安森美FDMC86570LET60：高性能N沟道MOSFET的技术剖析

在电子工程师的日常设计中，MOSFET是至关重要的元件，其性能直接影响电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入剖析安森美（onsemi）的FDMC86570LET60这款N沟道MOSFET。

文件下载：FDMC86570LET60CN-D.PDF

产品概述

FDMC86570LET60采用了安森美带屏蔽栅极技术的先进POWERTRENCH工艺生产。这种工艺针对导通阻抗进行了优化，同时还能保持卓越的开关性能。该MOSFET的额定电压为60V，最大电流可达87A，导通电阻低至4.3mΩ，非常适合DC - DC转换等应用。

产品特性

高结温额定值

其(T_{J})额定值扩展到了175°C，这意味着它能够在较高的温度环境下稳定工作，大大提高了产品的可靠性和适用范围。大家可以思考一下，在高温环境下，其他MOSFET可能会出现性能下降甚至损坏的情况，而FDMC86570LET60却能保持稳定，这对于一些对温度要求较高的应用场景来说是不是非常关键呢？

屏蔽栅极MOSFET技术

屏蔽栅极技术的应用使得该MOSFET具有极低的导通电阻。在(V{GS}=10V)、(I{D}=18A)时，最大(r{DS(on)}=4.3mΩ)；在(V{GS}=4.5V)、(I{D}=15A)时，最大(r{DS(on)}=6.5mΩ)。这种低导通电阻可以有效降低功耗，提高电路效率。

高性能沟道技术

高性能沟道技术进一步实现了极低的(r_{DS(on)})，有助于减少能量损耗，提升整个系统的性能。

环保特性

终端为无铅产品，并且符合RHS标准，这符合现代电子产品对环保的要求。

最大额定值与热性能

最大额定值

在(T_{A}=25^{circ}C)的条件下，漏极连续电流可达436A，单脉冲雪崩能量和功耗也有相应的额定值。需要注意的是，如果电压超过最大额定值表中列出的值范围，器件可能会损坏，影响可靠性。所以在设计电路时，一定要确保各项参数在额定范围内。

热性能

热性能参数中，(R{theta JA})取决于安装在一平方英寸衬垫、2oz铜焊盘以及FR - 4材质尺寸1.5x1.5in.的衬垫上的器件，(R{theta CA})由用户的电路板设计确定。不同的安装方式会对热性能产生影响，大家在设计时要根据实际情况进行选择。

电气特性

关断特性

漏极 - 源极击穿电压(BV{DSS})在(I{D}=250μA)、(V{GS}=0V)时为60V，击穿电压温度系数为 - 30mV/°C。零栅极电压漏极电流(I{DSS})和栅极 - 源极漏电流(I_{GSS})都非常小，这有助于减少漏电，提高电路的稳定性。

导通特性

导通特性方面，不同的测试条件下有不同的参数。例如，在(I{D}=250μA)、参考(25^{circ}C)时，有相应的温度系数；在(V{GS}=10V)、(I_{D}=18A)时，导通电阻等参数也有明确的值。

动态特性

输入电容(C{iss})、输出电容(C{oss})、反向传输电容(C{rss})以及栅极阻抗(R{g})等动态特性参数，对于MOSFET的开关速度和性能有着重要的影响。在实际应用中，我们需要根据具体的电路要求来选择合适的MOSFET，以满足动态性能的需求。

开关特性

导通延迟时间(t{d(on)})、上升时间(t{r})、关断延迟时间(t{d(off)})和下降时间(t{f})等开关特性参数，决定了MOSFET的开关速度。总栅极电荷(Q_{g(TOT)})等参数也会影响开关过程中的能量损耗。

漏极 - 源极二极管特性

源极 - 漏极二极管正向电压(V{SD})、反向恢复时间(t{rr})和反向恢复电荷(Q_{rr})等参数，对于二极管的性能和整个电路的稳定性有着重要的作用。

典型特性

文档中给出了多个典型特性图，包括通态区域特性、标准化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、标准化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅极 - 源极电压的关系、转换特性、源极 - 漏极二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏极 - 源极电压的关系、非籍位电感开关能力、最大连续漏极电流与壳温的关系、正向偏压安全工作区和单个脉冲最大功耗等。这些特性图可以帮助我们更好地了解该MOSFET在不同条件下的性能表现，从而在设计电路时做出更合理的选择。

封装与定购信息

该MOSFET采用WDFN8 3.3x3.3, 0.65P封装，每盘有3000个。在定购时，大家可以参考文档中详细的定购和运输信息。

总的来说，安森美FDMC86570LET60是一款性能优异的N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高结温额定值等优点，适用于DC - DC转换等多种应用场景。在实际设计中，我们需要根据具体的电路要求，综合考虑其各项特性，以充分发挥其性能优势。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。