探索 onsemi NVMFWS0D5N04XM 功率 MOSFET 的卓越性能

在电子工程师的日常设计工作中，功率 MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天，我们就来深入了解 onsemi 推出的 NVMFWS0D5N04XM 这款单 N 沟道、标准栅极的功率 MOSFET。

文件下载：NVMFWS0D5N04XM-D.PDF

核心特性

低损耗优势

NVMFWS0D5N04XM 具有极低的导通电阻 (R_{DS(on)})，这一特性能够有效降低导通损耗，提高系统的效率。同时，其低电容设计可以最大程度减少驱动损耗，使得在实际应用中能够更加节能。

紧凑设计

该 MOSFET 采用了 5 x 6 mm 的小尺寸封装，这种紧凑的设计在节省电路板空间的同时，也为设计人员提供了更多的布局选择。

汽车级标准

产品通过了 AEC - Q101 认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力，这意味着它能够满足汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。此外，它还符合 Pb - Free、Halogen Free/BFR Free 以及 RoHS 标准，体现了环保理念。

应用领域

这款 MOSFET 适用于多种应用场景，包括电机驱动、电池保护以及同步整流等。在电机驱动中，它能够高效地控制电机的运行；在电池保护方面，可以防止电池过充、过放等情况的发生；而在同步整流应用中，能够提高电源转换效率。

关键参数

最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	40	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_C = 25°C)）	(I_D)	414	A
连续漏极电流（(T_C = 100°C)）	(I_D)	293	A
功率耗散（(T_C = 25°C)）	(P_D)	163	W
脉冲漏极电流（(t_p = 10 s)，(T_C = 25°C)）	(I_{DM})	900	A
脉冲源极电流（体二极管）	(I_{SM})	900	A
工作结温和存储温度范围	(TJ)，(T{STG})	- 55 至 +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_S)	251	A
单脉冲雪崩能量（(I_{PK} = 28.2 A)）	(E_{AS})	1434	mJ
焊接用引脚温度（距外壳 1/8″，10 s）	(T_L)	260	°C

电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 在 (V{GS} = 0 V)，(I_D = 1 mA)，(TJ = 25°C) 时为 40 V，其温度系数为 15 mV/°C。零栅压漏电流 (I{DSS}) 在 (V_{DS} = 40 V)，(T_J = 25°C) 时为 1 μA，在 (TJ = 125°C) 时为 60 μA。栅源泄漏电流 (I{GSS}) 在 (V{GS} = 20 V)，(V{DS} = 0 V) 时为 100 nA。
• 导通特性：栅极阈值电压 (V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V_{DS})，(I_D = 240 μA)，(T_J = 25°C) 时，最小值为 2.5 V，典型值为 3.0 V，最大值为 3.5 V，其温度系数为 - 7.21 mV/°C。
• 电荷、电容及栅极电阻：输入电容 (C{Iss}) 在 (V{DS} = 25 V)，(V{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz) 时为 6232 pF；输出电容 (C{oss}) 为 3987 pF；反向传输电容 (C{rss}) 为 53.9 pF。总栅极电荷 (Q{G(TOT)}) 在 (V_{DD} = 32 V)，(ID = 50 A)，(V{GS} = 6 V) 时为 60.5 nC，在 (V_{GS} = 10 V) 时为 97.9 nC。栅极电阻 (R_G) 在 (f = 1 MHz) 时为 0.47 Ω。
• 开关特性：导通延迟时间 (t_{d(ON)}) 为 8.64 ns，上升时间 (tr) 为 7.02 ns，关断延迟时间 (t{d(OFF)}) 为 13.7 ns，下降时间 (t_f) 为 6.85 ns。
• 源漏二极管特性：正向二极管电压 (V_{SD}) 在 (IS = 50 A)，(V{GS} = 0 V)，(T_J = 25°C) 时为 0.8 - 1.2 V，在 (TJ = 125°C) 时为 0.65 V。反向恢复时间 (t{RR}) 为 101 ns，电荷时间 (t_a) 为 56.9 ns，放电时间 (tb) 为 44.8 ns，反向恢复电荷 (Q{RR}) 为 286 nC。

热特性

热阻为 0.92 °C/W，不过需要注意的是，整个应用环境会对热阻产生影响，这些热阻数值并非恒定不变，仅在特定条件下有效，例如表面安装在使用 (650 mm^2) 焊盘、2 oz 铜焊盘的 FR4 板上。

典型特性

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅极电压关系、导通电阻与漏极电流关系、归一化导通电阻与结温关系、漏极泄漏电流与漏源电压关系、电容特性、栅极电荷特性、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向特性、最大额定正向偏置安全工作区、雪崩时的峰值电流与时间关系、栅极阈值电压与结温关系以及热特性等。这些特性曲线能够帮助工程师更好地了解该 MOSFET 在不同工作条件下的性能表现。

订购信息

器件型号	标记	封装	包装方式
NVMFWS0D5N04XMT1G	0D5N4W	DFNW5（无铅）	1500 / 卷带包装

对于卷带规格的详细信息，包括零件方向和带尺寸等，可参考《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。

机械尺寸

该 MOSFET 采用 DFNW5 5x6、全切割 SO8FL WF 封装，文档中给出了详细的机械尺寸图和相关数据，这对于 PCB 设计时的布局和焊接非常重要。

在实际设计中，工程师们需要根据具体的应用场景和需求，综合考虑这些参数和特性，以确保 NVMFWS0D5N04XM 能够在系统中发挥最佳性能。大家在使用这款 MOSFET 时，有没有遇到过一些特殊的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。