深入剖析 NTTFS080N10G 单通道 N 沟道功率 MOSFET

在电子设计领域，功率 MOSFET 是不可或缺的关键元件，广泛应用于各种电源管理和开关电路中。今天，我们将深入探讨安森美（onsemi）的 NTTFS080N10G 单通道 N 沟道功率 MOSFET，了解其特性、参数及典型应用。

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产品概述

安森美（原 ON Semiconductor）推出的 NTTFS080N10G 是一款 100V、72mΩ、16A 的单通道 N 沟道功率 MOSFET。它采用小型封装（3.3 x 3.3 mm），非常适合紧凑型设计。同时，该器件符合 RoHS 标准，无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，环保性能出色。

产品特性

线性模式操作优势

该 MOSFET 具有宽安全工作区（SOA），适用于线性模式操作。这意味着它在处理复杂的电路环境时，能够稳定地工作，为电路的可靠性提供了保障。

低导通电阻

低 (R_{DS(on)}) 特性可有效降低导通损耗，提高能源效率。在实际应用中，这有助于减少发热，延长设备的使用寿命，同时也能降低整体功耗。

高抗雪崩能力

具备高峰值非钳位感性开关（UIS）电流能力，增强了器件的坚固性。在面对感性负载的开关操作时，能够承受较大的电流冲击，不易损坏。

小型封装设计

3.3 x 3.3 mm 的小尺寸封装，为紧凑型设计提供了可能。在空间有限的电路板上，能够更灵活地布局，满足各种小型化设备的需求。

典型应用

NTTFS080N10G 适用于多种应用场景，如 48V 热插拔系统、负载开关、软启动和电子保险丝等。这些应用场景对 MOSFET 的性能要求较高，而 NTTFS080N10G 的特性正好能够满足这些需求。

关键参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	100	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_C = 25^{circ}C)）	(I_D)	16	A
连续漏极电流（(T_C = 100^{circ}C)）	(I_D)	11	A
功率耗散（(T_C = 25^{circ}C)）	(P_D)	39	W
功率耗散（(T_C = 100^{circ}C)）	(P_D)	19	W
脉冲漏极电流（(T_A = 25^{circ}C)，(t_p = 10mu s)）	(I_{DM})	125	A
工作结温和存储温度范围	(TJ)，(T{stg})	-55 至 +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_S)	32	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 5.2A)，(L = 3mH)）	(E_{AS})	40	mJ
引脚焊接温度（距外壳 1/8″，10s）	(T_L)	260	°C

热阻额定值

参数	符号	值	单位
结到壳热阻（稳态）	(R_{JC})	3.8	°C/W
结到环境热阻（稳态）	(R_{JA})	60	°C/W

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS} = 0V)，(I_D = 250mu A) 时，最小值为 100V。
• 漏源击穿电压温度系数：(87.6mV/^{circ}C)。
• 零栅压漏极电流 (I{DSS})：在 (V{GS} = 0V)，(V_{DS} = 80V) 时，(T_J = 25^{circ}C) 为 1(mu A)，(T_J = 150^{circ}C) 为 100(mu A)。
• 栅源泄漏电流 (I{GSS})：在 (V{DS} = 0V)，(V_{GS} = ±20V) 时，为 ±100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压 (V{GS(TH)})：在 (V{GS} = V_{DS})，(I_D = 22A) 时，范围为 2.0 - 4.0V。
• 栅极阈值电压温度系数：(-9.37mV/^{circ}C)。
• 漏源导通电阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS} = 10V)，(I_D = 4A) 时，范围为 60 - 72mΩ。
• 正向跨导 (g{FS})：在 (V{DS} = 5V)，(I_D = 4A) 时，为 6S。
• 栅极电阻 (R_G)：在 (T_A = 25^{circ}C) 时，为 0.53Ω。

电荷和电容特性

• 输入电容 (C{iss})：在 (V{GS} = 0V)，(f = 1MHz)，(V_{DS} = 50V) 时，为 560.5pF。
• 输出电容 (C_{oss})：为 64pF。
• 反向传输电容 (C_{rss})：为 9pF。
• 总栅极电荷 (Q{G(TOT)})：在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 50V)，(I_D = 4A) 时，为 8.6nC。
• 阈值栅极电荷 (Q_{G(TH)})：为 1.7nC。
• 栅源电荷 (Q_{GS})：为 3.2nC。
• 栅漏电荷 (Q_{GD})：为 2nC。
• 输出电荷 (Q{OSS})：在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 50V) 时，为 6.1nC。

开关特性

• 开启延迟时间 (t{d(on)})：在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 50V)，(I_D = 4A)，(R_G = 4.7Ω) 时，为 8.4ns。
• 上升时间 (t_r)：为 3ns。
• 关断延迟时间 (t_{d(off)})：为 11.9ns。
• 下降时间 (t_f)：为 2.8ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压 (V{SD})：在 (V{GS} = 0V)，(I_S = 4A) 时，(T_J = 25^{circ}C) 为 0.83 - 1.2V，(T_J = 125^{circ}C) 为 0.70V。
• 反向恢复时间 (t{RR})：在 (V{GS} = 0V)，(dI_S/dt = 300A/mu s)，(I_S = 2A) 时，为 17ns；在 (dI_S/dt = 1000A/mu s)，(I_S = 2A) 时，为 14ns。
• 反向恢复电荷 (Q_{RR})：在 (dI_S/dt = 300A/mu s)，(I_S = 2A) 时，为 37nC；在 (dI_S/dt = 1000A/mu s)，(I_S = 2A) 时，为 60.5nC。

典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压和漏极电流的关系、导通电阻随温度的变化、漏源泄漏电流与电压的关系、电容变化、栅源电压与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向电压与电流的关系、最大额定正向偏置安全工作区以及最大漏极电流与雪崩时间的关系等。这些曲线能够帮助工程师更好地理解器件的性能，在实际设计中做出更合理的选择。

订购信息

器件	标记	封装	包装
NTTFS080N10G	80NG	u8FL（无铅）	1500 / 卷带

如需了解卷带规格，包括零件方向和卷带尺寸，请参考安森美的卷带包装规格手册 BRD8011/D。

总结

NTTFS080N10G 单通道 N 沟道功率 MOSFET 凭借其优异的特性和丰富的参数，为电子工程师在设计电源管理和开关电路时提供了一个可靠的选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求，结合器件的参数和特性曲线，合理选择和使用该器件，以确保电路的性能和可靠性。大家在使用这款 MOSFET 时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享交流。