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在电子设备的电源设计领域,一款性能卓越的电源模块能为整个系统的稳定运行提供坚实保障。今天,我们就来深入探讨Intersil公司的ISL8202M单通道同步降压电源模块,看看它究竟有哪些独特之处,以及在实际设计中需要注意的要点。
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ISL8202M是一款专为FPGA、DSP和锂离子电池供电设备优化的单通道3A降压高效电源模块。它具备诸多出色特性,如集成了控制器、MOSFET和电感器,仅需少量外部组件即可工作,非常适合空间受限和便携式电池供电应用。
ISL8202M采用22引脚QFN封装,各引脚功能明确,在设计时需根据其特性合理连接。
将SYNC引脚拉高(>0.8V)可强制模块进入PWM模式,采用电流模式脉冲宽度调制(PWM)控制方案,具有快速瞬态响应和逐脉冲电流限制功能。电流环由振荡器、PWM比较器、电流传感电路和斜率补偿组成,斜率补偿为440mV/Ts,电流传感电路增益典型值为140mV/A。输出电压通过控制VEAMP电压到电流环来调节,带隙电路输出0.6V参考电压到电压环,反馈信号来自VFB引脚。
将SYNC引脚拉低(<0.4V)可使模块进入PFM模式,在轻载时进入脉冲跳过模式,通过降低开关频率来最小化开关损耗。零交叉传感电路监测NFET电流的零交叉,当检测到16个连续周期时,模块进入跳过模式。在跳过模式下,脉冲调制由跳过比较器控制,PFET在时钟上升沿开启,当输出高于标称调节值的1.2%或电流达到峰值跳过电流限制值时关闭。当输出电压下降到标称电压时,PFET在内部时钟上升沿再次开启。当输出电压下降到标称电压的2.5%以下时,模块恢复正常PWM模式运行。
ISL8202M的开关频率可通过连接电阻RFS从FS到SGND在680kHz至3.5MHz范围内调节,当FS引脚直接连接到VIN时,工作频率固定为1.8MHz。
通过OCP比较器监测CSA输出实现过流保护,电流传感电路增益为140mV/A。当CSA输出达到阈值时,OCP比较器触发,立即关闭PFET。若连续检测到17个过流故障,模块将在过流故障条件下关闭,并在8个软启动周期的延迟后尝试以打嗝模式重启。
通过监测低侧NFET上的电流实现负电流保护,当电感电流谷值连续4个周期达到 -3A时,PFET和NFET均关闭,100Ω电阻并联到NFET将激活输出放电,使其恢复正常调节。必要时,模块将在PFM模式下运行20µs后切换到PWM模式。
PG是窗口比较器的开漏输出,持续监测模块输出电压。在EN为低电平和模块软启动期间,PG主动拉低。软启动1ms延迟后,只要输出电压在VFB设置的标称调节电压范围内,PG变为高阻抗。在输出过压(输出电压比标称值高33%)或欠压(输出电压比标称值低15%)故障条件下,PG将被拉低,直到故障条件通过软启动尝试清除。
当输入电压低于欠压锁定(UVLO)阈值时,模块禁用。
软启动可减少启动期间的浪涌电流,软启动块输出斜坡参考到误差放大器的输入,限制电感电流和输出电压上升速度,使输出电压以受控方式上升。当软启动开始时,若VFB小于0.1V,开关频率降低到200kHz,以确保在轻载条件下平稳启动。在软启动期间,IC以跳过模式运行以支持预偏置输出条件。
可通过将外部信号应用于SYNC引脚将工作频率同步到最高3.5MHz,SYNC信号的上升沿触发PWM开启脉冲的上升沿。为确保正常运行,建议外部SYNC频率在FS引脚设置的开关频率的±25%范围内。
当模块进入关闭模式或VIN UVLO设置时,输出通过内部100Ω开关放电到PGND。
ISL8202M具有100%占空比操作功能,当输入电压下降到无法维持输出调节的水平时,模块完全开启PFET以最小化开关损耗。
模块内置热保护功能,当内部温度达到 +150°C时,模块完全关闭;当温度下降到 +125°C时,模块通过软启动恢复运行。
模块的输出电压通过从FB引脚到SGND连接外部电阻RSET进行编程,RSET与内部100kΩ 0.5%电阻组成电阻分压器来设置输出电压,计算公式为 (V{OUT }=V{REF } cdot frac{R{S E T}+100 k Omega}{R{S E T}}) 。需注意输出电压精度取决于RSET的电阻精度,应选择高精度电阻以实现整体输出精度。
选择开关频率时需综合考虑多种因素。一般来说,较低的开关频率可提高效率,但不能过低,以免受到负电流保护限制。当输出电压较高时,低开关频率会导致更多次谐波振荡,因此在高VOUT条件下需保持较高的工作频率,但也不能过高,以免违反最小导通时间限制。可参考相关图表选择不同VIN和VOUT组合下的推荐开关频率。
输入滤波电容的选择基于电源在直流输入线上所能容忍的纹波大小。电容越大,纹波越小,但需考虑上电时的浪涌电流。ISL8202M的软启动功能可控制和限制电流浪涌。输入电容的总电容值可根据公式 (C_{IN(MIN)}=frac{IO cdot D cdot (1 - D)}{V{P - P} cdot f{SW}}) 计算,建议使用低等效串联电阻(ESR)的陶瓷电容,并尽量靠近模块输入放置,以减少输入电压纹波和VIN与PGND之间的耦合。同时,需考虑估计的RMS纹波电流,可根据公式 (I{IN(RMS)}=frac{I_O cdot sqrt{D cdot (1 - D)}}{eta}) 计算。ISL8202M至少需要44µF的总输入电容,如有可能应增加额外电容,使用X5R或X7R陶瓷电容。若输入源输出电容不足,可能需要一个典型值为100µF的大容量输入电容,以在输出负载瞬态条件下提供电流。
通常使用陶瓷电容作为ISL8202M的输出电容,推荐的输出电容值可参考相关表格。根据输出电压纹波和瞬态要求,也可将具有足够低等效串联电阻(ESR)的大容量输出电容(如低ESR聚合物电容或低ESR钽电容)与陶瓷电容结合使用。
在输出电容均为陶瓷电容的典型应用中,需要一个前馈电容(如CFF)来确保在极端操作条件下的环路稳定性。启用内部补偿模式时,典型操作条件下的CFF值已优化并列出在相关表格中。若系统参数与表格不同或使用外部补偿而非内部补偿,则需要调整CFF的优化值。
为确保ISL8202M的正常运行,PCB布局需注意以下要点:
ISL8202M作为一款高性能的单通道降压电源模块,凭借其丰富的功能、出色的性能和灵活的设计特点,为电子工程师在电源设计中提供了可靠的选择。在实际应用中,我们需要根据具体需求合理选择参数、配置引脚,并注意PCB布局等细节,以充分发挥其优势,确保系统的稳定运行。你在使用ISL8202M或其他电源模块时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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