探索 onsemi FDMS3672：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选

在电子工程领域，MOSFET 作为关键的功率转换元件，其性能的优劣直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们将深入探讨 onsemi 推出的 FDMS3672 N 沟道 MOSFET，这款产品凭借其出色的特性，在众多应用场景中展现出强大的竞争力。

文件下载：FDMS3672-D.pdf

产品概述

FDMS3672 属于 UltraFET 系列，该系列设备结合了多种特性，能够在功率转换应用中实现卓越的效率。它针对低导通电阻（(R_{DS(on)})）、低等效串联电阻（ESR）、低总栅极电荷和米勒栅极电荷进行了优化，非常适合高频 DC - DC 转换器。

关键特性

低导通电阻

• 在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=7.4 A) 时，最大 (R{DS(on)} = 23 mOmega)；在 (V{GS}=6 V)，(I{D}=6.6 A) 时，最大 (R{DS(on)} = 29 mOmega)。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET 的功率损耗更小，能够提高系统的效率。

  低栅极电荷

  典型的 (Qg = 31 nC)（(V_{GS}=10 V)），并且具有低米勒电荷。低栅极电荷可以减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，从而适用于高频应用。

  环保合规

  该器件无铅、无卤化物，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

绝对最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
(V_{DS})	Drain - Source Voltage	100	V
(V_{GS})	Gate - Source Voltage	± 20	V
(I_{D})	Drain Current – Continuous (Package Limited) – Continuous (Silicon Limited) – Continuous (Note 1a) – Pulsed	22 41 7.4 30	A
(P_{D})	Power Dissipation Power Dissipation (Note 1a)	78 2.5	W
(T{J}, T{STG})	Operating and Storage Junction Temperature Range	–55 to +150	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (B{V D S S})：在 (I{D}=250mu A)，(V_{GS}=0 V) 时为 100 V。
• 击穿电压温度系数 (B{V D S S}/T{J}) 为 104 mV/°C。
• 零栅压漏电流 (I{D S S})：在 (V{D S}=80 V)，(V{G S}=0 V) 时为 1 μA；在 (V{D S}=80 V)，(V{G S}=0 V)，(T{J}=55°C) 时为 10 μA。
• 栅源泄漏电流 (I{G S S})：在 (V{G S}=±20 V)，(V_{D S}=0 V) 时为 ±100 nA。

  导通特性

• 栅源阈值电压 (V_{G S(th)}) 为 4.0 V。
• 静态漏源导通电阻 (R{D S(on)})：在 (V{G S}=6 V)，(I{D}=6.6 A) 时；在 (V{G S}=10 V)，(I{D}=7.4 A)，(T{J}=125°C) 时为 20 mΩ。

  动态特性

• 输入电容 (C{iss})：在 (V{D S}=50 V)，(V_{G S}=0 V)，(f = 1 MHz) 时为 2680 pF。
• 输出电容 (C_{oss}) 为 210 - 280 pF。
• 反向传输电容 (C_{rss}) 为 90 - 135 pF。
• 栅极电阻 (R_{g}) 为 1.3 Ω。

  开关特性

• 开通延迟时间 (t_{d(on)}) 为 23 ns。
• 下降时间 (t_{f}) 为 8 ns。
• 栅极电荷 (Q{g})：在 (V{G S}=0 V) 到 4.5 V 时为 44 nC。

典型特性

通过一系列典型特性曲线，我们可以更直观地了解 FDMS3672 的性能表现。

导通区域特性

展示了不同栅源电压下，漏极电流与漏源电压的关系，帮助工程师了解 MOSFET 在不同工作条件下的导通性能。

归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系

可以看到导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化情况，为电路设计提供参考。

归一化导通电阻与结温的关系

了解导通电阻随结温的变化，有助于在不同温度环境下进行电路设计和热管理。

导通电阻与栅源电压的关系

明确栅源电压对导通电阻的影响，优化电路的功率损耗。

传输特性

展示了漏极电流与栅源电压的关系，为设计放大器等电路提供依据。

源漏二极管正向电压与源电流的关系

有助于了解二极管的正向导通特性，在相关应用中进行合理设计。

栅极电荷特性

体现了栅极电荷随不同电源电压的变化情况，对开关速度和能量损耗有重要影响。

电容与漏源电压的关系

了解电容特性对于高频应用中的电路设计至关重要。

雪崩电流与雪崩时间的关系

反映了 MOSFET 的雪崩能力，在应对突发电压冲击时的性能表现。

最大连续漏极电流与壳温的关系

帮助工程师根据壳温确定最大连续漏极电流，确保器件在安全工作范围内。

正向偏置安全工作区

明确了 MOSFET 在不同电压和电流条件下的安全工作范围，避免器件损坏。

单脉冲最大功率耗散

了解单脉冲情况下的功率耗散能力，为脉冲电路设计提供参考。

瞬态热响应曲线

反映了器件在不同占空比下的热阻抗特性，对于热设计非常重要。

封装与订购信息

FDMS3672 采用 WDFN8（无铅、无卤化物）封装，每卷 3000 个。关于卷带规格的详细信息，可参考 Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D。

应用领域

FDMS3672 主要应用于 DC - DC 转换领域，其高性能特性能够满足该领域对效率和稳定性的要求。

在实际的电子工程设计中，我们需要根据具体的应用场景和需求，综合考虑 FDMS3672 的各项特性，合理选择和使用该器件。同时，要注意遵循器件的使用规范，确保其在安全的工作条件下运行，以充分发挥其性能优势。你在使用类似 MOSFET 器件时，遇到过哪些挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。