深入解析FQD17P06 / FQU17P06 P-Channel QFET® MOSFET

一、前言

在电子设计领域，功率MOSFET是不可或缺的关键元件。今天我们要详细探讨的是Fairchild Semiconductor（现属于ON Semiconductor）的FQD17P06 / FQU17P06 P-Channel QFET® MOSFET，它具有独特的性能特点和广泛的应用场景，对于电子工程师来说，深入了解这款器件的特性和参数，对于优化电路设计至关重要。

文件下载：FQU17P06-D.pdf

二、产品背景与整合信息

Fairchild Semiconductor已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，原编号中的下划线（_）将改为破折号（-）。大家可通过ON Semiconductor网站（www.onsemi.com）核实更新后的器件编号，获取最新的订购信息。若对系统集成有疑问，可发邮件至[e-mail]。

三、FQD17P06 / FQU17P06 MOSFET概述

3.1 基本描述

FQD17P06 / FQU17P06是P-Channel增强模式功率MOSFET，采用Fairchild Semiconductor专有的平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别调整，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。该器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源等应用。

3.2 产品特性

• 高电流与耐压能力：能够承受 -12 A的连续电流和 -60 V的漏源电压，最大导通电阻 (R{DS(on)}=135 mΩ)（在 (V{GS}=-10 V)，(I_{D}=-6 A) 时）。
• 低门极电荷：典型门极电荷为21 nC，有助于降低开关损耗，提高开关速度。
• 低Crss：典型值为80 pF，可减少米勒效应，改善开关性能。
• 100%雪崩测试：保证了器件在雪崩情况下的可靠性和稳定性。

四、关键参数分析

4.1 绝对最大额定值

符号	参数	FQD17P06 / FQU17P06	单位
(V_{DSS})	漏源电压	-60	V
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	-12	A
	连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	-7.6	A
(I_{DM})	脉冲漏极电流	-48	A
(V_{GSS})	栅源电压	± 25	V
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	300	mJ
(I_{AR})	雪崩电流	-12	A
(E_{AR})	重复雪崩能量	4.4	mJ
(dv/dt)	峰值二极管恢复 (dv/dt)	-7.0	V/ns
(P_{D})	功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	2.5	W
	功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	44	W
	25°C以上降额	0.35	W/°C
(T{J}, T{STG})	工作和存储温度范围	-55 to +150	°C
(T_{L})	焊接时最大引脚温度（距外壳1/8”，5秒）	300	°C

4.2 热特性

符号	参数	FQD17P06 / FQU17P06	单位
(R_{θJC})	结到外壳的热阻（最大）	2.85	°C / W
(R_{θJA})	结到环境的热阻（2盎司铜最小焊盘）	110	°C / W
(R_{θJA})	结到环境的热阻（1平方英寸2盎司铜焊盘）	50	°C / W

4.3 电气特性

• 关断特性：包括漏源击穿电压 (B{VDS})、击穿电压温度系数 (Delta B{VDS} / Delta T{J})、零栅压漏极电流 (I{DSS})、栅体泄漏电流 (I{GSSF}) 和 (I{GSSR}) 等。
• 导通特性：如栅极阈值电压 (V{GS(th)})、静态漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 和正向跨导 (g_{FS})。
• 动态特性：涵盖输入电容 (C{iss})、输出电容 (C{oss})、反向传输电容 (C_{rss}) 等。
• 开关特性：包括开启延迟时间 (t{d(on)})、开启上升时间 (t{r})、关断延迟时间 (t{d(off)}) 和关断下降时间 (t{f}) 等。
• 漏源二极管特性：有最大连续漏源二极管正向电流 (I{S})、最大脉冲漏源二极管正向电流 (I{SM})、漏源二极管正向电压 (V{SD})、反向恢复时间 (t{rr}) 和反向恢复电荷 (Q_{rr})。

五、典型性能特性

文档中给出了多个典型性能特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、电容特性、体二极管正向电压随源电流和温度的变化、栅极电荷特性等。这些曲线有助于工程师在不同工作条件下准确评估器件的性能。

六、封装与订购信息

6.1 封装形式

• FQD17P06采用D-PAK封装，通过带盘包装，盘尺寸为330 mm，带宽度为16 mm，每盘2500个单位。
• FQU17P06采用I-PAK封装，采用管装，每管70个单位。

6.2 订购信息

文档提供了具体的零件编号、顶部标记、封装和包装方法等信息，方便工程师进行订购。

七、测试电路与波形

文档还给出了栅极电荷测试电路及波形、电阻性开关测试电路及波形、非钳位电感开关测试电路及波形和峰值二极管恢复 (dv/dt) 测试电路及波形等，这些测试电路和波形有助于工程师理解器件在不同测试条件下的工作情况，为实际应用提供参考。

八、机械尺寸与注意事项

文档提供了TO252（D-PAK）和TO251（I-PAK）封装的机械尺寸图，并提醒用户图纸可能会随时更改，应注意图纸的修订和日期，可通过Fairchild Semiconductor的在线包装区域获取最新的封装图纸。

九、商标与免责声明

文档列出了Fairchild Semiconductor及其全球子公司拥有的众多商标，同时强调了公司对产品进行改进的权利，不承担因产品应用或使用而产生的任何责任，以及产品不授权用于生命支持设备等重要信息。

十、总结

FQD17P06 / FQU17P06 P-Channel QFET® MOSFET凭借其出色的性能特点和广泛的应用场景，为电子工程师提供了一个可靠的选择。在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，综合考虑器件的各项参数和性能特性，合理选择和使用该器件，以实现电路的优化设计。同时，要密切关注ON Semiconductor的相关信息更新，确保使用到最新的产品和技术。大家在使用这款器件的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。