基于ISL8118的PWM控制器评估板设计与性能分析

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基于ISL8118的PWM控制器评估板设计与性能分析

引言

在电子设计领域,开关电源的设计至关重要。ISL8118作为一款单相同步降压转换器的PWM控制器,具有集成MOSFET驱动器,能在3.3V至20V偏置电源电压下工作。其采用电压模式操作和输入电压前馈补偿,可在宽输入电压范围内保持恒定的环路增益,提供出色的瞬态响应。今天,我们就来深入探讨基于ISL8118的评估板设计及性能。

文件下载:ISL8118EVAL1Z.pdf

ISL8118参考设计

评估板的设计旨在优化输出电压和电流规格。具体参数如下: PARAMETER MIN TYP MAX
Operating Input Voltage (VIN) 4.5V 12V 20V
Optimal Input Voltage (VIN) 9.6V 12V 14.4V
Output Voltage (VouT) 1.8V
Output Voltage Ripple 30mV
Continuous Load Current 25A
Switching Frequency 300kHz

设计步骤与元件选择

输出电感选择

输出电感的选择取决于所需的电感纹波电流,通常设置为额定输出电流的35%左右。通过公式 (L =frac{V{IN}-V{OUT }}{Delta I} × frac{V{OUT }}{V{IN }} × frac{1}{F_{SW}}) 计算,在评估板中,选用了0.68µH、DCR为1.6m的电感(Vishay的IHLP5050FD - R68),电感中的传导损耗约为1W。

输出电容选择

输出电容一般根据输出电压纹波和负载瞬态响应要求来选择。ESR和电容电荷是影响输出电压纹波的主要因素。为满足30mV的输出电压纹波要求,有效ESR应小于3.5m。在瞬态负载下,输出电压响应受ESL、ESR和输出电容的影响。当 (V{IN } gg V{OUT }) 时,电压波动幅度可通过公式 (Delta V=frac{L cdot I{tran }^{2}}{C{OUT } cdot V_{OUT }}) 近似计算。评估板中采用了五个Sanyo的6TPF330M9L电容。

输入电容选择

输入大容量电容的选择标准基于电容值和RMS电流能力。输入电容的RMS电流额定要求可通过公式近似计算。在本应用中,输入电容的RMS电流为8.98A,因此使用了两个Nippon Chemi - con的EKZE350ELL561MJ25S电容。同时,还需要小陶瓷电容进行高频去耦,以控制MOSFET两端的电压过冲。

MOSFET选择

ISL8118需要两个N沟道功率MOSFET作为主开关和同步开关。应根据 (r{DS(ON)})、栅极电源要求和热管理要求进行选择。MOSFET的总功率损耗包括传导损耗和开关损耗。在小占空比设计中,为优化转换器效率,应选择栅极电荷低的高端MOSFET以实现快速开关过渡,选择 (r{DS(ON)}) 低的低端MOSFET。评估板中高端MOSFET选用了两个Infineon的BSC059N04LS,低端MOSFET选用了两个Infineon的BSC018N04LS。

过流保护设置

ISL8118通过监测高端和低端MOSFET来检测过流事件。双传感功能使其能在宽输入范围内的极低和极高占空比下检测过流故障。

低端过流保护(BOTTOM SIDE OCP)

通过在BSOC引脚和低端MOSFET源极之间连接电阻 (R{BSOC}) 和电容 (C{BSOC}) 来设置低端源极和吸收电流限制。电容 (C{BSOC}) 应使用1000pF或更大的值与 (R{BSOC}) 并联。通过公式 (R{BSOC}=frac{left(I{OC_SOURCE }+frac{Delta I}{2}right) cdot r{DS(ON)}|{BFET }}{I{BSOC } cdot N{B}}) 确定 (R{BSOC}) 的值,以避免在正常工作负载范围内过流跳闸。在评估板中,使用两个Infineon的BSC018N04LS作为低端MOSFET,(R{BSOC}) 为511,低端过流跳闸点约设置为35A。

高端过流保护(TOP SIDE OCP)

通过在TSOC引脚和高端MOSFET漏极之间连接电阻 (R{TSOC}) 和电容 (C{TSOC}) 来设置高端源极电流限制。电容 (C{TSOC}) 应使用1000pF或更大的值与 (R{TSOC}) 并联。通过公式 (R{TSOC}=frac{left(I{OC_SOURCE }+frac{Delta I}{2}right) cdot r{DS(ON)}|{TFET }}{I{TSOC } cdot N{T}}) 确定 (R{TSOC}) 的值。在评估板中,使用两个Infineon的BSC059N04LS作为高端MOSFET,(R{TSOC}) 为1.59k,高端过流跳闸点约设置为35A。

电压裕度调整

当MARGIN引脚拉高或拉低时,分别启用正或负裕度功能。当MARGIN引脚浮空时,该功能禁用。通过内部缓冲器和电阻分压器来实现电压裕度调整,电压差通过仪表放大器检测并按5:1的比例转换为所需的裕度电压。

输入欠压锁定(UVLO)设置

通过使能引脚监测输入电压,利用内部10A吸收电流和外部电阻分压器实现可编程使能的迟滞。若要使ISL8118在输入电压为4.2V且具有0.5V迟滞时启用,可通过公式 (R{up}=frac{V{EN_HYS}}{I_{EN_HYS}}=49.9 k Omega) 计算电阻分压器网络。

反馈补偿器设计

推荐使用Type - III网络来补偿反馈环路。根据所选的电感和输出电容,可总结出功率级的极点和零点。通过一系列公式计算相关元件的值,如 (R{OS})、(R{2})、(C{1})、(C{2}) 和 (R_{3}) 等。更详细的设计说明可参考TB417 “Designing Stable Compensation Networks for Single Phase Voltage Mode Buck Regulators”。

评估板性能

启动特性

当ISL8118的 (V{CC})、(V{FF}) 和EN引脚电压超过其上升POR阈值时,一个38A的电流源驱动SS引脚。在软启动过程中,若输出预偏置到低于预期值的电压,ISL8118会检测到该情况,直到COMP信号超过振荡器斜坡底部才激活驱动器,从而减少输出瞬态。

输出纹波

评估板的输出纹波电压如图所示,可直观看到其纹波特性。

瞬态性能

当负载在0A至25A之间以1A/µs的速率变化时,输出电压的响应如图所示,展示了评估板在瞬态负载下的性能。

效率

基于ISL8118的调节器可实现高效系统设计。评估板在12V输入电源下的效率如图所示,可清晰看到不同输出电流下的效率情况。

总结

通过对ISL8118评估板的设计和性能分析,我们可以看到该控制器在开关电源设计中的优势。合理的元件选择和参数设置能确保评估板在宽输入电压范围内稳定工作,具有良好的瞬态响应和效率。各位工程师在实际设计中,可根据具体需求对元件和参数进行调整,以实现最佳性能。大家在设计过程中遇到过哪些类似的挑战呢?欢迎在评论区分享。

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