电子说
在电子设备的电源管理领域,一款优秀的PWM控制器至关重要。今天我们要深入探讨的是RENESAS的ISL6218单相位降压PWM控制器。它专为英特尔移动电压定位IMVP - IV™和IMVP - IV +™技术设计,能为笔记本电脑中的先进奔腾 - M微处理器提供精确的电压调节系统。
文件下载:ISL6218EVAL2.pdf
ISL6218集成了半桥栅极驱动器,具备输入电压前馈和平均电流模式控制,动态响应出色。它采用“无损”电流检测技术,利用MOSFET的rDS(ON)进行检测,不仅提高了效率,还减少了电路板面积,同时也支持用户选择离散精密电流检测电阻。
该控制器符合IMVP - IV规范,支持单相位功率转换。它拥有6位数字 - 模拟转换器(DAC),可将核心PWM输出电压从0.700V动态调整到1.708V,步长为16mV,完全符合英特尔IMVP - IV移动VID规范。此外,它还具备逻辑输入,可选择活动、深度睡眠和更深睡眠等工作模式。
ISL6218具备过压、欠压和过流保护功能。过压和欠压阈值分别为VID、深度或更深睡眠设定点的112%和84%,过流保护具有32个周期的过流关断功能。PGOOD信号可用于监控和保护微处理器及电源系统,在VID变化期间会被屏蔽。
用户可以轻松编程初始“启动”、深度睡眠和更深睡眠模式的电压设定点,还能选择250kHz至500kHz的开关频率,以满足不同应用的需求。
电池电压(VBAT)最大为+25V,Phase1和ISEN1最大为+28V,Boot1相对于Phase1最大为+6.5V,UGATE1的电压范围为(Phase1 - 0.3V)至(Boot1 + 0.3V),其他引脚的电压范围为 - 0.3V至(VDD + 0.3V)。
TSSOP封装的热阻典型值为72℃/W,QFN封装的热阻典型值为32℃/W,最大工作结温为+125℃,最大存储温度范围为 - 65℃至+150℃。
电源电压VDD、VDDP为+5V±5%,电池电压VBAT为+5.6V至21V,结温范围为 - 10℃至+125℃。
在VDD = 5V,TA = - 10℃至+85℃的条件下,输入电源电流I(VDD)在EN = 3.3V,DSEN = 0,DRSEN = 0时典型值为1.4mA;POR(上电复位)阈值在VDD上升时为4.39 - 4.5V,下降时为4.10 - 4.37V。系统精度在编程VID代码1.356时,系统偏差百分比为 - 0.8%至0.8%。
当连接到ISL6218 VDD引脚的+5VDC电源电压达到上电复位(POR)上升阈值时,PWM驱动信号处于“三态”或高阻抗模式,高低侧MOSFET均关闭。当电源电压超过POR上升阈值,且EN引脚为高电平时,控制器启动软启动间隔。若电源电压低于POR下降阈值,POR关断被触发,PWM输出再次进入“三态”。
当VDD超过POR上升阈值且EN引脚电压高于2.0V时,启动软启动间隔。EA +引脚的电压是调节器的参考电压,它等于SOFT引脚电压减去“下垂”电阻电压。启动时,当SOFT引脚电压小于“启动”电压VBOOT,130µA电流源I1用于缓慢提升软启动电容C_SOFT上的电压,从而控制输出电压的斜率。
ISL6218为单通道同步降压核心调节器提供内部栅极驱动。它具有4A的低侧栅极电流吸收能力和2A的低侧栅极电流源能力,能高效驱动高性能MOSFET,为系统设计师在MOSFET选择上提供了灵活性,并在所有工作模式下实现最佳效率。
电源通道的开关频率通过FSET引脚连接到地的电阻设置,开关频率设计为每相250kHz至500kHz。
电压识别引脚(VID0 - VID5)设置DAC输出电压,这些引脚不具备内部上拉或下拉能力,可识别1.0V、3.3V或5.0V的CMOS逻辑。
在深度和更深睡眠模式下,当负载电流较低时,ISL6218作为标准降压调节器工作,通过截断低侧MOSFET栅极驱动脉冲,关闭低侧MOSFET,消除负电感电流,提高效率。
ISL6218采用电池电压前馈补偿,通过VBAT引脚连接电池电压,系统斜坡调制器的增益为常数6.0。
ISL6218作为一款高性能的单相位降压PWM控制器,具有众多优秀特性,适用于笔记本电脑等设备的电源管理。其精确的电压调节、多模式支持、保护功能以及可定制性,为电子工程师在设计电源系统时提供了强大的工具。在实际应用中,工程师们需要根据具体需求合理设置各个参数,以充分发挥ISL6218的性能。大家在使用ISL6218的过程中,有没有遇到过一些特别的问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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