电子说
在电子工程师的日常设计工作中,MOSFET 是一种常用且关键的器件。今天我们就来详细探讨一下 onsemi 公司的 FDMC6696P P 沟道 MOSFET,看看它有哪些特性和应用场景。
文件下载:FDMC6696P-D.PDF
FDMC6696P 是 onsemi 采用先进的 POWERTRENCH 工艺生产的 P 沟道 MOSFET。该工艺针对导通电阻($R_{DS(on)}$)、开关性能和耐用性进行了优化,使得这款 MOSFET 在众多应用中都能有出色的表现。
| Symbol | Parameter | Value | Unit |
|---|---|---|---|
| $V_{DS}$ | Drain to Source Voltage | −20 | V |
| $V_{GS}$ | Gate to Source Voltage | ± 12 | V |
| $I_{D}$ | Drain Current: Continuous, $T{C} = 25 °C$ (Note 5) Continuous, $T{C} = 100 °C$ (Note 5) Continuous, $T_{A} = 25 °C$ (Note 1a) Pulsed (Note 4) |
−75 −47 −18 −335 |
A |
| $E_{AS}$ | Single Pulse Avalanche Energy (Note 3) | 54 | mJ |
| $P_{D}$ | Power Dissipation: $T{C} = 25 °C$ $T{A} = 25 °C$ (Note 1a) |
40 2.4 |
W |
| $T{J}$, $T{STG}$ | Operating and Storage Junction Temperature Range | −55 to +150 | $°C$ |
需要注意的是,超过这些最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。大家在实际应用中一定要严格遵循这些额定值的限制。
文档中详细给出了该 MOSFET 的各类电气特性,包括关断特性、导通特性、动态特性、开关特性以及漏源二极管特性等。例如,在关断特性中,$I{D}=-250 mu A$,$V{GS}=0 V$ 时,漏源击穿电压 $B_{VDSS}=-20 V$。这些特性参数是工程师进行电路设计和性能评估的重要依据。大家在参考这些参数时,有没有遇到过参数与实际测试结果有偏差的情况呢?
文档中提供了一系列典型特性曲线,如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。通过这些曲线,工程师可以直观地了解该 MOSFET 在不同工作条件下的性能变化。例如,从归一化导通电阻与结温的关系曲线中,我们可以看到随着结温的升高,导通电阻会发生怎样的变化,从而在设计时考虑到温度对器件性能的影响。
该器件采用 PQFN8 封装,同时文档中给出了详细的封装尺寸和订购信息。在设计电路板时,准确的封装尺寸信息对于 PCB 布局至关重要。
总之,onsemi 的 FDMC6696P P 沟道 MOSFET 凭借其低导通电阻、高性能和环保等特性,在多种电子应用中具有很大的优势。电子工程师们在设计相关电路时,可以充分考虑这款器件的这些特点,以实现更高效、更可靠的电路设计。大家在使用类似的 MOSFET 器件时,还有哪些经验和心得可以分享呢?
虽然在豆柴文库中未搜索到 onsemi FDMC6696P P 沟道 MOSFET 的应用案例,但在实际电子设计中,我们可以根据其特性推测一些可能的应用场景。
大家在实际应用中,是否遇到过类似的应用场景呢?是否还有其他可能的应用案例可以分享?
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