ISL8202M:单通道高效DC/DC降压电源模块的设计秘籍

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ISL8202M:单通道高效DC/DC降压电源模块的设计秘籍

在电子设备的电源设计领域,一款性能卓越的电源模块能为整个系统的稳定运行提供坚实保障。今天,我们就来深入探讨Intersil公司的ISL8202M单通道同步降压电源模块,看看它究竟有哪些独特之处,以及在实际设计中需要注意的要点。

文件下载:ISL8202MEVAL1Z.pdf

一、ISL8202M模块概述

ISL8202M是一款专为FPGA、DSP和锂离子电池供电设备优化的单通道3A降压高效电源模块。它具备诸多出色特性,如集成了控制器、MOSFET和电感器,仅需少量外部组件即可工作,非常适合空间受限和便携式电池供电应用。

1. 关键参数

  • 输入电压范围:2.6V至5.5V,能适应多种电源环境。
  • 输出电压范围:可调节,最低至0.6V,且在不同线路、负载和温度条件下精度优于±1.6%,最高效率可达95%。
  • 开关频率:默认1.8MHz,可通过外部电阻在680kHz至3.5MHz范围内调节,还能与最高3.5MHz的外部时钟信号同步。

2. 特色功能

  • PFM模式:可选择PFM模式以提高轻载效率。
  • 100%占空比LDO模式:延长电池使用寿命。
  • 可编程软启动:减少输入电源的浪涌电流。
  • 自动输出放电:确保软停止。
  • 专用使能引脚和电源良好标志:便于系统电源轨排序。
  • 多重保护功能:包括输入欠压锁定(UVLO)、过温、过流/短路(打嗝模式)、过压和负过流保护,保障模块在异常工作条件下的安全运行。

二、引脚配置与功能

ISL8202M采用22引脚QFN封装,各引脚功能明确,在设计时需根据其特性合理连接。

1. 关键引脚

  • FB(引脚1、19):电压设置引脚,通过连接电阻RSET到SGND来设置模块输出电压,建议并联陶瓷电容以确保系统在极端条件下的稳定性。
  • VSENSE(引脚2、4):电压感应引脚,内部短接,用于本地输出电压反馈,若需远程感应,应将远程感应走线直接连接到该引脚以实现最佳调节性能。
  • PGND(引脚3、14):电源地引脚,输出电容应跨接在VOUT和PGND之间,靠近引脚3,因为它是输出电流的返回路径。
  • VIN(引脚11):电源输入引脚,输入电压范围为2.6V至5.5V,模块输入处需至少44µF的总输入电容,建议使用X5R或X7R陶瓷电容,并尽量靠近模块输入放置。
  • PG(引脚12):电源良好标志引脚,为开漏输出,需连接10kΩ至100kΩ上拉电阻到VIN,用于监测模块输出电压。
  • SYNC(引脚13):同步引脚,可用于选择PWM或PFM模式,也可连接外部时钟进行同步。
  • EN(引脚15):电源使能引脚,高电平使能输出,低电平关闭输出并放电输出电容,通常直接连接到VIN引脚。
  • FS(引脚16):频率选择引脚,默认频率为1.8MHz,可通过连接电阻RFS到SGND来调整开关频率。
  • SS(引脚17):软启动引脚,可通过连接电容到SGND来调整软启动时间,电容值应小于33nF以确保正常工作。
  • COMP(引脚18):补偿引脚,多数应用中可直接连接到VIN以使用内部补偿网络,若需要外部补偿,则需断开与VIN的连接并连接到外部补偿网络。

三、工作模式与控制方案

1. PWM控制方案

将SYNC引脚拉高(>0.8V)可强制模块进入PWM模式,采用电流模式脉冲宽度调制(PWM)控制方案,具有快速瞬态响应和逐脉冲电流限制功能。电流环由振荡器、PWM比较器、电流传感电路和斜率补偿组成,斜率补偿为440mV/Ts,电流传感电路增益典型值为140mV/A。输出电压通过控制VEAMP电压到电流环来调节,带隙电路输出0.6V参考电压到电压环,反馈信号来自VFB引脚。

2. PFM(SKIP)模式

将SYNC引脚拉低(<0.4V)可使模块进入PFM模式,在轻载时进入脉冲跳过模式,通过降低开关频率来最小化开关损耗。零交叉传感电路监测NFET电流的零交叉,当检测到16个连续周期时,模块进入跳过模式。在跳过模式下,脉冲调制由跳过比较器控制,PFET在时钟上升沿开启,当输出高于标称调节值的1.2%或电流达到峰值跳过电流限制值时关闭。当输出电压下降到标称电压时,PFET在内部时钟上升沿再次开启。当输出电压下降到标称电压的2.5%以下时,模块恢复正常PWM模式运行。

3. 频率调整

ISL8202M的开关频率可通过连接电阻RFS从FS到SGND在680kHz至3.5MHz范围内调节,当FS引脚直接连接到VIN时,工作频率固定为1.8MHz。

四、保护功能

1. 过流保护

通过OCP比较器监测CSA输出实现过流保护,电流传感电路增益为140mV/A。当CSA输出达到阈值时,OCP比较器触发,立即关闭PFET。若连续检测到17个过流故障,模块将在过流故障条件下关闭,并在8个软启动周期的延迟后尝试以打嗝模式重启。

2. 负电流保护

通过监测低侧NFET上的电流实现负电流保护,当电感电流谷值连续4个周期达到 -3A时,PFET和NFET均关闭,100Ω电阻并联到NFET将激活输出放电,使其恢复正常调节。必要时,模块将在PFM模式下运行20µs后切换到PWM模式。

3. 电源良好标志(PG)

PG是窗口比较器的开漏输出,持续监测模块输出电压。在EN为低电平和模块软启动期间,PG主动拉低。软启动1ms延迟后,只要输出电压在VFB设置的标称调节电压范围内,PG变为高阻抗。在输出过压(输出电压比标称值高33%)或欠压(输出电压比标称值低15%)故障条件下,PG将被拉低,直到故障条件通过软启动尝试清除。

4. UVLO

当输入电压低于欠压锁定(UVLO)阈值时,模块禁用。

5. 软启动

软启动可减少启动期间的浪涌电流,软启动块输出斜坡参考到误差放大器的输入,限制电感电流和输出电压上升速度,使输出电压以受控方式上升。当软启动开始时,若VFB小于0.1V,开关频率降低到200kHz,以确保在轻载条件下平稳启动。在软启动期间,IC以跳过模式运行以支持预偏置输出条件。

6. 外部同步控制

可通过将外部信号应用于SYNC引脚将工作频率同步到最高3.5MHz,SYNC信号的上升沿触发PWM开启脉冲的上升沿。为确保正常运行,建议外部SYNC频率在FS引脚设置的开关频率的±25%范围内。

7. 放电模式(软停止)

当模块进入关闭模式或VIN UVLO设置时,输出通过内部100Ω开关放电到PGND。

8. 100%占空比

ISL8202M具有100%占空比操作功能,当输入电压下降到无法维持输出调节的水平时,模块完全开启PFET以最小化开关损耗。

9. 热关断

模块内置热保护功能,当内部温度达到 +150°C时,模块完全关闭;当温度下降到 +125°C时,模块通过软启动恢复运行。

五、应用设计要点

1. 输出电压编程

模块的输出电压通过从FB引脚到SGND连接外部电阻RSET进行编程,RSET与内部100kΩ 0.5%电阻组成电阻分压器来设置输出电压,计算公式为 (V{OUT }=V{REF } cdot frac{R{S E T}+100 k Omega}{R{S E T}}) 。需注意输出电压精度取决于RSET的电阻精度,应选择高精度电阻以实现整体输出精度。

2. 推荐开关频率选择

选择开关频率时需综合考虑多种因素。一般来说,较低的开关频率可提高效率,但不能过低,以免受到负电流保护限制。当输出电压较高时,低开关频率会导致更多次谐波振荡,因此在高VOUT条件下需保持较高的工作频率,但也不能过高,以免违反最小导通时间限制。可参考相关图表选择不同VIN和VOUT组合下的推荐开关频率。

3. 输入电容选择

输入滤波电容的选择基于电源在直流输入线上所能容忍的纹波大小。电容越大,纹波越小,但需考虑上电时的浪涌电流。ISL8202M的软启动功能可控制和限制电流浪涌。输入电容的总电容值可根据公式 (C_{IN(MIN)}=frac{IO cdot D cdot (1 - D)}{V{P - P} cdot f{SW}}) 计算,建议使用低等效串联电阻(ESR)的陶瓷电容,并尽量靠近模块输入放置,以减少输入电压纹波和VIN与PGND之间的耦合。同时,需考虑估计的RMS纹波电流,可根据公式 (I{IN(RMS)}=frac{I_O cdot sqrt{D cdot (1 - D)}}{eta}) 计算。ISL8202M至少需要44µF的总输入电容,如有可能应增加额外电容,使用X5R或X7R陶瓷电容。若输入源输出电容不足,可能需要一个典型值为100µF的大容量输入电容,以在输出负载瞬态条件下提供电流。

4. 输出电容选择

通常使用陶瓷电容作为ISL8202M的输出电容,推荐的输出电容值可参考相关表格。根据输出电压纹波和瞬态要求,也可将具有足够低等效串联电阻(ESR)的大容量输出电容(如低ESR聚合物电容或低ESR钽电容)与陶瓷电容结合使用。

5. 前馈电容选择

在输出电容均为陶瓷电容的典型应用中,需要一个前馈电容(如CFF)来确保在极端操作条件下的环路稳定性。启用内部补偿模式时,典型操作条件下的CFF值已优化并列出在相关表格中。若系统参数与表格不同或使用外部补偿而非内部补偿,则需要调整CFF的优化值。

6. PCB布局建议

为确保ISL8202M的正常运行,PCB布局需注意以下要点:

  • 输入陶瓷电容:应尽量靠近模块输入放置,以减少开关环路的寄生电感,降低高频噪声。建议使用X5R或X7R陶瓷电容,模块输入处总电容至少为44µF,其中一个输入电容(CIN1)电容值不小于3.3µF,应与模块在同一层(假设为顶层)且与模块输入的间距小于70mil;底层的电容(CIN2)应放置在靠近暴露焊盘(Pad 20)过孔的VIN到PGND铜线上。
  • 电源路径:使用大面积铜区域作为电源路径(VIN、PGND),以减少传导损耗和热应力。建议使用多个过孔连接不同层的电源平面,在暴露的Pad 20上至少使用5个过孔连接到PGND平面以实现最佳散热。
  • 信号地:为连接到信号地的组件使用单独的SGND接地铜区域,通过多个过孔将SGND铜区域连接到模块Pad 22。由于Pad 22在单个位置连接到模块内部PGND,因此PCB上的SGND铜区域和PGND平面可保持分离。
  • SW引脚:建议将SW焊盘仅保留在PCB的顶层和内层,避免在底层暴露SW焊盘。为最小化开关节点电阻,使用宽走线或形状连接Pads 21和9。
  • 远程感应:若需要远程感应,应将远程感应走线从负载点通过由PGND平面屏蔽的安静内层路由到模块VSENSE引脚。
  • 噪声敏感信号:避免在嘈杂的SW引脚附近路由如FB、COMP等噪声敏感信号走线。
  • 反馈和补偿网络:应尽量靠近FB引脚放置,远离SW引脚。

六、总结

ISL8202M作为一款高性能的单通道降压电源模块,凭借其丰富的功能、出色的性能和灵活的设计特点,为电子工程师在电源设计中提供了可靠的选择。在实际应用中,我们需要根据具体需求合理选择参数、配置引脚,并注意PCB布局等细节,以充分发挥其优势,确保系统的稳定运行。你在使用ISL8202M或其他电源模块时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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