电子说
在电子工程师的日常工作中,选择合适的功率器件对于电路设计的性能和效率至关重要。今天我们要深入探讨的是Fairchild(现属ON Semiconductor)的FDMS0309AS N-Channel PowerTrench® SyncFET™,它在功率转换应用中有着出色的表现。
文件下载:FDMS0309AS-D.pdf
Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求,部分Fairchild可订购的零件编号需要更改。具体来说,Fairchild零件编号中的下划线(_)将更改为破折号(-)。大家可通过ON Semiconductor网站验证更新后的设备编号,最新的订购信息可在www.onsemi.com上获取。若有关于系统集成的问题,可发送邮件至Fairchild_questions@onsemi.com。
采用先进的封装和硅技术组合,实现了低(r_{DS(on)})和高效率。
具有高效的单片肖特基体二极管,能提供额外的性能优势。
MSL1稳健封装设计,并且经过100% UIL测试,保证了产品的可靠性。
符合RoHS标准,满足环保要求。
适用于DC/DC转换器的同步整流,能有效提高转换效率。
可作为笔记本Vcore/GPU的低端开关,为笔记本电脑的电源管理提供支持。
在网络负载点的低端开关应用中发挥作用,确保网络设备的稳定供电。
用于电信设备的二次侧整流,保障电信系统的正常运行。
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | 漏源电压 | 30 | V |
| (V_{DSt}) | 漏源瞬态电压((t_{Transient}<100ns)) | 33 | V |
| (V_{GS}) | 栅源电压 | ±20 | V |
| (I_{D}) | 漏极电流 - 连续(封装限制,(T_{C}=25°C)) | 49 | A |
| 漏极电流 - 连续(硅限制,(T_{C}=25°C)) | 96 | A | |
| 漏极电流 - 连续((T_{A}=25°C)) | 21 | A | |
| 漏极电流 - 脉冲 | 100 | A | |
| (E_{AS}) | 单脉冲雪崩能量 | 66 | mJ |
| (P_{D}) | 功率耗散((T_{C}=25°C)) | 50 | W |
| 功率耗散((T_{A}=25°C)) | 2.5 | W | |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存储结温范围 | -55 至 +150 | °C |
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 结到外壳的热阻 | 2.5 | °C/W |
| (R_{θJA}) | 结到环境的热阻(特定条件下) | 50 | °C/W |
通过图1可以看到不同栅源电压下,漏极电流与漏源电压的关系。
图2展示了归一化导通电阻与漏极电流和栅源电压的关系,图3显示了归一化导通电阻与结温的关系。
图4至图7分别呈现了导通电阻与栅源电压、传输特性、栅极电荷特性等关系。
图14展示了FDMS0309AS SyncFET™体二极管的反向恢复特性,图15显示了体二极管反向泄漏与漏源电压的关系。
该产品采用Power 56封装,具体的封装尺寸和引脚布局在文档中有详细说明。同时,还给出了封装标记和订购信息,如设备标记为FDMS0309AS,采用13’’卷盘,胶带宽度为12mm,每卷数量为3000个。
ON Semiconductor保留对产品进行更改的权利,且无需进一步通知。
ON Semiconductor不保证产品适用于任何特定用途,也不承担因产品应用或使用而产生的任何责任。用户需自行验证所有操作参数,并确保产品使用符合相关法律法规和安全要求。
该产品不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备,以及用于人体植入的设备。
FDMS0309AS N-Channel PowerTrench® SyncFET™凭借其低导通电阻、先进的封装和硅技术、高效的体二极管等特点,在功率转换应用中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时,可以根据其电气特性和典型特性,合理选择和应用该产品,以实现电路的高性能和高效率。大家在实际应用中,是否遇到过类似功率器件的选型难题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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