电子说
在电子设计领域,电容检测技术在众多应用场景中发挥着关键作用。今天要介绍的QT301电容至模拟转换器(CAC),凭借其独特的技术特点和广泛的应用范围,成为电子工程师们关注的焦点。
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QT301是一款数字突发模式电荷转移(QT)电容至模拟转换器,具备PWM输出,分辨率为8位。它专为液位传感和距离测量等应用而设计,其独特的内部EEPROM可存储两个校准点,为精确测量提供了基础。
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引脚 | 名称 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 1 | SYNC | 同步输入 | |
| 2 | CAL_DN | 下限校准输入 | |
| 3 | SNS1 | 传感1线(连接电极) | |
| 4 | VSS | 负电源(接地) | |
| 5 | SNS2 | 传感2线 | |
| 6 | PWM | PWM输出 | |
| 7 | CAL_UP | 上限校准输入 | |
| 8 | VDD | 正电源 |
在基本电路中,C1建议为100nF,R1、R2和R3建议为10K。若不使用同步功能,R1可连接到VDD或VSS。采样电容Cs推荐范围为1nF至500nF,具体取值取决于所需灵敏度,使用NPO或PPS电容效果更佳。Rs的计算公式为[R s QT301有200ms的上电延迟,在此期间不采集信号或生成PWM结果,同时忽略校准输入,有效防止了启动时Vdd上的信号噪声导致的错误校准。 信号值直接取决于Cs和Cx,Cs为固定采样电容,Cx为未知电容。这两个值对设备的灵敏度、分辨率和响应时间有重要影响,同时电极的尺寸、形状、成分,电极上的电介质覆盖层的成分和厚度,被感测物体的成分和外观,以及电极与被感测物体之间的相互耦合程度,也会影响灵敏度和分辨率。 突发长度计算公式为[B L=frac{k}{ln left(frac{C s}{C s+C x}right)}],其中‘k’为常数,典型值为 -0.51(不同设备可能略有差异)。响应呈对数曲线,Cs每增加一倍,信号电平及差分灵敏度提高一倍;Cx增加一倍,信号电平和差分灵敏度降低一半。 突发可以与外部噪声源(如市电频率)同步,以抑制此类源耦合的干扰影响。同步信号在上升沿触发突发,有100ms的同步超时时间。若同步脉冲停止超过100ms,设备将恢复默认采集速率。 PWM输出为100KHz ±7%的方波,可通过简单的RC电路进行滤波,或直接输入到能够以足够分辨率测量其占空比的定时器电路中。使用RC电路时,电阻应至少为10K欧姆,以减少引脚负载误差。PWM占空比定义为[D{P W M}=frac{T{P W M _h i g h}}{T{P W M{-} Period }}],为缓冲输出电压,可在滤波器输出端添加电压跟随电路。 校准引脚用于触发上限(最大Cx)或下限(最小Cx)电容端点的校准过程。需通过下拉电阻将引脚拉低以防止损坏。校准端点时,使用MOSFET或微控制器的开源输出将相应CAL引脚拉高至少2.5ms(建议3ms),然后释放引脚使其浮空。QT301会在2.5ms后继续保持引脚高电平,校准完成后释放引脚使其浮空。校准需要15个采集突发样本完成,新的校准数据存储在内部EEPROM中。 电荷采样电容Cs可选用塑料薄膜或中低K陶瓷电容,范围为1nF至500nF,具体取决于所需灵敏度。较大的Cs值需要更高的稳定性以确保可靠传感,推荐使用塑料薄膜(特别是PPS薄膜)和NP0/C0G陶瓷电容,X7R陶瓷电容也可使用,但温度稳定性较差。 QT301使用电源作为参考电压,VDD的变化会影响PWM电平。设计电源时需确保其无尖峰、凹陷和浪涌,可使用常规的78L05型稳压器或3V至5V的三端LDO器件进行本地稳压。VDD和VSS之间需使用0.1µF或更大的旁路电容,并靠近器件引脚放置。PCB应在IC下方和周围设置铜浇铸层,但SNS引脚或线路下方不宜大面积设置。 当电极置于电介质面板后面时,IC可免受直接静电放电影响,但仍可能通过感应或极端情况下的电介质击穿引入瞬态电流。设备的SNS引脚有二极管保护,可吸收大部分感应放电(高达20mA)。在极端情况下,可在电极串联电阻辅助ESD消散,但需注意电阻值和电容值的选择,避免影响灵敏度。不建议在传感引线上直接放置半导体瞬态保护器件或MOV,以免引入非线性寄生电容影响传感结果。 为提高电路对强RF干扰的抵抗力,需遵循以下设计规则: QT301适用于多种应用,如液位传感器、湿度检测、接近传感器、位置传感、换能器驱动和材料传感器等。其高精度的电容检测能力和灵活的校准方式,为这些应用提供了可靠的解决方案。 在实际设计中,你是否遇到过类似电容检测电路的挑战?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。二、信号采集
2.1 上电延迟
2.2 突发特性
2.3 Cs / Cx依赖关系
2.4 突发长度
2.5 同步输入
三、PWM输出
四、校准
4.1 校准引脚
4.2 校准过程
五、电路设计指南
5.1 采样电容
5.2 电源和PCB布局
5.3 ESD保护
5.4 RF抗扰性
六、电气规格
6.1 绝对最大规格
参数
规格
工作温度
由后缀指定
存储温度
-65°C至 +125°C
Vdd
-0.5至 +6V
最大连续引脚电流(任何控制或驱动引脚)
+40mA
任何引脚接地短路持续时间
无限
任何引脚施加的电压
-1V至 (VDD + 0.5)V
6.2 推荐工作条件
参数
规格
Vdd
+3至 5V
短期电源纹波 + 噪声
±5mV
长期电源稳定性
±100mV
Cs值
1至 500pF
Cx值
0至 500pF
6.3 一般规格
参数
描述
最小值
典型值
最大值
单位
备注
Ewc
EEPROM写入周期
100,000
TPU
上电时间
200
ms
Csns
传感器引脚内部电容
11
pF
K
突发长度系数
-0.51
6.4 交流规格
参数
描述
最小值
典型值
最大值
单位
备注
TPC
电荷/转移时间
1
1.25
1.5
µs
电压和温度范围内 ±10%
Fc
突发中心频率
265
kHz
Fp
突发频率调制
±7
%
TBD
突发长度
16
ms
TBS
突发间隔
TBD + 2.5
TBD + 100
ms
FPWM
PWM频率
100
kHz
TCPD
校准脉冲持续时间
2.5
ms
TCD
校准持续时间
15 x TBS
ms
6.5 直流规格
参数
描述
最小值
典型值
最大值
单位
备注
IDO
电源电流
5
mA
@5V
IDO
电源电流
2.9
mA
@3.3V
VIL
输入低电压
0.3 VDD
V
VDD = 3至 5.5V
VIH
输入高电压
0.6 VDD
V
VDD = 3至 5.5V
VOL
低输出电压
0.5
V
10L = 6mA
VOH
高输出电压
VDD - 0.7
V
10H = -1.5mA
AR
采集分辨率
11
bits
S
每比特分辨率
8
fF
七、应用场景
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