深入解析NTR1P02和NVR1P02 P沟道MOSFET

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，对电路性能起着至关重要的作用。今天我们就来详细探讨一下安森美（onsemi）的NTR1P02和NVR1P02这两款P沟道MOSFET。

文件下载：NTR1P02T1-D.PDF

产品概述

NTR1P02和NVR1P02是采用SOT - 23封装的P沟道功率MOSFET。它们的额定电压为 - 20V，额定电流为 - 1A。这两款器件具有超低导通电阻的特性，能够有效提高效率并延长电池寿命，非常适合应用于便携式和电池供电产品的电源管理。

产品特性

高效节能

超低导通电阻是这两款MOSFET的一大亮点。导通电阻越低，在导通状态下的功率损耗就越小，从而提高了整个电路的效率。对于电池供电的设备来说，这意味着更长的电池续航时间。想象一下，在一款便携式设备中，使用了NTR1P02或NVR1P02后，用户可以减少充电的频率，这对于提升用户体验是非常有帮助的。

节省空间

采用微型SOT - 23表面贴装封装，这种封装形式体积小巧，能够有效节省电路板空间。在如今追求小型化和集成化的电子设备设计中，这一特性显得尤为重要。比如在一些小型的可穿戴设备中，电路板空间非常有限，SOT - 23封装的MOSFET就能够很好地满足设计需求。

汽车级应用

NVR前缀的器件适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。这意味着它们在汽车电子等对可靠性要求极高的领域也能稳定工作。

环保合规

这两款器件是无铅的，并且符合RoHS标准，符合现代电子行业对环保的要求。

应用领域

DC - DC转换器

在DC - DC转换器中，NTR1P02和NVR1P02可以作为开关器件，利用其低导通电阻的特性，减少能量损耗，提高转换效率。

计算机和打印机

在计算机和打印机的电源管理电路中，它们能够稳定地控制电流，确保设备的正常运行。

PCMCIA卡

PCMCIA卡对体积和功耗有一定的要求，这两款MOSFET的小封装和低功耗特性正好满足其需求。

移动电话

无论是蜂窝电话还是无绳电话，都需要高效的电源管理，NTR1P02和NVR1P02可以帮助延长电池续航时间。

关键参数

最大额定值

额定参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	- 20	V
栅源连续电压	VGS	+ 20	V
连续漏极电流（$T_{A}=25^{circ}C$）	ID	- 1.0	A
脉冲漏极电流（$t_{p} leq 1mu s$）	IDM	- 2.67	A
总功率耗散（$T_{A}=25^{circ}C$）	PD	400	mW
工作和存储温度范围	TJ, Tstg	- 55 to 150	°C
热阻（结到环境）	RUA	300	°C/W
焊接时最大引脚温度（距外壳1/8英寸，10s）	TL	260	°C

需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：$V{(BR)DSS}$在$V{GS}=0V$，$I_{D}=-10mu A$时，最小值为 - 20V，典型值为 - 32V，并且具有正温度系数。
• 零栅压漏极电流：在不同温度下有不同的值，在$T{J}=25^{circ}C$和$T{J}=150^{circ}C$时，最大值为 - 1.0aA。
• 栅体泄漏电流：在$V{GS}= pm 20V$，$V{DS}=0V$时，最大值为 ± 100nA。

导通特性

• 栅阈值电压：$V{GS(th)}$在$V{DS}=V{GS}$，$I{D}=-250mu A$时，典型值为 - 2.3V，并且具有负温度系数。
• 静态漏源导通电阻：在不同的$V{GS}$和$I{D}$条件下有不同的值，例如在$V{GS}=-10V$，$I{D}=-1.5A$时，典型值为0.148Ω，最大值为0.180Ω。

动态特性

• 输入电容：$C_{iss}$典型值为165pF。
• 输出电容：在$V{DS}=-5V$，$V{GS}=0V$，$f = 1.0MHz$时，$C_{oss}$典型值为110pF。
• 反向传输电容：在$V{DS}=-5V$，$V{GS}=0V$，$f = 1.0MHz$时，$C_{rss}$典型值为35pF。

开关特性

在特定的测试条件下，如$V{DD}=-15V$，$I{D}=-1A$，$V{GS}=-5V$，$R{G}=2.5Omega$，开启延迟时间$t{d(on)}$典型值为7.0ns，上升时间$t{r}$典型值为9.0ns，关断延迟时间$t{d(off)}$典型值为9.0ns，下降时间$t{f}$典型值为3.0ns。

体漏二极管额定值

• 二极管正向导通电压：在$I{S}=-0.6A$，$V{GS}=0V$，$T_{J}=150^{circ}C$时，典型值为 - 0.8V，最大值为 - 1.0V。
• 反向恢复时间：$t_{rr}$典型值为13.5ns。
• 反向恢复存储电荷：在$I{S}=-1A$，$dl{S}/dt = 100A/mu s$，$V_{GS}=0V$时，典型值为0.008μC。

订购信息

器件型号	封装	包装方式
NTR1P02T1G	SOT - 23（无铅）	3000 / 卷带包装
NVR1P02T1G	SOT - 23（无铅）	3000 / 卷带包装
NTR1P02T3G	SOT - 23	10000 / 卷带包装（已停产）

总结

NTR1P02和NVR1P02这两款P沟道MOSFET凭借其超低导通电阻、小封装、环保合规等特性，在便携式设备、汽车电子等多个领域都有广泛的应用前景。电子工程师在设计电路时，可以根据具体的需求，合理选择这两款器件，以实现高效、可靠的电源管理。大家在实际应用中，有没有遇到过使用MOSFET时的一些问题呢？欢迎在评论区分享交流。