Onsemi FDMA7672 MOSFET：高效同步降压转换器的理想之选

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能表现直接影响到整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下Onsemi公司推出的FDMA7672单N沟道MOSFET，它专为同步降压转换器设计，具有出色的性能特点。

文件下载：FDMA7672-D.pdf

一、产品概述

FDMA7672是一款专为同步降压转换器打造的MOSFET，旨在提供最高的效率和热性能。其低导通电阻（$R_{DS (on)}$）和栅极电荷特性，使其具备卓越的开关性能。此外，该器件采用新型MicroFET 2×2 mm封装，高度仅为0.8 mm，具有低外形的特点，并且符合无铅、无卤和RoHS标准。

二、产品特性

1. 低导通电阻

• 在$V{GS}=10 V$，$I{D}=9.0 A$的条件下，最大$R_{DS(on)}$为21 mΩ。
• 在$V{GS}=4.5 V$，$I{D}=7 A$的条件下，最大$R_{DS(on)}$为32 mΩ。 低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小，从而提高了电路的效率。

2. 低外形封装

采用MicroFET 2×2 mm封装，最大高度仅为0.8 mm，适合对空间要求较高的应用场景。

3. 环保标准

该器件符合无铅、无卤和RoHS标准，满足环保要求。

三、应用领域

FDMA7672主要应用于DC - DC降压转换器，能够为各种电子设备提供稳定的电源转换。

四、绝对最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
$V_{DSS}$	漏源电压	30	V
$V_{GSS}$	栅源电压	± 20	V
$I_{D}$	连续漏极电流（$T_{A} = 25 °C$）	9	A
	脉冲漏极电流（$T_{A} = 25 °C$）	24	A
$P_{D}$	功率耗散（$T_{A} = 25 °C$，条件1a）	2.4	W
	功率耗散（$T_{A} = 25 °C$，条件1b）	0.9	W
$T{J}, T{STG}$	工作和存储结温范围	–55 to +150	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

五、热特性

Symbol	Parameter	Ratings	Unit
$R_{θJC}$	结到外壳的热阻	6.9	°C/W
$R_{θJA}$	结到环境的热阻（条件1a）	52	°C/W
	结到环境的热阻（条件1b）	145	°C/W

热阻是衡量器件散热能力的重要指标，合理的热设计对于保证器件的性能和可靠性至关重要。

六、电气特性

1. 关断特性

• 漏源击穿电压$B{V{DSS}}$：在$I{D}=250 μA$，$V{GS}=0 V$的条件下，最小值为30 V。
• 击穿电压温度系数：为16 mV/°C。
• 零栅压漏极电流$I{DSS}$：在$V{DS}=24 V$，$V_{GS}=0 V$的条件下，最大值为100 μA。
• 栅源泄漏电流$I{GSS}$：在$V{GS}= ±20 V$，$V_{DS}=0 V$的条件下，最大值为1 nA。

2. 导通特性

• 栅源阈值电压$V{GS(th)}$：在$V{GS}=V{DS}$，$I{D}=250 μA$的条件下，最小值为1.0 V，典型值为2.1 V，最大值为3.0 V。
• 栅源阈值电压温度系数$Delta V{GS(th)}$：在$I{D}=250 μA$，参考温度为$25 °C$的条件下，为 -6 mV/°C。
• 静态漏源导通电阻$R{DS(on)}$：在不同的$V{GS}$和$I{D}$条件下有不同的值，例如在$V{GS}=10 V$，$I_{D}=9.0 A$时，典型值为14 mΩ，最大值为21 mΩ。

3. 动态特性

• 输入电容$C{iss}$：在$V{DS}=15V$，$V_{GS}=0V$的条件下，最小值为570 pF，典型值为760 pF。
• 输出电容$C_{oss}$：在$f = 1.0 MHz$的条件下，最小值为195 pF，典型值为260 pF。
• 反向传输电容$C_{rss}$：最小值为25 pF，典型值为40 pF。
• 栅极电阻$R_{G}$：为1.5 Ω。

4. 开关特性

• 导通延迟时间$t{d(on)}$：在$V{DD}=15 V$，$I_{D}=9.0 A$的条件下，典型值为6 ns，最大值为12 ns。
• 上升时间$t{r}$：在$V{GS}=10 V$，$R_{GEN}=6 Ω$的条件下，典型值为2 ns，最大值为10 ns。
• 关断延迟时间$t_{d(off)}$：典型值为14 ns，最大值为25 ns。
• 下降时间$t_{f}$：典型值为2 ns，最大值为10 ns。
• 总栅极电荷$Q{g}$：在$V{GS}=0 V$到$10 V$，$V{DD}=15 V$，$I{D}=9.0 A$的条件下，典型值为9.3 nC，最大值为13 nC。

5. 漏源二极管特性

• 最大连续漏源二极管正向电流$I_{S}$：为2 A。
• 源漏二极管正向电压$V{SD}$：在$V{GS}=0 V$，$I_{S}=2.0 A$的条件下，最小值为0.8 V，最大值为1.2 V。
• 反向恢复时间$t{rr}$：在$I{F}=9.0 A$，$di / dt=100 A / μs$的条件下，最小值为18 ns，最大值为32 ns。
• 反向恢复电荷$Q_{rr}$：最小值为5 nC，最大值为10 nC。

七、典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、正向偏置安全工作区、单脉冲最大功率耗散和瞬态热响应曲线等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，从而进行合理的设计。

八、订购信息

Device	Device Marking	Package Type	Reel Size	Tape Width	Shipping
FDMA7672	672	WDFN6 2x2, 0.65P (Pb−Free/Halide Free)	7”	8 mm	3000 / Tape & Reel

九、机械尺寸和推荐焊盘图案

文档提供了WDFN6 2x2, 0.65P封装的机械尺寸和推荐焊盘图案，工程师在进行PCB设计时需要参考这些信息，以确保器件的正确安装和良好的电气连接。

十、总结

Onsemi的FDMA7672 MOSFET以其低导通电阻、低外形封装和出色的开关性能，为同步降压转换器提供了高效的解决方案。在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，结合器件的各项特性和参数，进行合理的电路设计和热设计，以充分发挥该器件的优势。同时，要注意器件的绝对最大额定值，避免因超过额定值而损坏器件。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的设计经验呢？欢迎在评论区分享。