onsemi NVMJD020N08HL双N沟道MOSFET深度解析

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关器件，其性能和特性对于电路的稳定性和效率起着至关重要的作用。今天我们就来深入了解一下onsemi的NVMJD020N08HL双N沟道MOSFET。

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产品概述

NVMJD020N08HL是一款80V、19.5mΩ、30A的双N沟道功率MOSFET。它采用了LFPAK8封装，具有小尺寸（5x6 mm）的特点，非常适合紧凑型设计。该器件具备低导通电阻（(R{DS(on)})）和低栅极电荷（(Q{G})）及电容，能有效降低导通损耗和驱动损耗。此外，它还通过了AEC - Q101认证，符合PPAP要求，并且是无铅产品，满足RoHS标准。

关键参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	80	V
栅源电压	(V_{GS})	+20	V
连续漏极电流（(T_{c}=25^{circ}C)）	(I_{D})	30	A
功率耗散（(T_{c}=25^{circ}C)）	(P_{D})	42	W
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)）	(I_{DM})	107	A
工作结温和存储温度范围	(T{J},T{stg})	-55 至 +175	(^{circ}C)
源极电流（体二极管）	(I_{S})	35	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 1.5A)）	(E_{AS})	155	mJ
焊接用引脚温度（距外壳1/8英寸，10s）	(T_{L})	260	(^{circ}C)

热阻参数

参数	符号	值	单位
结到壳热阻（稳态）	(R_{JC})	3.6	(^{circ}C/W)
结到环境热阻（稳态，注2）	(R_{JA})	47.5	(^{circ}C/W)

注：整个应用环境会影响热阻值，这些值不是常数，仅在特定条件下有效；表面贴装在FR4板上，使用(650mm^{2})、2 oz.的铜焊盘；脉冲长达1秒的最大电流更高，但取决于脉冲持续时间和占空比。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V{(BR)DSS})在(V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A)时为80V，温度系数为57mV/(^{circ}C)。
• 零栅压漏极电流：(I{DSS})在(V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T{J}=25^{circ}C)时为10nA，(T_{J}=125^{circ}C)时为100nA。
• 栅源泄漏电流：(I{GSS})在(V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V)时给出相关参数。

导通特性

• 栅极阈值电压：(V{GS(TH)})在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=30mu A)时，最小值为1.2V，最大值为2.0V。
• 漏源导通电阻：(R{DS(on)})在(V{GS}=10V)时，典型值为16.7mΩ，最大值为19.5mΩ；在(V{GS}=4.5V)，(I{D}=15A)时，典型值为21mΩ，最大值为25mΩ。
• 正向跨导：(g{FS})在(V{DS}=8V)，(I_{D}=15A)时给出相关参数。

电荷、电容和栅极电阻特性

参数	符号	测试条件	典型值	单位
输入电容	(C_{ISS})	(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V)	611	pF
输出电容	(C_{OSS})		81	pF
反向传输电容	(C_{RSS})		5	pF
总栅极电荷	(Q_{G(TOT)})		11.4	nC
阈值栅极电荷	(Q_{G(TH)})		1	nC
栅源电荷	(Q_{GS})	(V{GS}=10V)，(V{DS}=64V)；(I_{D}=15A)	1.7	nC
栅漏电荷	(Q_{GD})		2.4	nC
平台电压	(V_{GP})		2.8	V

开关特性

在(V{GS}=10V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=15A)，(R{G}=1Omega)的条件下：

• 开通延迟时间(t_{d(ON)})为6ns。
• 上升时间(t_{r})为3ns。
• 关断延迟时间(t_{d(OFF)})为16ns。
• 下降时间(t_{f})为2ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：(V{SD})在(V{GS}=0V)，(I_{S}=15A)，(T = 25^{circ}C)时，典型值为0.87V，最大值为1.2V；(T = 125^{circ}C)时，典型值为0.76V。
• 反向恢复时间：(t{RR})在(V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/mu s)，(I{S}=15A)时为25ns。
• 反向恢复电荷：(Q_{RR})为18nC。

典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压和漏极电流的关系、导通电阻随温度的变化、漏源泄漏电流与电压的关系、电容变化、栅源与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向电压与电流的关系、最大额定正向偏置安全工作区、峰值电流与雪崩时间的关系以及热响应等。这些曲线能帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现。

订购信息

器件型号为NVMJD020N08HLTWG，标记为020N08HL，采用LFPAK8双无铅封装，每卷3000个。

封装尺寸

LFPAK8封装尺寸有详细规定，包括各部分的最小、标称和最大尺寸，同时对尺寸的测量和公差等也有明确说明。

应用注意事项

在使用NVMJD020N08HL时，需要注意以下几点：

1. 应力超过最大额定值可能会损坏器件，若超过这些限制，不能保证器件功能正常，可能会造成损坏并影响可靠性。
2. 产品的参数性能是在特定测试条件下给出的，若在不同条件下工作，产品性能可能与电气特性不一致。
3. 脉冲测试条件为脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；开关特性与工作结温无关。

总之，NVMJD020N08HL双N沟道MOSFET以其出色的性能和特性，在电子设计中具有广泛的应用前景。工程师们在设计电路时，可以根据具体需求合理选择和使用该器件。大家在实际应用中是否遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。