电子说
在电子设备的设计中,电源供应是至关重要的一环。今天,我们将深入探讨一款基于InnoSwitch - EP INN2904K的17.5W双输出电源设计。这款电源具有高集成度、高效率和出色的性能,非常适合嵌入式电源应用。
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本设计采用InnoSwitch - EP系列的INN2904K芯片,具备900V额定MOSFET,能够实现12V、1.25A和5V、0.5A的双输出。该设计展示了高功率密度和高效率,同时还提供了卓越的性能。文档涵盖了电源规格、原理图、物料清单、变压器文档、印刷电路板布局和性能数据等内容。
| 输出参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 输出电压1 | 4.75 | 5 | 5.25 | V | ±5% |
| 输出纹波电压1 | - | 50 | - | mV | 20MHz带宽 |
| 输出电流1 | 0 | 0.5 | - | A | - |
| 输出电压2 | 10.2 | 12 | 13.8 | V | ±15%(在12V输出有0.1A最小负载时为±10%) |
| 输出纹波电压2 | - | 150 | - | mV | 20MHz带宽 |
| 输出电流2 | 0 | 1.25 | - | A | - |
保险丝F1用于隔离电路,防止组件故障。共模电感L1与电容C1、C2、C17和C18共同作用,对EMI进行衰减。桥式整流器BR1将交流市电整流为直流,电容C1和C2组成滤波电路。热敏电阻RT1作为浪涌电流限制器,与高额定正向浪涌电流的桥式整流器配合使用。
变压器初级的一侧连接到整流后的直流母线,另一侧连接到InnoSwitch - EP IC(U1)内部的900V功率MOSFET。由D1、R11、R12和C7组成的低成本RCD钳位电路,限制了由于变压器漏感和输出走线电感引起的漏极峰值电压。
IC具有自启动功能,当首次施加交流电源时,内部高压电流源为BPP引脚电容C8充电。正常工作时,初级侧模块由变压器的辅助绕组供电。辅助绕组输出经二极管D2整流和电容C6滤波后,通过限流电阻R9馈入BPP引脚。初级侧过压保护由齐纳二极管VR2和R28实现,当输出过压时,偏置绕组输出电压升高,使齐纳二极管VR2导通,触发InnoSwitch - EP IC初级侧控制器中的过压保护锁存器。
电阻R3、R4、R5、R10和R8用于检测线电压,并为U1提供与电容C1和C2两端直流电压成正比的电流。当直流电压约为78V时,这些电阻中的电流超过线欠压阈值,使U1启用;当直流电压约为700V时,电流超过线过压阈值,使U1禁用。
InnoSwitch - EP的次级侧提供输出电压和电流检测,并驱动MOSFET进行同步整流。
5V输出的整流由SR FET Q2完成,低ESR电容C21进行滤波,电感L3和电容C25组成二级滤波器,显著衰减5V输出的高频纹波和噪声。
12V输出的整流由SR FET Q1完成,低ESR电容C12进行滤波,电感L2和电容C26组成二级滤波器,衰减12V输出的高频纹波和噪声。电容C14和C23用于抑制高频开关纹波和辐射EMI。
由R25和C24(用于Q2)、R14和C10(用于Q1)组成的RC缓冲网络,抑制了由于变压器绕组漏感和次级走线电感引起的SR FET高频振铃。
在连续导通模式下,功率MOSFET在次级侧控制器命令初级侧进行新的开关周期之前关闭;在不连续模式下,当MOSFET两端电压降至阈值(VSR(TH))以下时关闭。次级侧对初级侧MOSFET的控制确保其不会与同步整流MOSFET同时导通,MOSFET驱动信号从SR/P引脚输出。
IC的次级侧可由次级绕组正向电压或输出电压供电。在恒压(CV)区域,输出电压通过内部调节器为设备供电,并为去耦电容C9充电;在启动和恒流(CC)区域,次级绕组正向电压通过R13为设备供电。当检测到输出电压低于3V时,设备进入自动重启模式。
电阻R16、R15和R23组成分压器网络,检测两个输出的电压,以实现更好的交叉调节。齐纳二极管VR1在仅5V输出有负载时改善交叉调节,使12V输出在规格上限运行。InnoSwitch - EP IC内部参考电压为1.265V。由电容C20、C15和电阻R24、R17组成的反馈补偿网络,降低输出纹波电压。电容C11用于去耦高频噪声,减少对电源运行的影响。总输出电流由R20和R21检测,阈值约为33mV,当超过该阈值时,设备调整开关脉冲数量以维持固定输出电流。
PCB铜厚为2oz(2.8mils / 70µm),除非另有说明。合理的PCB布局对于电源的性能和稳定性至关重要,它能够减少电磁干扰,提高电源的效率和可靠性。
文档详细列出了电源设计所需的各种组件,包括桥式整流器、电容、二极管、电阻、电感、MOSFET、变压器等,以及它们的型号、制造商和数量。准确的物料清单是确保电源设计成功的基础,选择合适的组件能够提高电源的性能和稳定性。
变压器的电气图展示了各个绕组的连接方式和匝数,包括初级绕组、偏置绕组、屏蔽绕组和两个次级绕组。
包括磁芯(RM8,PC95 TDK或DMR95 from DMEGC magnetics)、骨架(RM8,垂直,12引脚)、磁芯夹、漆包线(不同规格)、绝缘胶带(3M 1298聚酯薄膜)和清漆(Dolph BC - 359)等。
详细说明了变压器的绕制方式和绝缘处理,包括绕组的匝数、层数、绕线方向和绝缘胶带的使用等。合理的变压器设计和绕制工艺能够提高变压器的性能和效率,减少损耗和干扰。
展示了共模电感的绕组连接方式,两个绕组各55匝,采用#31 AWG漆包线。
包括铁氧体磁环(多种可选)、电缆扎带和#31 AWG重型尼龙漆包线。
详细说明了绕线的步骤,包括使用电缆扎带将磁环分成两部分,分别绕制两个绕组,并使用热胶或环氧树脂固定绕组。
提供了变压器设计的详细参数,包括输入电压范围、输出电压和电流、效率估计、开关频率、保护参数、偏置绕组参数、变压器磁芯和结构参数等。这些参数对于变压器的设计和优化非常重要,能够确保变压器的性能和可靠性。
展示了不同输入电压下的满载效率曲线,在110/230VAC、25°C环境下,满载效率达到86%。
在230VAC输入时,空载输入功率为280mW。
包括线电压调节(满载)和交叉负载调节,确保输出电压在不同输入电压和负载条件下的稳定性。
在85VAC和484VAC输入下,测试了电源的热性能,确保在不同环境条件下电源能够正常工作。
包括负载瞬态响应、开关波形、输出电压和电流波形、输出纹波测量等,这些波形能够直观地反映电源的性能和工作状态。
ESD防护能力为空气放电±16.5kV,接触放电±8kV;传导EMI符合CISPR22B / EN55022B标准,确保电源在电磁环境中的稳定性。
通过组合波差模测试和环形波共模测试,验证了电源在雷击浪涌情况下的可靠性。
综上所述,这款基于InnoSwitch - EP INN2904K的17.5W双输出电源设计具有高集成度、高效率、出色的性能和良好的稳定性。在实际应用中,工程师可以根据具体需求对设计进行优化和调整,以满足不同设备的电源需求。你在电源设计过程中遇到过哪些挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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