Onsemi NTMTS1D5N08MC：高性能N沟道MOSFET的卓越之选

在电子设计领域，MOSFET作为重要的功率器件，其性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入探讨Onsemi推出的NTMTS1D5N08MC这款N沟道MOSFET，看看它有哪些独特之处。

文件下载：NTMTS1D5N08MC-D.PDF

产品概述

NTMTS1D5N08MC是一款单N沟道功率MOSFET，适用于多种应用场景。它具有80V的耐压能力，在25°C时连续漏极电流可达287A，并且具备低导通电阻和低栅极电荷等特性，能够有效降低导通损耗和驱动损耗。

产品特性

紧凑设计

该MOSFET采用8x8 mm的小尺寸封装，非常适合对空间要求较高的紧凑型设计。在如今追求小型化、集成化的电子设备中，这种小尺寸封装能够帮助工程师更高效地利用电路板空间，实现产品的轻薄化设计。例如在一些便携式设备中，空间往往是非常宝贵的资源，NTMTS1D5N08MC的小尺寸封装就可以为其他组件留出更多的空间。

低导通电阻

其低(R{DS (on) })特性能够有效降低导通损耗，提高系统的效率。以电源工具为例，在高负载运行时，低导通电阻可以减少能量的损耗，延长电池的使用时间，同时也能降低发热，提高设备的可靠性。当(V{GS}= 10V)，(I{D} = 80 A)时，(R{DS (on) })典型值仅为1.10 mΩ，最大值为1.56 mΩ。

低栅极电荷和电容

低(Q_{G})和电容特性有助于减少驱动损耗，降低驱动电路的功耗。这对于需要频繁开关的应用场景尤为重要，能够提高开关速度，减少开关损耗，提升系统的整体性能。

环保特性

该器件符合无铅、无卤和RoHS标准，体现了Onsemi在环保方面的责任和承诺。在当今环保意识日益增强的背景下，这种环保特性使得产品更符合市场需求，也有助于企业满足相关的环保法规要求。

典型应用

NTMTS1D5N08MC适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 电动工具：在电动工具中，需要高功率输出和高效的能量转换，该MOSFET的低导通损耗和高电流承载能力能够满足电动工具的需求，提高工具的性能和可靠性。
• 电池驱动的真空吸尘器：对于电池驱动的设备，能量效率至关重要。低导通电阻和低驱动损耗可以延长电池的使用时间，提高吸尘器的续航能力。
• 无人机/无人机：无人机对重量和空间要求严格，同时需要高功率密度和快速的开关性能。NTMTS1D5N08MC的小尺寸封装和优异的电气性能能够满足无人机的需求。
• 电池管理系统（BMS）/储能：在BMS中，需要精确的电流控制和高效的能量转换，该MOSFET可以提供稳定的性能，确保电池的安全和高效运行。
• 智能家居自动化：智能家居设备通常需要低功耗和高集成度，NTMTS1D5N08MC可以帮助实现这些目标，提高智能家居系统的性能和可靠性。

电气特性

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	80	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_{C} = 25 °C)）	(I_{D})	287	A
稳态功率耗散（(T_{C} = 25 °C)）	(P_{D})	250	W
连续漏极电流（(T_{A} = 25 °C)）	(I_{D})	33	A
稳态功率耗散（(T_{A} = 25 °C)）	(P_{D})	3.3	W
脉冲漏极电流（(T{C} = 25 °C)，(t{p} = 10 μs)）	(I_{DM})	3500	A
工作结温和存储温度范围	(T{J})，(T{stg})	-55 至 +150	°C
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 31 A)，(L = 3 mH)）	(E_{AS})	1441	mJ
焊接用引线温度（距外壳1/8″，10 s）	(T_{L})	260	°C

电气特性参数

在(T_{J}=25^{circ} C)（除非另有说明）的条件下，该MOSFET的电气特性参数如下：

• 关断特性：
  • 漏源击穿电压(V{(BR)DSS})：(V{GS} = 0 V)，(I_{D} = 250 μA)时，最小值为80V。
  • 零栅压漏极电流(I{DSS})：(V{GS} = 0 V)，(V{DS} = 80 V)，(T{J} = 25 °C)时为1 μA；(T_{J} = 125 °C)时为250 μA。
  • 栅源泄漏电流(I{GSS})：(V{DS} = 0 V)，(V_{GS} = ±20 V)时为±100 nA。
• 导通特性：
  • 栅极阈值电压(V{GS(TH)})：(V{GS}=V{DS})，(I{D}=650 μA)时，典型值为2.0 - 3.0V，最大值为4.0V。
  • 负阈值温度系数(V{GS(TH)} / T{J})：(I_{D}=650 μA)，参考(25^{circ} C)时为 -8.3 mV/°C。
  • 漏源导通电阻(R{DS(on)})：(V{GS}= 10V)，(I{D} = 80 A)时，典型值为1.10 mΩ，最大值为1.56 mΩ；(V{GS}=6V)，(I_{D}=58 A)时，典型值为1.75 mΩ，最大值为4.0 mΩ。
  • 正向跨导(g{Fs})：(V{DS}=5V)，(I_{D}=80 A)时，典型值为219 S。
  • 栅极电阻(R{G})：(T{A}=25^{circ} C)时，典型值为0.9 Ω。
• 电荷、电容和栅极电阻：
  • 输入电容(C{ISS})：(V{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz)，(V_{DS} = 40 V)时，典型值为7420 pF，最大值为10400 pF。
  • 输出电容(C_{OSS})：典型值为2555 pF，最大值为3600 pF。
  • 反向传输电容(C_{RSS})：典型值为101 pF，最大值为175 pF。
  • 总栅极电荷(Q{G(TOT)})：(V{GS} = 10 V)，(V{DS} = 40 V)，(I{D} = 80 A)时，典型值为101 nC，最大值为140 nC。
• 开关特性（(V_{GS} = 10 V)）：
  • 开启延迟时间(t_{d(ON)})：典型值为30 ns。
  • 上升时间(t{r})：(V{Gs} = 10V)，(V{Ds} = 40 V)，(I{D} = 80 A)，(R_{G}=6 Ω)时，典型值为24 ns。
  • 关断延迟时间(t_{d(OFF)})：典型值为69 ns。
  • 下降时间(t_{f})：典型值为31 ns。
• 漏源二极管特性：
  • 正向二极管电压(V{SD})：(V{GS} = 0V)，(I{S}=2A)时，典型值为0.7 - 1.2V；(V{GS} = 0V)，(I_{S}=80 A)时，典型值为0.8 - 1.3V。
  • 反向恢复时间(t{rr})：(I{F}=40 A)，(di / dt=300 A / μs)时，典型值为39 - 62 ns；(I_{F}=40 A)，(di / dt=1000 A / μs)时，典型值为31 - 50 ns。
  • 反向恢复电荷(Q{rr})：(I{F}=40 A)，(di / dt=300 A / μs)时，典型值为89 - 142 nC；(I_{F}=40 A)，(di / dt=1000 A / μs)时，典型值为209 - 335 nC。

典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、非钳位电感开关能力、最大连续漏极电流与壳温的关系、正向偏置安全工作区、单脉冲最大功率耗散以及瞬态热阻抗等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解该MOSFET在不同工作条件下的性能表现，从而进行更优化的设计。

订购信息

该器件的订购信息如下：	器件型号	标记	封装	包装
NTMTS1D5N08MC	NTMTS 1D5N08MC	DFNW8（无铅）	3000 / 卷带包装

对于卷带规格的详细信息，可参考Onsemi的Tape and Reel Packaging Specifications Brochure（BRD8011/D）。

总结

Onsemi的NTMTS1D5N08MC N沟道MOSFET凭借其紧凑的设计、低导通电阻、低栅极电荷和电容等特性，以及广泛的应用场景和优异的电气性能，成为电子工程师在设计功率电路时的一个不错选择。在实际应用中，工程师可以根据具体的需求和工作条件，结合文档中的电气特性参数和典型特性曲线，进行合理的选型和设计，以实现系统的高效、稳定运行。大家在使用这款MOSFET的过程中，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。