深入解析NTR1P02与NVR1P02 P沟道MOSFET

在电子设计的领域中，MOSFET作为关键元件，在众多电路设计里发挥着至关重要的作用。今天，我们就来深入剖析安森美（onsemi）的NTR1P02与NVR1P02这两款P沟道MOSFET。

文件下载：NTR1P02T1-D.PDF

产品概述

NTR1P02与NVR1P02是采用SOT - 23封装的P沟道功率MOSFET，其额定参数为 - 20V、 - 1A。这两款器件具备一系列出色的特性，适用于多种应用场景。

产品特性亮点

高效节能

超低导通电阻是这两款MOSFET的一大显著优势。这一特性能够有效降低导通损耗，提供更高的效率，在便携式和电池供电产品中，能够显著延长电池的使用寿命。看到这里，大家有没有想过在自己的项目中使用这类低导通电阻的MOSFET，能为电池续航带来多大的提升呢？

节省空间

微型的SOT - 23表面贴装封装，在当今追求小型化的电子产品设计中具有很大的优势，它可以大大节省电路板空间。并且文档中还提供了该封装的安装信息，方便工程师进行设计。

应用广泛

NVR前缀的产品适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。同时，这两款器件均为无铅产品，符合RoHS标准，满足环保要求。

应用场景

这两款MOSFET的应用场景十分广泛，涵盖了DC - DC转换器、计算机、打印机、PCMCIA卡、蜂窝和无绳电话等领域。在这些应用中，它们能够稳定可靠地工作，为电路的正常运行提供保障。

关键参数解读

最大额定值

额定参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	- 20	V
栅源连续电压	VGS	+ 20	V
连续漏极电流（$T_{A}=25^{circ}C$）	ID	- 1.0	A
脉冲漏极电流（$t_{p} leq 1 mu s$）	IDM	- 2.67	A
总功耗（$T_{A}=25^{circ}C$）	PD	400	mW
工作和存储温度范围	TJ, Tstg	- 55 to 150	°C
热阻（结到环境）	RUA	300	°C/W
焊接时最大引脚温度（距外壳1/8英寸，10s）	TL	260	°C

需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：$V{(BR)DSS}$ 在 $V{GS}=0V$，$I_{D}=-10mu A$ 时，最小值为 - 20V，典型值为 - 32V，具有正温度系数。
• 零栅压漏极电流：在不同温度条件下有不同的表现，如在 $T{J}=25^{circ}C$ 和 $T{J}=150^{circ}C$ 时，其值有所变化。
• 栅体泄漏电流：在 $V{GS}= pm 20V$，$V{DS}=0V$ 时，最大值为 ±100nA。

导通特性

• 栅阈值电压：$V{GS(th)}$ 在 $V{DS}=V{GS}$，$I{D}=-250 mu A$ 时，最小值为 - 1.1V，典型值为 - 2.3V，最大值为 - 4.0V，具有负温度系数。
• 静态漏源导通电阻：在不同的栅源电压和漏极电流条件下有相应的值，如 $V{GS}=-10V$，$I{D}=-1.5A$ 时，典型值为 0.148Ω，最大值为 0.180Ω；$V{GS}=-4.5V$，$I{D}=-0.75A$ 时，典型值为 0.235Ω，最大值为 0.280Ω。

动态特性

• 输入电容：$C_{iss}$ 典型值为 165pF。
• 输出电容：在特定条件下（$V{DS}=-5V$，$V{GS}=0V$，$f = 1.0MHz$），$C_{oss}$ 典型值为 110pF。
• 反向传输电容：在相同特定条件下，$C_{rss}$ 典型值为 35pF。

开关特性

包括开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间、总栅极电荷、栅源电荷和栅漏电荷等参数，这些参数对于评估MOSFET的开关性能至关重要。

体漏二极管额定值

涉及二极管正向导通电压、反向恢复时间、反向恢复存储电荷等参数，在实际应用中需要考虑这些参数对电路性能的影响。

订购信息

器件	封装	包装
NTR1P02T1G	SOT - 23（无铅）	3000 / 卷带包装
NVR1P02T1G	SOT - 23（无铅）	3000 / 卷带包装
NTR1P02T3G	SOT - 23	10000 / 卷带包装（已停产）

封装与尺寸

器件采用SOT - 23（TO - 236）封装，文档中详细给出了封装的尺寸参数，包括A、A1、b、C、D、E、e、L、L1、HE、T等各尺寸的最小值、标称值和最大值。同时，还提供了不同引脚定义的多种样式，方便工程师根据具体需求进行选择。

在实际的电子设计中，我们需要充分考虑这些参数和特性，结合具体的应用场景，合理选择和使用这两款MOSFET。大家在以往的设计中，有没有遇到过因为MOSFET参数选择不当而导致的问题呢？欢迎在评论区分享自己的经验和见解。