Onsemi NVMFD5C462N双N沟道MOSFET：紧凑设计与高性能的完美结合

在电子工程师的日常设计中，MOSFET是不可或缺的重要元件。今天我们要深入探讨的是Onsemi公司的一款双N沟道MOSFET——NVMFD5C462N，它具备诸多出色特性，能为各类电子设计带来显著优势。

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一、产品概述

NVMFD5C462N是Onsemi推出的一款40V、5.4mΩ、70A的双N沟道MOSFET。其具有小尺寸（5x6 mm）的特点，非常适合紧凑设计的需求。同时，它具备低导通电阻（(R{DS(on)})）以减少传导损耗，低栅极电荷（(Q{G})）和电容以降低驱动损耗。此外，还有NVMFD5C462NWF型号提供可焊侧翼选项，便于增强光学检测。该产品通过了AEC - Q101认证，并且具备PPAP能力，符合无铅和RoHS标准。

二、主要参数

（一）最大额定值

1. 电压参数
   • 漏源电压（(V_{DSS})）：最大值为40V，这决定了该MOSFET能够承受的最大漏源电压。
   • 栅源电压（(V_{GS})）：范围为±20V，超出此范围可能会对器件造成损坏。
2. 电流参数
   • 连续漏极电流（(I{D})）：在不同温度下有不同的值。在(T{C}=25^{circ}C)时，稳态电流为70A；当(T{C}=100^{circ}C)时，电流降为49A。在(T{A}=25^{circ}C)时，(I{D})为17.6A；(T{A}=100^{circ}C)时，为12.5A。
   • 脉冲漏极电流（(I{DM})）：在(T{A}=25^{circ}C)，脉冲宽度(t_{p}=10mu s)时，可达298A。
   • 源极电流（体二极管）（(I_{S})）：为41.7A。
3. 功率参数
   • 功率耗散（(P{D})）：在(T{C}=25^{circ}C)时，稳态功率耗散为50W；(T{C}=100^{circ}C)时，降为25W。在(T{A}=25^{circ}C)时，功率耗散为3.2W；(T_{A}=100^{circ}C)时，为1.6W。
4. 温度参数
   • 工作结温和存储温度范围（(T{J}, T{stg})）：为 - 55°C至 + 175°C。
   • 焊接用引脚温度（(T_{L})）：在距离外壳1/8″处，10s内可达260°C。

（二）热阻参数

• 结到外壳的稳态热阻（(R_{JC})）：为3°C/W。
• 结到环境的稳态热阻（(R_{JA})）：为47°C/W。需要注意的是，整个应用环境会影响热阻值，这些值并非恒定不变，仅在特定条件下有效，例如表面安装在使用(650mm^{2})、2oz.铜焊盘的FR4板上。

三、电气特性

（一）关断特性

• 漏源击穿电压（(V{(BR)DSS})）：在(V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A)时，典型值为40V。
• 漏源击穿电压温度系数：为23mV/°C。
• 零栅压漏极电流（(I{DSS})）：在(V{GS}=0V)，(T = 25^{circ}C)，(V_{DS}=40V)时，最大值为10(mu A)；在(T = 125^{circ}C)时，最大值为100(mu A)。
• 栅源泄漏电流（(I{GSS})）：在(V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V)时，最大值为100nA。

（二）导通特性

• 栅极阈值电压（(V{GS(TH)})）：在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250mu A)时，范围为2.5V至3.5V。
• 阈值温度系数（(V_{GS(TH)TJ})）：为 - 6.5mV/°C。
• 漏源导通电阻（(R{DS(on)})）：在(V{GS}=10V)，(I_{D}=25A)时，典型值为4.5mΩ，最大值为5.4mΩ。

（三）电荷、电容及栅极电阻特性

• 输入电容（(C{ISS})）：在(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V_{DS}=25V)时，最大值为1020pF。
• 输出电容（(C_{OSS})）：典型值为550pF。
• 反向传输电容（(C_{RSS})）：典型值为21pF。
• 总栅极电荷（(Q{G(TOT)})）：在(V{GS}=10V)，(V{DS}=32V)，(I{D}=25A)时，典型值为16nC。
• 阈值栅极电荷（(Q_{G(TH)})）：典型值为3.0nC。
• 栅源电荷（(Q_{GS})）：典型值为5.0nC。
• 栅漏电荷（(Q_{GD})）：典型值为2.8nC。
• 平台电压（(V_{GP})）：典型值为4.8V。

（四）开关特性

• 导通延迟时间（(t{d(ON)})）：在(V{GS}=10V)，(V{DS}=32V)，(I{D}=25A)，(R_{G}=1.0Omega)时，典型值为12ns。
• 上升时间（(t_{r})）：典型值为30ns。
• 关断延迟时间（(t_{d(OFF)})）：典型值为26ns。
• 下降时间（(t_{f})）：典型值为10ns。

（五）漏源二极管特性

• 正向二极管电压（(V{SD})）：在(V{GS}=0V)，(I_{S}=25A)时，(T = 25^{circ}C)时，典型值为0.86V，最大值为1.2V；(T = 125^{circ}C)时，典型值为0.75V。
• 反向恢复时间（(t{RR})）：在(V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/mu s)，(I{S}=25A)时，典型值为29ns。
• 充电时间（(t_{a})）：典型值为14ns。
• 放电时间（(t_{b})）：典型值为14ns。
• 反向恢复电荷（(Q_{RR})）：典型值为12nC。

四、典型特性

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间关系以及热响应等。这些曲线能帮助工程师更好地了解该MOSFET在不同工作条件下的性能表现。

五、订购信息

该产品有两种型号可供选择：

• NVMFD5C462NT1G：标记为5C462N，采用DFN8（无铅）封装，每盘1500个。
• NVMFD5C462NWFT1G：标记为462NWF，采用DFN8（无铅、可焊侧翼）封装，每盘1500个。

六、机械尺寸

产品采用DFN8 5x6，1.27P双引脚（SO8FL - 双）封装，文档给出了详细的机械尺寸图和各尺寸的具体范围，同时对尺寸标注和公差等方面也有明确说明。

在实际设计中，电子工程师需要根据具体的应用场景和需求，综合考虑NVMFD5C462N的各项参数和特性，以确保其能在电路中稳定、高效地工作。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。