安森美NVMFS6H836NL：高性能N沟道MOSFET的卓越之选

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是不可或缺的关键元件。今天，我们就来深入探讨安森美（onsemi）推出的一款高性能N沟道MOSFET——NVMFS6H836NL。

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产品概述

NVMFS6H836NL是一款耐压80V、导通电阻低至6.2mΩ、连续电流可达77A的单N沟道功率MOSFET。它采用了5x6mm的小尺寸封装，非常适合紧凑设计的应用场景。同时，该产品具备低导通电阻、低栅极电荷和电容等特点，能有效降低传导损耗和驱动损耗。此外，还有NVMFS6H836NLWF版本提供可焊侧翼选项，便于进行光学检测。并且，该产品通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力，符合无铅、无卤和RoHS标准。

关键参数与特性

1. 最大额定值

在(T_{J}=25^{circ}C)的条件下，该MOSFET的各项最大额定值如下：

• 漏源电压(V_{DSS})为80V。
• 栅源电压(V_{GS})为±20V。
• 连续漏极电流在不同条件下有所不同，如(T{C}=25^{circ}C)时为77A，(T{C}=100^{circ}C)时为55A；(T{A}=25^{circ}C)时为16A，(T{A}=100^{circ}C)时为11A。
• 脉冲漏极电流(I{DM})在(T{A}=25^{circ}C)、脉冲宽度(t_{p}=10mu s)时为449A。
• 工作结温和存储温度范围为 - 55°C至175°C。

2. 电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压(V{(BR)DSS})在(V{GS}=0V)、(I{D}=250mu A)时为80V，其温度系数为46.2mV/°C；零栅压漏极电流(I{DSS})在(V{GS}=0V)、(V{DS}=80V)、(T{J}=25^{circ}C)时为10(mu A)，(T{J}=125^{circ}C)时为100(mu A)；栅源漏电流(I{GSS})在(V{DS}=0V)、(V_{GS}=±20V)时为±100nA。
• 导通特性：栅极阈值电压(V{GS(TH)})在(V{GS}=V{DS})、(I{D}=95mu A)时为1.2 - 2.0V，阈值温度系数为 - 5.2mV/°C；漏源导通电阻(R{DS(on)})在(V{GS}=10V)、(I{D}=15A)时为5.1 - 6.2mΩ，(V{GS}=4.5V)、(I{D}=15A)时为6.2 - 7.8mΩ；正向跨导(g{FS})在(V{DS}=8V)、(I{D}=40A)时为99S。
• 电荷、电容与栅极电阻特性：输入电容(C{ISS})在(V{GS}=0V)、(f = 1MHz)、(V{DS}=40V)时为1950pF；输出电容(C{OSS})为250pF；反向传输电容(C{RSS})为11pF；总栅极电荷(Q{G(TOT)})在(V{GS}=10V)、(V{DS}=40V)、(I_{D}=40A)时为34nC等。
• 开关特性：上升时间(t{r})、关断延迟时间(t{d(OFF)})、开通延迟时间(t{d(ON)})和下降时间(t{f})等在特定测试条件下有相应的值，且开关特性与工作结温无关。
• 漏源二极管特性：正向二极管电压(V{SD})在(V{GS}=0V)、(I{S}=15A)、(T{J}=25^{circ}C)时为0.8 - 1.2V，(T{J}=125^{circ}C)时为0.66V；反向恢复时间(t{RR})在(V{GS}=0V)、(dI{S}/dt = 100A/mu s)、(I_{S}=40A)时为42ns等。

3. 典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压和漏极电流的关系、导通电阻随温度的变化、漏源泄漏电流与电压的关系、电容变化、栅源与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向电压与电流的关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间的关系以及热响应等曲线。这些曲线能帮助工程师更直观地了解该MOSFET在不同工作条件下的性能表现。

封装与订购信息

1. 封装形式

该产品有两种封装形式：

• DFN5（SO - 8FL），即CASE 488AA STYLE 1封装。
• DFNW5（FULL - CUT SO8FL WF），即CASE 507BA封装，DFNW5版本具备可焊侧翼设计，有助于在安装过程中引脚形成焊角。

2. 订购信息

器件型号	标记	封装	包装方式
NVMFS6H836NLT1G	6H836L	DFN5（无铅、无卤）	1500 / 卷带包装
NVMFS6H836NLWFT1G	836LWF	DFNW5（无铅、无卤、可焊侧翼）	1500 / 卷带包装

应用注意事项

在使用NVMFS6H836NL进行设计时，要注意以下几点：

• 最大额定值：应力超过最大额定值表中所列的值可能会损坏器件，若超出这些限制，不能保证器件的功能正常，可能会造成损坏并影响可靠性。
• 热阻：热阻值受整个应用环境的影响，并非恒定值，仅在特定条件下有效，该产品是在FR4板上使用(650mm^{2})、2oz铜焊盘进行表面贴装时的热阻数据。
• 脉冲电流：长达1秒的脉冲最大电流更高，但取决于脉冲持续时间和占空比。

安森美NVMFS6H836NL凭借其出色的性能和丰富的特性，在众多功率MOSFET产品中脱颖而出。电子工程师在进行相关设计时，可以根据具体的应用需求，综合考虑其各项参数和特性，充分发挥该MOSFET的优势。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享交流。