电子说
在电子工程领域,功率转换应用不断发展,对高性能功率器件的需求也日益增长。FDMS0306AS作为一款N - 通道PowerTrench® SyncFET™,以其出色的性能在市场中占据一席之地。本文将深入探讨该器件的特性、参数及典型应用,为电子工程师在设计中提供有价值的参考。
文件下载:FDMS0306AS-D.pdf
Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求,Fairchild部分可订购的零件编号需要更改,原编号中的下划线(_)将改为短横线(-)。大家可通过ON Semiconductor官网(www.onsemi.com)核实更新后的器件编号。
先进的封装和硅技术结合,在保持出色开关性能的同时,实现了极低的(r_{DS(on)})。这一特性使得该器件在功率转换应用中表现卓越。
集成了高效的单片肖特基体二极管,带来额外的性能优势,能提升整体电路的效率和稳定性。
MSL1稳健封装设计,增强了器件的可靠性和稳定性,适应不同的工作环境。
经过100% UIL测试,确保了器件的质量和可靠性,让工程师在使用时更加放心。
符合RoHS标准,符合环保要求,满足现代电子产品的绿色设计需求。
适用于DC/DC转换器的同步整流,可提高转换效率,减少能量损耗。
可作为笔记本Vcore/GPU低侧开关,为笔记本电脑的电源管理提供支持。
用于网络负载点低侧开关,保障网络设备的稳定供电。
在电信二次侧整流中发挥作用,提高电信设备的电源性能。
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | 漏源电压 | 30 | V |
| (V_{GS}) | 栅源电压 | ±20 | V |
| (I_{D}) | 漏极电流(连续,封装限制,(T_{C}=25^{circ}C)) | 49 | A |
| (I_{D}) | 漏极电流(连续,硅限制,(T_{C}=25^{circ}C)) | 128 | A |
| (I_{D}) | 漏极电流(连续,(T_{A}=25^{circ}C)) | 26 | A |
| (I_{D}) | 漏极电流(脉冲) | 100 | A |
| (E_{AS}) | 单脉冲雪崩能量 | 86 | mJ |
| (P_{D}) | 功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) | 59 | W |
| (P_{D}) | 功率耗散((T_{A}=25^{circ}C)) | 2.5 | W |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存储结温范围 | -55 至 +150 | °C |
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 结到外壳热阻 | 2.1 | °C/W |
| (R_{θJA}) | 结到环境热阻(特定条件) | 50 | °C/W |
涵盖了关断特性、导通特性、动态特性、开关特性和漏源二极管特性等多个方面,为工程师提供了全面的器件性能信息。例如,关断特性中的漏源击穿电压(BV{DSS})在(I{D}=1mA),(V{GS}=0V)时为30V;导通特性中的栅源阈值电压(V{GS(th)})在(V{GS}=V{DS}),(I_{D}=1mA)时,最小值为1.2V,典型值为1.7V,最大值为3.0V。
文档中给出了多个典型特性曲线,如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线直观地展示了器件在不同条件下的性能表现,有助于工程师更好地理解和应用该器件。例如,从归一化导通电阻与结温的关系曲线中,我们可以看到随着结温的升高,导通电阻会发生变化,这对于设计散热方案和评估器件在不同温度环境下的性能非常重要。
FDMS0306AS采用Power 56封装,卷盘尺寸为13英寸,胶带宽度为12mm,每卷数量为3000个。器件标记为FDMS0306AS,方便工程师识别和订购。
注意Fairchild部分零件编号的变更,及时通过官网核实更新后的编号。
ON Semiconductor产品不设计、不用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。如果用于非预期或未授权的应用,买家需承担相关责任。
“典型”参数在不同应用中可能会有所变化,实际性能也可能随时间变化。所有工作参数,包括“典型值”,都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。
FDMS0306AS N - 通道PowerTrench® SyncFET™凭借其低导通电阻、先进的封装和硅技术、肖特基体二极管等特性,在功率转换应用中具有显著优势。电子工程师在设计相关电路时,可以根据其电气参数和典型特性曲线,合理选择和使用该器件,同时要注意命名变更、应用限制和参数验证等问题。大家在实际应用中是否遇到过类似器件的使用难题呢?欢迎在评论区分享交流。
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