探索 onsemi NTMTSC1D6N10MC 单通道 N 沟道功率 MOSFET

在电子设计领域，功率 MOSFET 是不可或缺的元件，它的性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解 onsemi 推出的 NTMTSC1D6N10MC 单通道 N 沟道功率 MOSFET，看看它有哪些独特之处。

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产品概述

NTMTSC1D6N10MC 是 onsemi 生产的一款高性能单通道 N 沟道功率 MOSFET，具有 100V 的漏源击穿电压（V(BR)DSS），最大漏源导通电阻（RDS(ON)）为 1.7 mΩ（在 10V 栅源电压下），最大连续漏极电流（ID MAX）可达 267A。

产品特性

紧凑设计

该 MOSFET 采用了 8x8 mm 的小尺寸封装，非常适合对空间要求较高的紧凑型设计。这种小尺寸封装不仅节省了电路板空间，还能提高系统的集成度。

低导通损耗

低 RDS(ON) 特性使得 MOSFET 在导通状态下的电阻很小，从而有效降低了传导损耗，提高了电路的效率。这对于需要长时间运行的设备来说尤为重要，可以减少能量损耗，降低发热。

低驱动损耗

低 QG（栅极总电荷）和电容特性能够减少驱动损耗，降低对驱动电路的要求。这意味着在设计驱动电路时，可以选择更简单、成本更低的方案，同时也能提高整个系统的可靠性。

环保合规

该器件符合 Pb - Free 和 RoHS 标准，是一款环保型产品，满足了现代电子设备对环保的要求。

最大额定值

电压和电流额定值

• 漏源电压（Vpss）：100V
• 栅源电压（VGs）：+20V
• 连续漏极电流：在 Tc = 25°C 时为 267A，在 Tc = 100°C 时为 189A（ReJc 条件下）；在 TA = 25°C 时为 30A，在 TA = 100°C 时为 21A（RaJA 条件下）
• 脉冲漏极电流（IDM）：在 TA = 25°C，tp = 10s 时为 900A

功率和温度额定值

• 功率耗散：在 Tc = 25°C 时为 291W，在 Tc = 100°C 时为 145W（ReJc 条件下）；在 TA = 25°C 时为 3.9W，在 TA = 100°C 时为 1.9W（ReJA 条件下）
• 工作结温和存储温度范围：-55 至 +175°C

其他额定值

• 源极电流（体二极管）：243A
• 单脉冲漏源雪崩能量（L(pk) = 22.3A）：1550mJ
• 焊接用引脚温度（距外壳 1/8" 处，持续 10s）：260°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：100V
• 漏电流（loss）：在 VDS = 100V，TJ = 25°C 时为 μA 级；在 VDS = 0V，VGS = 20V 时为 nA 级

导通特性

• 正向跨导：在 VGS = 6V 时为 233
• 输入电容：在 VGS = 0V，f = 100KHz，VDS = 50V 时为 7630pF
• 反馈电容（CRSS）：80
• 总栅极电荷（QG(TOT)）：在 VGS = 10V，VDS = 50V，ID = 116A 时，栅源电荷（QGS）为 35，栅漏电荷（QGD）为 5

开关特性

• 导通延迟时间（td(ON)）、上升时间（tf）、关断延迟时间、下降时间等都有明确的参数。例如，在 ID = 116A，RG = 6Ω 条件下，关断延迟时间为 69，下降时间为 29。
• 正向二极管电压：在 TJ = 125°C 时有相应的值
• 反向恢复时间：在 VGS = 0V，dIS/dt = 100A/μs，Is = 58A 时为 82；在 VGS = 0V，dIS/dt = 1000A/μs 时，放电时间为 19

需要注意的是，产品的参数性能是在特定测试条件下给出的，如果在不同条件下运行，性能可能会有所不同。

典型特性

文档中给出了多个典型特性图，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间关系、结到环境瞬态热响应等。这些特性图可以帮助工程师更好地了解 MOSFET 在不同工作条件下的性能，从而进行更合理的设计。

封装和订购信息

封装

该 MOSFET 采用 TDFNW8 封装，尺寸为 8.30x8.40x0.92，引脚间距为 2.00P。文档中还给出了封装的详细尺寸图和推荐焊盘图案，方便工程师进行 PCB 设计。

订购信息

器件型号为 NTMTSC1D6N10MCTXG，标记为 1D6N10M，采用 TDFNW8（无铅）封装，每卷 3000 个。

总结

onsemi 的 NTMTSC1D6N10MC 单通道 N 沟道功率 MOSFET 具有小尺寸、低导通损耗、低驱动损耗等优点，适用于各种对空间和效率要求较高的电子设备。在使用时，工程师需要根据具体的应用场景，结合产品的最大额定值和电气特性，合理设计电路，以确保器件的正常运行和系统的稳定性。你在实际设计中有没有遇到过类似 MOSFET 的应用问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。