onsemi FDMC8010 N沟道MOSFET：小空间中的高性能之选

在电子设计领域，对于高性能、小尺寸的功率器件需求日益增长。今天，我们就来深入了解一下 onsemi 的 FDMC8010 N 沟道 MOSFET，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。

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一、产品概述

FDMC8010 采用了 onsemi 先进的 POWERTRENCH 工艺，该工艺经过特别优化，旨在最大程度地降低导通电阻 (R{DS(on)})。这使得该器件非常适合那些对超低 (R{DS(on)}) 有要求且空间有限的应用场景，如高性能电压调节模块（VRM）、负载点（POL）以及或门（Oring）功能等。

二、产品特性

低导通电阻

• 在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=30 A) 时，最大 (R{DS(on)}) 仅为 1.3 mΩ；在 (V{GS}=4.5 V)，(I{D}=25 A) 时，最大 (R{DS(on)}) 为 1.8 mΩ。这种极低的导通电阻能够有效降低功率损耗，提高系统效率。

  环保合规

  该器件为无铅产品，并且符合 RoHS 标准，满足环保要求。

三、应用领域

DC - DC 降压转换器

在 DC - DC 降压转换器中，FDMC8010 的低导通电阻特性可以减少能量损耗，提高转换效率，从而延长电池续航时间或降低电源的散热需求。

负载点（POL）

在负载点应用中，该器件能够快速响应负载变化，提供稳定的电压输出，确保系统的稳定性和可靠性。

高效负载开关和低端开关

作为高效负载开关和低端开关，FDMC8010 可以实现快速的开关动作，减少开关损耗，提高系统的整体性能。

或门 FET

在或门电路中，FDMC8010 能够有效地实现电源的切换和保护，确保系统在不同电源之间的平稳过渡。

四、电气特性

最大额定值

符号	参数	额定值	单位
(V_{DS})	漏源电压	30	V
(V_{GS})	栅源电压	± 20	V
(I_{D})	连续漏极电流（封装限制）	75	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	153	mJ
(P_{D})	功率耗散	54	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围	-55 至 +150	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

符号	参数	额定值	单位
(R_{theta JC})	结到外壳的热阻	2.3	°C/W
(R_{theta JA})	结到环境的热阻（特定条件下）	53	°C/W

热阻参数对于评估器件的散热性能至关重要，在设计散热方案时需要充分考虑。

静态特性

• 击穿电压：(BVDSS)（漏源击穿电压）在 (I{D}=1 mA)，(V{GS}=0 V) 时为 30 V，其温度系数 (BVDSS/TJ) 为 15 mV/°C。
• 漏极电流：零栅压漏极电流 (IDSS) 在 (V{DS}=24 V)，(V{GS}=0 V) 时为 1 μA。
• 栅源泄漏电流：(IGSS) 在 (V{GS}=20 V)，(V{DS}=0 V) 时为 100 nA。

导通特性

• 栅源阈值电压：在 (I_{D}=1 mA) 时，参考 (25^{circ}C)，典型值为 1.5 V，范围在 1.2 - 2.5 V 之间。
• 静态漏源导通电阻：在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=30 A) 时，最大为 1.3 mΩ；在 (V{GS}=4.5 V)，(I{D}=25 A) 时，也能保持较低的电阻值。

动态特性

• 输入电容：(Ciss) 在 (V{DS}=15 V)，(V{GS}=0 V) 时为 4405 pF。
• 输出电容：(Coss) 在 (f = 1 MHz) 时为 1570 pF。
• 反馈电容：(Crss) 为 167 pF。
• 栅极电阻：(Rg) 范围在 0.5 - 1.25 Ω 之间。

开关特性

• 导通延迟时间：(td(on)) 在 (RGEN = 6 Ω) 时为 15 ns。
• 关断延迟时间：(td(off)) 为 40 - 64 ns。
• 下降时间：(tf) 为 5.3 - 11 ns。
• 总栅极电荷：(Qg) 在不同条件下有不同的值，例如在 (ID = 30A) 时为 32 - 45 nC。
• 栅漏“米勒”电荷：(Qgd) 为 9.5 nC。

漏源二极管特性

漏源二极管的正向电压典型值为 0.7 V，反向恢复时间为 78 ns，反向恢复电荷 (Qm) 为 46 nC。

五、典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，这些曲线直观地展示了器件在不同条件下的性能表现。例如，导通电阻与结温、漏极电流和栅源电压的关系曲线，有助于工程师在设计时更好地评估器件在不同工况下的性能。

六、封装与订购信息

FDMC8010 采用 WDFN8（Power 33）封装，每盘 3000 个，采用带盘包装。关于带盘规格的详细信息，可以参考相关的包装规范手册。

七、总结

总的来说，onsemi 的 FDMC8010 N 沟道 MOSFET 凭借其超低的导通电阻、良好的电气性能和环保合规性，在小空间、高性能的应用场景中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时，可以充分考虑该器件的特性，以实现系统的高效、稳定运行。大家在实际应用中是否遇到过类似的高性能 MOSFET 呢？它们在实际使用中的表现如何？欢迎在评论区分享你的经验和见解。