电子说
在电子设计领域,电压电平转换是一个常见且关键的需求。不同的设备或系统可能工作在不同的电压水平下,这就需要一种可靠的电平转换解决方案。SGMICRO的SGM4564 4位双向电压电平转换器,凭借其独特的特性和广泛的应用范围,成为了众多工程师的首选。
SGM4564采用两个独立的可配置电源轨,A端口设计用于跟踪(V{CCA}),其接受1.2V至5.5V的任何电源电压;B端口设计用于跟踪(V{CCB}),接受1.65V至5.5V的任何电源电压。这使得它能够在1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5V等电压节点之间实现通用的低压双向转换。同时,要注意(V{CCA})不应超过(V{CCB})。
当输出使能(OE)输入为低电平时,所有输出都处于高阻抗状态。为了在电源上电或下电期间确保高阻抗状态,OE应通过下拉电阻连接到GND,电阻的最小值由驱动器的电流源能力决定。该器件还采用了(I_{OFF})电路,适用于部分掉电应用,可防止在掉电时通过器件的损坏性电流回流。
SGM4564广泛应用于智能手机、便携式设备、UART和GPIO等领域。在这些应用中,它能够实现不同电压系统之间的可靠通信和数据传输。
不同的(V{CCA})和(V{CCB})组合下,数据速率和脉冲持续时间有所不同。例如,当(V{CCA}=1.2V),(V{CCB})分别为1.8V、2.5V、3.3V、5V时,数据速率均为20Mbps,脉冲持续时间均为50ns;随着(V_{CCA})的增加,数据速率和脉冲持续时间也会相应变化,最高数据速率可达100Mbps。
开关特性包括传播延迟((t{PD}))、使能时间((t{EN}))、禁用时间((t{DIS}))、上升时间((t{rA})、(t{rB}))、下降时间((t{fA})、(t{fB}))和通道间偏斜((t{SK(O)}))等。这些特性在不同的(V{CCA})和(V{CCB})条件下也有所不同,工程师在设计时需要根据具体的应用场景进行选择。
SGM4564的架构不需要方向控制信号来控制数据从A到B或从B到A的流向。在直流状态下,其输出驱动器可以保持高或低电平,但设计为较弱的驱动能力,以便在总线上的数据开始反向流动时能够被外部驱动器覆盖。输出单稳态触发器可以检测A或B端口上的上升或下降沿,在上升沿时,单稳态触发器会短时间开启PMOS晶体管(T1、T3),加快低到高的转换;在下降沿时,开启NMOS晶体管(T2、T4),加快高到低的转换。
在操作过程中,要始终确保(V{CCA} ≤ V{CCB})。在上电顺序方面,(V{CCA} ≥ V{CCB})不会损坏设备,任何电源都可以先上电。当任一(V{CC})关闭((V{CCA/B}=0V))时,SGM4564的电路会禁用所有输出端口。
通过OE输入可以禁用设备,将OE设置为低电平,可使所有I/O处于高阻抗(Hi - Z)状态。禁用时间((t{DIS}))表示OE变为低电平到输出实际禁用(Hi - Z)之间的延迟;使能时间((t{EN}))表示OE变为高电平后,单稳态电路开始工作所需的时间。
SGM4564设计用于驱动高达70pF的电容性负载,其输出驱动器的直流驱动强度较低。如果在数据I/O上外部连接上拉或下拉电阻,其值必须保持高于50kΩ,以确保不会与SGM4564的输出驱动器产生冲突。
由于SGM4564的输出驱动器特性,它不适合用于I2C或1 - 线等应用中,因为这些应用中在双向数据I/O上连接了开漏驱动器。同时,驱动SGM4564数据I/O的设备必须具有至少±2mA的驱动强度。
SGM4564提供了SOIC - 14、UTQFN - 1.8×1.8 - 12L和TQFN - 2×2 - 12L三种封装形式,并给出了详细的封装外形尺寸、推荐焊盘图案、卷带和卷轴信息以及纸箱尺寸等。工程师在设计时可以根据实际情况选择合适的封装。
SGM4564是一款功能强大、性能优良的4位双向电压电平转换器,能够满足多种不同的应用需求。在使用过程中,工程师需要根据具体的设计要求,合理选择工作电压、封装形式等参数,以确保系统的稳定运行。你在实际应用中是否遇到过类似的电平转换问题呢?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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