深入了解 onsemi NTR1P02L 和 NVTR01P02L P 沟道 MOSFET

在电子设备的电源管理领域，MOSFET 扮演着至关重要的角色。今天，我们来深入探讨 onsemi 公司推出的两款 P 沟道 MOSFET——NTR1P02L 和 NVTR01P02L，了解它们的特点、参数以及应用场景。

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产品概述

NTR1P02L 和 NVTR01P02L 是采用 SOT - 23 封装的微型表面贴装 MOSFET。它们具有低导通电阻（$R_{DS(on)}$）的特性，这一特性能够确保最小的功率损耗，有效节约能源。因此，这两款器件非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路中。常见的应用场景包括 DC - DC 转换器，以及便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、PCMCIA 卡、蜂窝电话和无绳电话）的电源管理。

产品特性

低导通电阻

低 $R_{DS(on)}$ 能够提供更高的效率，延长电池使用寿命。这对于电池供电的设备来说尤为重要，因为它可以减少能量损耗，从而延长设备的使用时间。大家在设计电池供电设备时，有没有特别关注过 MOSFET 的导通电阻呢？

微型封装

采用 SOT - 23 表面贴装封装，能够节省电路板空间。在如今追求小型化的电子设备设计中，这种节省空间的封装形式无疑是一大优势。

汽车级应用

NVTR 前缀的产品适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且符合 AEC - Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这意味着这些产品在汽车等对可靠性要求极高的领域也能稳定工作。

环保封装

提供无铅和无卤化物封装选项，符合环保要求。在环保意识日益增强的今天，这一特性也使得产品更具竞争力。

最大额定值

以下是这两款 MOSFET 在 $T_{J}=25^{circ} C$ 时的最大额定值：	额定值	符号	值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	-20	V
栅源连续电压	$V_{GS}$	±12	V
连续漏极电流（$T{A}=25^{circ} C$）/脉冲漏极电流（$t{p} leq 10 mu s$）	$I{D}$ / $I{DM}$	-1.3 / -4.0	A
总功率耗散（$T_{A}=25^{circ} C$）	$P_{D}$	400	mW
工作和存储温度范围	$T{J}$, $T{stg}$	-55 至 150	°C
结到环境的热阻	$R_{JA}$	300	°C/W
焊接时的最大引脚温度（距外壳 1/8" 处，持续 10 s）	$T_{L}$	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能正常，可能会发生损坏并影响可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：在 $V{GS}=0 V$，$I{D}=-10 mu A$ 的条件下，$V_{(BR)DSS}$ 为 -20 V。
• 零栅压漏极电流：在不同条件下有不同的值，如在 $V{DS}=-16 V$，$V{GS}=0 V$ 时，以及 $V{DS}=-16V$，$V{GS}=0V$，$T_{J}=125^{circ} C$ 时，分别有不同的电流值。
• 栅体泄漏电流：在 $V{GS}= pm 12 V$，$V{DS}=0 V$ 时，$I_{GSS}$ 最大为 ±100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：在 $V{DS}=V{GS}$，$I{D}=-250 mu A$ 的条件下，$V{GS(th)}$ 范围为 -0.7 至 -1.25 V。
• 静态漏源导通电阻：在不同的 $V{GS}$ 和 $I{D}$ 条件下有不同的值，如在 $V{GS}=-4.5 V$，$I{D}=-0.75 A$ 时，$R{DS(on)}$ 最大为 0.22 Ω；在 $V{GS}=-2.5 V$，$I{D}=-0.5 A$ 时，$R{DS(on)}$ 最大为 0.35 Ω。

动态特性

• 输入电容：在 $V{DS}=-5.0 V$ 时，$C{iss}$ 典型值为 225 pF。
• 输出电容：在 $V{DS}=-5.0 V$ 时，$C{oss}$ 典型值为 130 pF。
• 转移电容：在 $V{DS}=-5.0 V$ 时，$C{rss}$ 典型值为 55 pF。

开关特性

• 导通延迟时间：在特定条件下（$V{GS}=-4.5 V$，$V{DD}=-5.0 V$，$I{D}=-1.0 A$，$R{L}=5.0 Omega$，$R{G}=6.0 Omega$），$t{d(on)}$ 典型值为 7.0 ns。
• 上升时间：$t_{r}$ 典型值为 15 ns。
• 关断延迟时间：$t_{d(off)}$ 典型值为 18 ns。
• 下降时间：$t_{f}$ 典型值为 9 ns。
• 总栅极电荷：在 $V{DS}=-16 V$，$I{D}=-1.5 A$，$V{GS}=-4.5 V$ 时，$Q{T}$ 典型值为 3.1 nC。

源漏二极管特性

• 连续电流：$I_{S}$ 最大为 -0.6 A。
• 脉冲电流：$I_{SM}$ 最大为 -0.75 A。
• 正向电压：在 $V{GS}=0 V$，$I{S}=-0.6 A$ 时，$V_{SD}$ 最大为 -1.0 V。
• 反向恢复时间：在 $I{S}=-1.0 A$，$V{GS}=0 V$，$dI{S} / dt=100 A / mu s$ 时，$t{rr}$ 典型值为 16 ns。
• 反向恢复存储电荷：$Q_{RR}$ 典型值为 8.5 nC。

产品的参数性能在电气特性中针对列出的测试条件进行了说明。如果在不同条件下运行，产品性能可能无法通过电气特性体现。同时，脉冲测试的脉冲宽度 ≤300 μs，占空比 ≤2%，开关特性与工作结温无关。

订购信息

器件	封装	包装方式
NTR1P02LT1G	SOT - 23（无铅）	3000 盘带包装
NTR1P02LT3G	SOT - 23（无铅）	10,000 盘带包装
NVTR01P02LT1G	SOT - 23（无铅）	3000 盘带包装

机械尺寸和引脚分配

文档中还提供了 SOT - 23 封装的机械尺寸图和引脚分配信息。不同的引脚分配风格适用于不同的应用场景，大家在设计时需要根据具体需求选择合适的引脚分配方式。

总结

onsemi 的 NTR1P02L 和 NVTR01P02L P 沟道 MOSFET 以其低导通电阻、微型封装等特性，为电源管理电路提供了高效、节省空间的解决方案。无论是在便携式设备还是汽车电子等领域，都能发挥重要作用。在实际设计中，电子工程师需要根据具体的应用场景和需求，合理选择和使用这些器件，以确保电路的性能和可靠性。大家在使用类似 MOSFET 时，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的经验呢？欢迎在评论区分享。