NOR flash和flash有什么不一样?

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描述

  NOR Flash
 
  NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。
 
  性能比较
 
  flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
 
  由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
 
  执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
 
  l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。
 
  2、 NAND的写入速度比NOR快很多。
 
  3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
 
  4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
 
  5 、NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
 
  此外,NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用,并可在上面直接运行代码;而NAND需要I/O接口,因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外,Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。
 
  详解
 
  NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
 
  像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
 
  NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
 
  NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
 
  接口差别
 
  NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
 
  NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
 
  NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
 
  容量成本
 
  NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
 
  NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC(多媒体存储卡Multi Media Card)存储卡市场上所占份额最大。
 
  可靠耐用
 
  采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF(平均故障间隔时间Mean Time Between Failures)的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
 
  寿命(耐用性)
 
  在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

  一、Flash介绍

  常用的flash类型有NOR Flash 和Nand Flash 两种;

  (1)Nor Flash

  1、Nor Flash的接口和RAM完全相同,可以随机访问任意地址的数据,在其上进行读操作的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,另外,Nor Flash的容量一般比较小,通常,Nor Flash用于存储程序;

  2、Nor Flash的块大小范围为64KB—128KB;

  3、擦写一个Nor Flash块需要4s,

  4、市场上Nor Flash 的容量通常为1MB—4MB

  (2)Nand Flash

  1、Nand Flash的接口仅仅包含几个I/O引脚,需要串行地访问,Nand Flash进行擦除和写操作的效率很高,容量较大,

  通常Nand Flash用于存储数据;

  2、Nand Flash的块大小范围为8KB—64KB;

  3、擦写一个Nand Flash块需要2ms;

  4、Nand Flash 一般以512字节为单位进行读写

  5、 市场上 Nand Flash 的容量一般为 8M—512M

  二、Nand Flash的物理结构

  以三星公司生产的 K9F1208U0M 为例:

  1、容量:64MB,

  一共4个层;

  每层1024个块(block);

  1块包含32页

  1页包含 512 + 16 = 528个字节

  2、外部接口:8个I/O口,5个使能信号(ALE、CLE、nWE、nRE、nCE),1个状态引脚(RDY/B),1个写保护引脚(nWE);

  3、命令、地址、数据都通过8个I/O口输入输出;

  4、写入命令、地址、数据时,都需要将nWE、nCE信号同时拉低;数据在WE上升沿被锁存;

  5、CLE、ALE用来区分I/O引脚上传输的是数据还是地址;

  6、64MB的空间需要26位地址,因此以字节为单位访问Flash时需要4个地址序列;

  7、读/写页在发出命令后,需要4个地址序列,而擦除块在发出擦除命令后仅需要3个地址序列;

  三、Nand Flash访问方法

  操作Nand Flash时,先传输命令,然后传输地址,最后读、写数据,期间要检查flash的状态;

  K9F1208U0M 一页大小为528字节,而列地址A0——A7可以寻址的范围是256字节,所以将一页分为A、B、C三个区:

  A区:0—255字节

  B区:256—511字节

  C区:512—527字节

  (1)复位

  命令:FFh

  步骤:发出命令即可复位Nand Flash芯片;

  (2)读操作

  命令:

  00h——读A区

  01h——读B区

  50h——读C区

  操作步骤:

  1、发出命令 00h、01h 或50h, 00h将地址位A8设为0, 01h将A8设为1 ;

  2、依次发出4个地址序列;

  3、检测R/nB,待其为高电平时,就可以读取数据了;

  (3)flash编程

  命令:

  80h——10h :写单页;

  80h——11h :对多个层进行些页操作;

  操作步骤:

  1、写单页步骤:

  【1】发出80h命令后;

  【2】发送4个地址序列;

  【3】向flash发送数据;

  【4】发出命令10h启动写操作,flash内部自动完成写、校验操作;

  【5】通过命令70h读取状态位,查询写操作是否完成;

  2、多页写

  【1】发出80h、4个地址序列、最多528字节的数据;

  【2】发出11h命令;

  【3】接着在相邻层执行【1】、【2】两步操作;

  【4】第四页的最后使用10h代替11h,启动flash内部的写操作;

  【5】可以通过71h查询写操作是否完成;

  (4)复制

  命令:

  00h——8Ah——10h :单层页内复制

  03h——8Ah——11h :多层页内复制

  操作步骤:

  1、单层页内复制步骤:

  【1】发出命令00h;

  【2】4个源地址序列;

  【2】接着发出8Ah;

  【4】发出4个目的地址序列;

  【5】发出10h命令,启动写操作;

  【6】通过70h命令读取状态查询操作是否完成;

  2、多层页内复制步骤:

  【1】发出命令00h(第一层)、4个源页地址序列;

  【2】以后各层依次发出命令03h、4个源页地址序列;

  【3】发出命令8Ah、目的地址、命令11h;

  【4】各层依次执行【3】,在最后一页的地址后,用10h代替11h,启动写操作;

  【5】通过71h命令读取状态查询操作是否完成;

  (5)擦除

  命令:

  60h——D0h :单层内块擦除

  60h-60h ——D0h :多层内块擦除

  操作步骤:

  1、单层内块擦除:

  【1】发出命令字60h;

  【2】发出块(block)地址,仅需3个地址序列;

  【3】发出D0h,启动擦除操作;

  【4】发出70h命令查询状态,是否完成擦除;

  2、多层内块擦除:

  【1】发出命令字60h,3个块地址序列;

  【2】对每个层执行【1】;

  【3】发出命令D0h,启动擦除操作;

  【4】发出71h命令查询状态,检查是否完成擦除;

  (6)读取芯片ID

  命令:90h

  操作步骤:

  1、发出命令90h;

  2、发出4个地址序列(均设为0);

  3、连续读入5个数据,分别表示:厂商代码、设备代码、保留字节、多层操作代码;

  (7)读状态

  命令:

  70h——单层状态

  71h——多层状态

  操作步骤:写入命令字之后,然后启动读操作即可读入此寄存器。


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