安森美NVMTS1D5N08H：高性能N沟道MOSFET的卓越之选

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关器件，其性能的优劣直接影响到整个系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入探讨安森美（onsemi）推出的一款N沟道功率MOSFET——NVMTS1D5N08H。

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产品概述

NVMTS1D5N08H是一款单N沟道MOSFET，具有80V的耐压能力，极低的导通电阻（$R{DS(on)}$）仅为1.4mΩ，最大连续漏极电流可达273A。它采用了8x8mm的小封装尺寸，非常适合紧凑型设计，同时还具备低栅极电荷（$Q{G}$）和电容特性，能够有效降低驱动损耗。此外，该器件通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力，符合汽车级应用的严格要求，并且是无铅产品，符合RoHS标准。

主要特性

1. 低导通电阻与低损耗

低$R{DS(on)}$是这款MOSFET的一大亮点，它能够显著降低传导损耗，提高系统的效率。在实际应用中，低导通电阻意味着在相同的电流下，MOSFET的发热会更小，从而减少了散热设计的难度和成本。同时，低$Q{G}$和电容特性则进一步降低了驱动损耗，使得整个系统更加节能。

2. 小封装尺寸

8x8mm的小封装尺寸使得NVMTS1D5N08H在空间受限的设计中具有很大的优势。它可以在有限的电路板空间内实现更多的功能，提高了设计的灵活性和集成度。

3. 汽车级认证

AEC - Q101认证表明该器件经过了严格的可靠性测试，能够在汽车电子等恶劣环境下稳定工作。这为汽车制造商提供了可靠的选择，确保了汽车电子系统的安全性和稳定性。

关键参数

1. 最大额定值

参数	符号	条件	值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$		80	V
栅源电压	$V_{GS}$		+20	V
连续漏极电流（$T_{C}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	稳态	273	A
连续漏极电流（$T_{C}=100^{circ}C$）	$I_{D}$	稳态	193	A
功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	$P_{D}$		258	W
功率耗散（$T_{C}=100^{circ}C$）	$P_{D}$		129	W
脉冲漏极电流（$T{A}=25^{circ}C$，$t{p}=10mu s$）	$I_{DM}$		900	A
工作结温和存储温度范围	$T{J}$，$T{stg}$		-55 至 +175	$^{circ}C$
源极电流（体二极管）	$I_{S}$		215	A
单脉冲漏源雪崩能量（$L_{(pk)} = 24A$）	$E_{AS}$		1973	mJ
焊接引线温度（距外壳1/8英寸，10s）	$T_{L}$		260	$^{circ}C$

2. 电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压$V{(BR)DSS}$在$V{GS} = 0V$，$I{D} = 250mu A$条件下为80V，零栅压漏极电流$I{DSS}$在不同温度下有不同的值，$T{J} = 25^{circ}C$时为10μA，$T{J} = 125^{circ}C$时为250μA。
• 导通特性：栅极阈值电压$V{GS(TH)}$在$V{GS} = V{DS}$，$I{D} = 490mu A$条件下为2.0 - 4.0V，漏源导通电阻$R{DS(on)}$在$V{GS} = 10V$，$I_{D} = 90A$条件下典型值为1.16mΩ，最大值为1.4mΩ。
• 电荷、电容和栅极电阻：输入电容$C{ISS}$在$V{GS} = 0V$，$f = 1MHz$，$V{DS} = 40V$条件下为8220pF，总栅极电荷$Q{G(TOT)}$为125nC等。
• 开关特性：开通延迟时间$t{d(ON)}$为33ns，上升时间$t{r}$为23ns，关断延迟时间$t{d(OFF)}$在$V{Gs} = 10V$，$V{DS} = 64V$，$I{D} = 90A$，$R{G}=6Omega$条件下为100ns，下降时间$t{f}$为30ns。
• 漏源二极管特性：正向电压典型值为0.7 - 0.8V，反向恢复时间和反向恢复电荷也有相应的参数。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，这些曲线直观地展示了该MOSFET在不同条件下的性能表现。例如，导通电阻与栅源电压、漏极电流和温度的关系曲线，能够帮助工程师更好地理解器件的特性，从而进行更优化的设计。

封装与订购信息

NVMTS1D5N08H采用TDFNW8（无铅）封装，每卷3000个。对于封装的详细尺寸和订购、标记及运输信息，文档中都有明确的说明。同时，文档还提供了推荐的焊盘图案和通用焊盘图案，方便工程师进行电路板设计。

应用与注意事项

应用领域

由于其高性能和汽车级认证，NVMTS1D5N08H适用于多种应用场景，如汽车电子、工业自动化、电源管理等。在汽车电子中，可用于电动助力转向、车载充电器等系统；在工业自动化中，可用于电机驱动、电源模块等。

注意事项

在使用过程中，需要注意不要超过器件的最大额定值，否则可能会损坏器件并影响其可靠性。同时，由于热阻会受到整个应用环境的影响，在设计时需要根据实际情况进行散热设计。另外，脉冲测试条件下的参数（脉冲宽度 ≤300μs，占空比 ≤ 2%）也需要在实际应用中予以考虑。

你在设计中是否使用过类似的MOSFET器件呢？你对这款NVMTS1D5N08H有什么看法或疑问吗？欢迎在评论区留言讨论。