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在便携式GPU核心电压调节器的设计领域,RENESAS的ISL95870、ISL95870A和ISL95870B这三款IC凭借其独特的技术和出色的性能,成为了众多工程师的理想选择。今天,我们就来深入探讨一下这三款芯片的特点、工作原理以及应用设计要点。
ISL95870、ISL95870A和ISL95870B是单相同步降压PWM调节器,采用了Intersil专有的(R^{4}) Technology™。其输入电压范围为3.3V至25V,非常适合使用电池或交流适配器电源的系统。ISL95870A和ISL95870B是需要动态选择压摆率控制输出电压应用的低成本解决方案。
芯片在VCC引脚电压上升到上电复位(POR)阈值电压(VCC_THR)以上时才会启用,当VCC引脚电压下降到下降POR阈值电压(VVCC_THF)以下时,控制器将被禁用。POR检测器具有约1µs的噪声滤波器。
当VCC电压上升到(VVCCTHR)以上后,通过将EN引脚电压拉高到输入高阈值(V{ENTHR}),约20µs后,SREF引脚电压开始向指定的VID设定点上升,转换器输出电压在FB反馈引脚处跟随SREF引脚电压。在软启动期间,调节器始终工作在CCM模式,直到软启动序列完成。
(R^{4})调制器是(R^{3})技术的进化版本。与(R^{3})相比,它在轻载效率相当的情况下,具有更快的瞬态性能、精确的频率控制和全内部补偿。它降低了调节器的输出阻抗,消除了补偿环路中对高增益电压放大器的需求,大大简化了调节器的设计,降低了外部组件成本。
过流保护设定点通过连接在OCSET和PHASE引脚之间的电阻(R_{OCSET})进行编程。当OCSET引脚电压高于VO引脚电压超过10µs时,OCP故障将锁定转换器,使其关闭。
当FB引脚电压高于上升过压阈值(V_{OVRTH})超过2µs时,OVP故障检测电路将触发,锁定转换器并使PGOOD引脚置低。
当FB引脚电压低于欠压阈值(V_{UVTH})超过2µs时,UVP故障检测电路将触发,锁定转换器并使PGOOD引脚置低。
当芯片温度上升到上升阈值温度(T{OTRTH})以上时,芯片将进入OTP状态,暂停PWM,使LGATE和UGATE栅极驱动器输出置低。当芯片温度下降到滞后温度(T{OTHYS})以下时,PWM恢复正常工作。
理想降压转换器的占空比是输入和输出电压的函数,输出电感的峰 - 峰纹波电流与占空比、开关频率和电感值有关。在选择电感时,要考虑MOSFET开关损耗、电感铁芯损耗和电感绕组的电阻损耗,同时要注意电感在高温下的饱和特性。输出电容的选择要考虑纹波电流和纹波电压,对于需要支持高脉动电流负载的情况,可能需要并联多个电容以降低总ESR。
输入电容的重要参数是电压额定值和RMS电流额定值。为了可靠运行,应选择电压和电流额定值高于最大输入电压且能提供开关电路所需RMS电流的电容。除了大容量电容外,还建议使用一些低ESL陶瓷电容进行去耦。
集成驱动器具有内部自举肖特基二极管,只需在BOOT和PHASE引脚之间添加一个外部电容即可完成自举电路。自举电容的电压额定值应至少为10V,其电容值可根据公式(C{BOOT } geq frac{Q{GATE }}{Delta V_{BOOT }})计算。
驱动器的开关功耗主要取决于开关频率和所选MOSFET的总栅极电荷。在设计应用时,需要进行功耗计算,以确保在所需频率下安全运行。
MOSFET的选择取决于每个MOSFET需要传导的电流、开关频率、散热能力以及散热和气流的可用性。通常,功率级中使用的MOSFET的最大(V_{DS})额定值应超过输入电源的上电压容差和MOSFET开关时出现的电压尖峰之和。
在布局设计中,功率层应靠近放置,弱模拟或逻辑信号层应位于电路板的另一侧。接地平面层应与信号层相邻以提供屏蔽。功率组件应首先放置,包括MOSFET、输入和输出电容以及电感。要保持功率链与控制IC之间的距离短,以缩短栅极驱动走线。同时,要注意不同引脚的布局要求,如VCC和PVCC引脚的去耦电容应靠近IC放置,OCSET和VO引脚的电流传感网络应连接到电感焊盘并进行屏蔽等。
ISL95870、ISL95870A和ISL95870B这三款芯片以其先进的技术和丰富的功能,为便携式GPU核心电压调节器的设计提供了优秀的解决方案。在实际应用中,工程师们需要根据具体需求,合理选择芯片型号,并遵循正确的设计方法和布局原则,以充分发挥芯片的性能优势。大家在使用这些芯片的过程中,有没有遇到过什么特别的问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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