深入解析onsemi NTTFD018N08LC双N沟道MOSFET

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天我们就来详细探讨一下onsemi推出的NTTFD018N08LC双N沟道MOSFET。

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一、产品概述

NTTFD018N08LC是一款集成了两个专门的N沟道MOSFET的双封装器件。其内部连接了开关节点，这一设计极大地方便了同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q2）和同步MOSFET（Q1）经过精心设计，能够提供最佳的功率效率。

二、产品特性

低导通电阻

Q1和Q2在不同的栅源电压和漏极电流条件下，都具有较低的导通电阻。例如，在$V{GS}=10V$，$I{D}=7.8A$时，最大$r{DS(on)}$为18mΩ；在$V{GS}=4.5V$，$I{D}=6.2A$时，最大$r{DS(on)}$为29mΩ。低导通电阻有助于降低导通损耗，提高功率转换效率。

低电感封装

该产品采用低电感封装，能够有效缩短上升/下降时间，从而降低开关损耗。这对于高频开关应用来说尤为重要，可以减少能量损耗，提高系统的整体效率。

RoHS合规

符合RoHS标准，意味着该产品在环保方面符合相关要求，减少了对环境的影响，同时也满足了一些对环保有严格要求的应用场景。

三、典型应用

48V输入初级半桥

在48V输入的初级半桥电路中，NTTFD018N08LC能够发挥其低导通电阻和低开关损耗的优势，提高电路的效率和稳定性。

通信领域

在通信设备中，对电源的效率和稳定性要求较高。该MOSFET可以用于通信设备的电源模块，为设备提供稳定可靠的电源供应。

通用负载点应用

适用于各种通用负载点应用，为不同的负载提供合适的功率支持。

四、电气参数

最大额定值

参数	Q1	Q2	单位
$V_{DS}$（漏源电压）	80	80	V
$V_{GS}$（栅源电压）	±20	±20	V
$I_{D}$（漏极电流）	连续（$T_{C}=25^{circ}C$）	26	26	A
	连续（$T_{C}=100^{circ}C$）	16	16	A
	连续（$T_{A}=25^{circ}C$）	6（注1a）	6（注1b）	A
	脉冲（$T_{A}=25^{circ}C$）	349	349	A
$E_{AS}$（单脉冲雪崩能量）	32	32	mJ
$P_{D}$（功率耗散）	单操作（$T_{C}=25^{circ}C$）	26	26	W
	单操作（$T_{A}=25^{circ}C$）	1.7（注1a）	1.7（注1b）	W
$I_{S}$（源极电流）	21	21	A
$T{J}$，$T{STG}$（工作和存储结温范围）	-55至+150		°C
$T_{L}$（焊接时引脚温度）	260	260	°C

电气特性

关断特性

• $B{V{DSS}}$：在$I{D}=250mu A$，$V{GS}=0V$时，Q1的$B{V{DSS}}$为80V。
• 零栅压漏极电流：在$V{DS}=64V$，$V{GS}=0V$时，最大值为1μA。
• $I_{GSS}$：最大值为±100μA。

导通特性

• $V{GS(th)}$（栅源阈值电压）：在$V{GS}=V{DS}$，$I{D}=44A$时，Q1和Q2的典型值为1.5V，最小值为1.0V，最大值为2.5V。
• $r{DS(on)}$（漏源导通电阻）：在$V{GS}=10V$，$I{D}=7.8A$时，典型值为15mΩ，最大值为18mΩ；在$V{GS}=4.5V$，$I_{D}=6.2A$时，典型值为22mΩ，最大值为29mΩ。

动态特性

• 输入电容$C{ISS}$：Q1和Q2在$V{DS}=40V$，$V_{GS}=0V$，$f = 1MHz$时，典型值为856pF。
• 输出电容$C_{OSS}$：Q1和Q2在上述条件下，典型值为230pF。
• 反向传输电容$C_{RSS}$：Q1和Q2的典型值为10pF。
• 栅极电阻$R{G}$：Q1和Q2在$T{A}=25^{circ}C$时，典型值为0.5Ω。

开关特性

• 开启延迟时间$t{d(ON)}$：在$V{DD}=40V$，$V{GS}=4.5V$，$I{D}=6.2A$，$R_{GEN}=6Ω$时，Q1和Q2的典型值为9.4ns。
• 上升时间$t_{r}$：典型值为5.8ns。
• 关断延迟时间$t_{D(OFF)}$：典型值为14.6ns。
• 下降时间$t_{f}$：典型值为5.5ns。
• 总栅极电荷$Q{g}$：在$V{GS}=0V$到10V时，Q1和Q2的典型值为12.4nC；在$V_{GS}=0V$到4.5V时，典型值为6.0nC。

漏源二极管特性

• 源漏二极管正向电压$V{SD}$：在$V{GS}=0V$，$I_{S}=7.8A$时，典型值为0.82V，最大值为1.5V。
• 反向恢复时间$t{rr}$：在$I{F}=7.8A$，$di/dt = 300A/s$时，典型值为13.3ns；在$I_{F}=7.8A$，$di/dt = 1000A/s$时，典型值为10.3ns。
• 反向恢复电荷$Q_{rr}$：在上述条件下，分别为18.1nC和51nC。

五、热特性

参数	Q1	Q2	单位
$R_{JC}$（结到壳热阻）	4.8	4.8	°C/W
$R_{JA}$（结到环境热阻）	70（注1a）	70（注1b）	°C/W
	135（注1c）	135（注1c）	°C/W

热特性对于MOSFET的性能和可靠性至关重要。合适的热阻能够确保MOSFET在工作过程中产生的热量及时散发出去，避免因过热而损坏。

六、封装与标识

封装

采用Power Clip 33对称（WQFN12）封装，这种封装具有良好的电气和热性能，适合高密度集成应用。

标识

标识为D018 AYWWZZ，其中D018为特定器件代码，A为组装工厂代码，Y为数字年份代码，WW为工作周代码，ZZ为组装批次代码。

七、总结

onsemi的NTTFD018N08LC双N沟道MOSFET具有低导通电阻、低电感封装、RoHS合规等优点，适用于多种应用场景。在设计电路时，电子工程师需要根据具体的应用需求，合理选择MOSFET的参数，并注意其热特性和最大额定值，以确保电路的稳定性和可靠性。大家在实际应用中，是否遇到过MOSFET的散热问题呢？又是如何解决的呢？欢迎在评论区分享你的经验。