Onsemi FDMA1029PZ双P沟道MOSFET：超便携应用的理想之选

在电子设备小型化、高性能化的今天，电池充电开关等关键部件的性能和尺寸成为了设计的关键考量因素。Onsemi的FDMA1029PZ双P沟道MOSFET以其出色的性能和紧凑的封装，为手机和其他超便携应用提供了理想的解决方案。

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产品概述

FDMA1029PZ专门设计用于手机和其他超便携设备的电池充电开关，采用单封装形式，集成了两个独立的P沟道MOSFET。其低导通电阻特性有效降低了传导损耗，在常见的共源配置下，还能实现双向电流流动，为电路设计提供了更大的灵活性。

产品特性

电气性能

• 电压与电流额定值：具备 -20V 的漏源电压（$V{DS}$）和 ±12V 的栅源电压（$V{GS}$），连续漏极电流可达 -3.1A，脉冲电流更是高达 -6A，能满足不同应用场景下的电流需求。
• 导通电阻：在$V{GS}=-4.5V$时，$R{DS(ON)}$仅为 95mΩ；$V{GS}=-2.5V$时，$R{DS(ON)}$为 141mΩ。低导通电阻有助于减少功耗，提高设备的效率。
• 阈值电压：栅极阈值电压$V{GS(th)}$在$I{D}=-250mu A$且参考温度为$25^{circ}C$时，范围在 -1.0V 到 -4V 之间。

封装与散热

• MicroFET 2x2 封装：该封装尺寸小巧，高度仅 0.8mm ，却拥有出色的散热性能，非常适合线性模式应用。
• 热阻特性：在不同的安装条件下，热阻表现有所不同。例如，在单操作模式下，安装在$1in^{2}$的 2oz 铜焊盘上时，热阻$R_{theta JA}$为$86^{circ}C/W$；而在双操作模式下，同样的安装条件热阻为$69^{circ}C/W$。良好的散热性能有助于保证设备在高负载下的稳定性。

其他特性

• ESD 保护：HBM ESD 保护等级 > 2.5kV，有效防止静电对设备造成损坏。
• 环保特性：该器件无铅、无卤化物，符合 RoHS 标准，体现了环保理念。

电气特性详解

关断特性

• 漏源击穿电压：$BVDSS$在$V{GS}=0V$、$I{D}=-250mu A$时为 -20V，且其击穿电压温度系数为 -12mV/°C。
• 零栅压漏极电流：$IDSS$在$V{DS}=-16V$、$V{GS}=0V$时为 -1A。
• 栅体泄漏电流：$IGSS$在$V{GS}=±12V$、$V{DS}=0V$时为 ±10A。

导通特性

• 正向跨导：$gFS$在$V{DS}=-10V$、$I{D}=-3.1A$时为 -11S。

动态特性

• 输入电容：$C{iss}$在$V{DS}=-10V$、$V_{GS}=0V$、$f = 1.0MHz$时为 540pF。
• 输出电容：$C_{oss}$为 120pF。
• 反向传输电容：$C_{rss}$为 100pF。

开关特性

• 导通延迟时间：$td(on)$在$V{DD}=-10V$、$I{D}=-1A$、$V{GS}=-4.5V$、$R{GEN}=6Ω$时，范围在 13ns 到 24ns 之间。
• 关断延迟时间：为 59ns。
• 关断下降时间：为 36ns。
• 总栅极电荷：$Qg$在$V{DS}=-10V$、$I{D}=-3.1A$、$V_{GS}=-4.5V$时为 10nC。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、导通电阻随温度的变化、导通电阻随栅源电压的变化、传输特性、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、栅极电荷特性、电容特性、最大安全工作区、单脉冲最大功率耗散以及瞬态热响应曲线等。这些曲线为工程师在实际设计中提供了重要的参考依据，帮助他们更好地了解器件在不同条件下的性能表现。

封装与订购信息

FDMA1029PZ采用 WDFN6 2x2, 0.65P（MicroFET 2x2）封装，标记为 029。它以 7” 卷轴、8mm 胶带的形式包装，每卷 3000 个。对于有需求的工程师，可以参考文档第 5 页的详细订购和运输信息。

Onsemi 的 FDMA1029PZ双P沟道MOSFET凭借其优秀的电气性能、紧凑的封装和良好的散热特性，为超便携设备的电池充电开关设计提供了可靠的解决方案。在实际应用中，工程师可以根据具体的设计需求，结合器件的各项特性进行合理的电路设计。你在使用类似 MOSFET 器件时，遇到过哪些挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。