探索 onsemi NVMJS1D6N06CL N 沟道 MOSFET 的卓越性能

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET 是不可或缺的关键元件。今天，我们就来深入探讨 onsemi 推出的 NVMJS1D6N06CL N 沟道 MOSFET，看看它有哪些独特之处，能为我们的设计带来怎样的优势。

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产品概述

NVMJS1D6N06CL 是一款耐压 60V、导通电阻低至 1.36mΩ、最大电流可达 250A 的 N 沟道功率 MOSFET。它采用了 LFPAK8 封装，尺寸仅为 5x6mm，非常适合紧凑设计的应用场景。该产品不仅符合 AEC - Q101 标准，具备 PPAP 能力，还采用无铅工艺，符合 RoHS 标准，为环保设计提供了保障。

关键特性

小尺寸与低损耗

• 紧凑设计：5x6mm 的小尺寸封装，为设计人员在空间受限的应用中提供了更多的灵活性。
• 低导通电阻：低 (R_{DS(on)}) 特性有效降低了导通损耗，提高了系统的效率。
• 低栅极电荷和电容：低 (Q_{G}) 和电容特性，可减少驱动损耗，进一步提升系统性能。

行业标准封装与质量认证

• LFPAK8 封装：作为行业标准封装，便于与现有设计兼容，降低了设计成本和风险。
• AEC - Q101 认证：经过严格的汽车级认证，确保了产品在恶劣环境下的可靠性和稳定性。

电气特性

最大额定值

在 (T_{J}=25^{circ}C) 的条件下，该 MOSFET 的最大额定值如下：	参数	条件	符号	值	单位
漏源击穿电压	(V{GS}=0V)，(I{D}=250A)	(V_{(BR)DSS})	60	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）		(I_{D})		A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）		(I_{D})		A
功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)）		(P_{D})	83	W
连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)）		(I_{D})	38	A
功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）		(P_{D})	3.8	W
脉冲电流		(I_{DM})	900	A
工作结温和存储温度		(T{J})，(T{stg})	+175	°C

电气参数

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	(V{GS}=0V)，(I{D}=250A)	60			V
零栅压漏极电流（(T_{J}=25^{circ}C)）	(V{GS}=0V)，(V{DS}=60V)			10	μA
零栅压漏极电流（(T_{J}=125^{circ}C)）	(V{GS}=0V)，(V{DS}=60V)			250	μA
栅源泄漏电流	(V{DS}=0V)，(V{GS}=±16V)			±100	nA
栅极阈值电压	(V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250A)	1.2	2.0		V
漏源导通电阻（(V{GS}=10V)，(I{D}=50A)）		1.13	1.36		mΩ
漏源导通电阻（(V{GS}=4.5V)，(I{D}=50A)）		1.65	2.30		mΩ
正向跨导	(V{DS}=15V)，(I{D}=50A)		151		S
输入电容	(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=25V)		6660		pF
输出电容	(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=25V)		2953		pF
反向传输电容	(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=25V)		45		pF
总栅极电荷（(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I_{D}=50A)）			41		nC
总栅极电荷（(V{GS}=10V)，(V{DS}=30V)，(I_{D}=50A)）			91		nC
阈值栅极电荷			5		nC
栅源电荷	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I_{D}=50A)		17.1		nC
栅漏电荷	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I_{D}=50A)		10.9		nC
平台电压			2.9		V
开启延迟时间	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)，(R{G}=1Ω)		19		ns
上升时间	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)，(R{G}=1Ω)		51		ns
关断延迟时间	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)，(R{G}=1Ω)		47		ns
下降时间	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)，(R{G}=1Ω)		18		ns
正向二极管电压（(T_{J}=25^{circ}C)）	(V{GS}=0V)，(I{S}=50A)	0.78		1.2	V
正向二极管电压（(T_{J}=125^{circ}C)）	(V{GS}=0V)，(I{S}=50A)	0.66			V
反向恢复时间	(V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/μs)，(I_{S}=50A)		78		ns
充电时间	(V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/μs)，(I_{S}=50A)		36		ns
放电时间	(V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/μs)，(I_{S}=50A)		42		ns
反向恢复电荷	(V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/μs)，(I_{S}=50A)		105		nC

热阻特性

该 MOSFET 的热阻特性如下：	参数	符号	值	单位
结到壳稳态热阻	(R_{JC})	0.9	°C/W
结到环境稳态热阻（注 2）	(R_{JA})	36	°C/W

需要注意的是，整个应用环境会影响热阻值，这些值并非恒定不变，仅在特定条件下有效。

典型特性曲线

文档中还提供了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源和漏源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、安全工作区、雪崩峰值电流与时间关系以及热特性等。这些曲线有助于工程师更深入地了解该 MOSFET 在不同工作条件下的性能表现。

封装与订购信息

封装尺寸

NVMJS1D6N06CL 采用 LFPAK8 封装，其具体尺寸如下：	尺寸	最小值	标称值	最大值
A	1.10	1.20	1.30
A1	0.00	0.08	0.15
A2	1.10	1.15	1.20
A3	0.25 BSC
b	0.40	0.45	0.50
b4	0.45	0.55	0.65
C	0.19	0.22	0.25
c2	0.19	0.22	0.25
D	4.70	4.80	4.90
D1	3.80	4.00	4.20
D2	2.98	3.08	3.18
D3	0.30	0.40	0.50
D4	0.55	0.65	0.75
E	4.80	4.90	5.00
E1	5.05	5.15	5.25
E2	3.91	3.96	4.01
e	1.27 BSC
e/2	0.635 BSC
H	6.00	6.15	6.30
L	0.50	0.70	0.90
L1	0.15	0.25	0.35
L2	1.10 REF
e	0	4	8°

订购信息

该产品的订购型号为 NVMJS1D6N06CLTWG，采用 3000 个/卷带包装。关于卷带规格的详细信息，可参考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

总结

onsemi 的 NVMJS1D6N06CL N 沟道 MOSFET 以其小尺寸、低损耗、行业标准封装和严格的质量认证等优势，为电子工程师在设计高性能、紧凑化的电源管理和功率转换系统时提供了一个优秀的选择。在实际应用中，工程师们可以根据具体的设计需求，结合该 MOSFET 的电气特性和热阻特性，合理选择工作条件，以充分发挥其性能优势。同时，通过参考典型特性曲线，还能更好地优化电路设计，提高系统的稳定性和可靠性。大家在使用这款 MOSFET 时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。