FDMS8820 N-Channel PowerTrench® MOSFET：高效开关的理想之选

在电子设计领域，MOSFET 作为重要的功率开关器件，其性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下 Fairchild（现属于 ON Semiconductor）的 FDMS8820 N-Channel PowerTrench® MOSFET。

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产品概况

FDMS8820 是一款专为提高 DC/DC 转换器整体效率和减少开关节点振铃而设计的 N 沟道 MOSFET。它具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度和良好的体二极管反向恢复性能等优点，适用于多种应用场景。

关键特性

低导通电阻

• 在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=28 A) 时，最大 (r{DS(on)}=2.0 mΩ)；在 (V{GS}=4.5 V)，(I{D}=25 A) 时，最大 (r{DS(on)}=2.4 mΩ)。低导通电阻有助于降低功率损耗，提高电路效率。

  先进封装与硅技术结合

  采用先进的封装和硅技术组合，实现了低 (r_{DS(on)}) 和高效率。这种组合不仅提高了器件的性能，还增强了其可靠性。

  下一代增强型体二极管技术

  具有软恢复特性的下一代增强型体二极管技术，可减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰。

  高可靠性封装设计

  MSL1 稳健封装设计，经过 100% UIL 测试，并且符合 RoHS 标准，确保了产品在各种环境下的可靠性。

应用领域

VRM Vcore 开关

适用于台式机和服务器的 VRM Vcore 开关，能够提供高效的功率转换。

OringFET / 负载开关

可用于 OringFET 和负载开关应用，实现对负载的有效控制。

DC - DC 转换

在 DC - DC 转换电路中，FDMS8820 能够发挥其低导通电阻和快速开关速度的优势，提高转换效率。

电气特性

最大额定值

符号	参数	额定值	单位
(V_{DS})	漏源电压	30	V
(V_{GS})	栅源电压	±20	V
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{C}=25 °C)）	160	A
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{C}=100 °C)）	101	A
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{A}=25 °C)）	28	A
(I_{D})	脉冲漏极电流	634	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	294	mJ
(P_{D})	功率耗散（(T_{C}=25 °C)）	78	W
(P_{D})	功率耗散（(T_{A}=25 °C)）	2.5	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围	-55 至 +150	°C

电气参数

• 击穿电压：(BVDSS) 为 30 V（(I{D}=250 μA)，(V{GS}=0 V)）。
• 阈值电压：(V{GS(th)}) 在 1.2 - 2.5 V 之间（(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250 μA)）。
• 静态导通电阻：(r{DS(on)}) 在不同条件下有不同的值，如 (V{GS}=10 V)，(I_{D}=28 A) 时为 1.4 - 2.0 mΩ。
• 输入电容：(C{iss}) 为 3995 - 5315 pF（(V{DS}=15 V)，(V_{GS}=0 V)，(f = 1 MHz)）。
• 开关时间：如导通延迟时间 (td(on)) 为 14 - 25 ns（(V{DD}=15 V)，(I{D}=28 A)，(V{GS}=10 V)，(R{GEN}=6 Ω)）。

热特性

• 结到外壳热阻：(R_{θJC}) 为 1.6 °C/W。
• 结到环境热阻：(R_{θJA}) 在不同条件下有所不同，如在 1 in² 2 oz 铜焊盘上为 50 °C/W。

封装与订购信息

器件标记	器件	封装	卷盘尺寸	胶带宽度	数量
FDMS8820	FDMS8820	Power 56	13 ”	12 mm	3000 单位

注意事项

• 由于 ON Semiconductor 产品管理系统无法处理带有下划线（_）的零件命名，Fairchild 零件编号中的下划线将改为短横线（-），请在 ON Semiconductor 网站上核实更新后的器件编号。
• 该器件不适合用于生命支持系统、FDA Class 3 医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。
• “典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能可能随时间而变化，所有工作参数都需要由客户的技术专家进行验证。

在实际设计中，电子工程师需要根据具体的应用需求，综合考虑 FDMS8820 的各项特性和参数，以确保电路的性能和可靠性。大家在使用这款 MOSFET 时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享交流。