -68A，VGS = 0V	/	-0.9	-1.5	V
反向恢复时间	trr	见Fig.3	/	146	/	ns
反向恢复电荷	Qrr	IS = -68A，VGS = 0V，didt = -100A/μs	/	470	/	nC

这些电气特性详细描述了BMS3004在不同工作条件下的性能表现，工程师在设计电路时需要根据具体需求合理选择和使用这些参数。

订购与封装信息

BMS3004 - 1E采用TO - 220F - 3SG封装，每管装50个，并且是无铅产品。在订购时，可参考数据手册第4页的详细订购和运输信息。

使用注意事项

由于BMS3004是MOSFET产品，在使用时应避免将其放置在高电荷物体附近，以免静电等因素对器件造成损坏。同时，ON Semiconductor提醒用户，所有的操作参数，包括“典型值”，都需要由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证，以确保产品在实际应用中的性能和可靠性。

大家在使用BMS3004进行设计时，有没有遇到过什么特殊的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。