电子说
在电子设备的设计中,过压保护是保障设备安全稳定运行的关键环节。今天,我们来深入探讨MAXIM推出的MAX4843 - MAX4846过压保护控制器,看看它如何为低电压系统提供高效可靠的过压保护。
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MAX4843 - MAX4846系列过压保护控制器能够保护低电压系统免受高达28V的高压故障影响。当输入电压超过过压阈值时,这些设备会关闭低成本的外部n沟道FET,防止受保护组件受损。其内部电荷泵无需外部电容,可直接驱动FET栅极,提供了简单而强大的解决方案。
输入电压范围为1.2V至28V,不同型号的UVLO和OVLO阈值有所不同。例如,MAX4843的UVLO阈值为4.15V,OVLO阈值为7.4V;MAX4846的UVLO阈值为2.5V,OVLO阈值为4.65V。这些阈值的设定确保了设备在不同电压条件下的正常工作。
在正常工作时,不同型号的IN电源电流和UVLO电源电流也有所差异。例如,MAX4843 - MAX4845的IN电源电流最大为120µA,UVLO电源电流最大为22µA;MAX4846的IN电源电流最大为110µA,UVLO电源电流最大为18µA。此外,GATE电压和GATE下拉电流等参数也会影响设备的性能。
启动延迟(tSTART)、FLAG消隐时间(tBLANK)、栅极开启时间(tGON)、栅极关闭时间(tGOFF)、FLAG断言延迟(tFLAG)和初始过压故障延迟(tOVP)等时序参数对于设备的正常运行至关重要。例如,启动延迟为20 - 80ms,确保了设备在启动时的稳定性。
典型工作电路中,输入电压范围为+1.2V至+28V,通过1µF电容旁路到地。OUTPUT为输出端,GATE用于驱动外部n沟道MOSFET。
MAX4843 - MAX4846可以采用单MOSFET配置或背对背MOSFET配置。单MOSFET配置在反向电流泄漏不是问题时使用,具有较低的损耗和成本;背对背MOSFET配置在输入电源低于输出时几乎没有反向电流,但成本相对较高。在选择MOSFET时,应考虑其RON、VGS和VDS等参数,以确保与控制器的兼容性。
对于大多数应用,建议使用1µF陶瓷电容将IN旁路到GND。如果电源具有较大的电感,应注意防止LC tank电路引起的过冲,并在必要时提供保护,以防止IN超过30V的绝对最大额定值。此外,如果存在负电压问题,可连接肖特基二极管从IN到GND来钳位负输入电压。
MAX4843 - MAX4846在IN通过1µF陶瓷电容旁路到地时,可承受±15kV的典型ESD。ESD测试主要采用人体模型(HBM)和IEC 1000 - 4 - 2标准。IEC 1000 - 4 - 2标准要求更高的峰值电流,因此按照该标准测量的ESD耐受电压通常低于人体模型。这些设备有助于用户设计符合IEC 1000 - 4 - 2 Level 3标准的设备,无需额外的ESD保护组件。
MAX4843 - MAX4846过压保护控制器以其低待机电流、高效的过压保护能力和灵活的配置选项,为低电压系统提供了可靠的保护解决方案。在实际设计中,电子工程师需要根据具体应用需求,合理选择MOSFET配置、旁路电容和ESD保护措施,以确保设备的性能和可靠性。你在使用这类过压保护控制器时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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