电子说
在电子设计领域,DC - DC转换器是电源管理的关键组件。今天,我们聚焦于德州仪器(TI)的LM3208评估板,深入探讨其特性、工作条件、应用以及布局要点。
文件下载:LM3208TLEV.pdf
LM3208评估板是一款降压DC - DC转换器的工作演示板。它主要用于展示LM3208芯片的功能,为工程师提供一个直观的测试平台。对于想深入了解降压转换器拓扑、器件电气特性和组件选择的工程师来说,除了本评估板文档,还需参考特定的器件数据手册。
LM3208专为单节锂离子电池为射频功率放大器(PA)供电而优化,但也适用于许多其他应用场景。它能将2.7V至5.5V的输入电压降压为0.8V(典型值)至3.6V(典型值)的可变输出电压。通过(V_{CON})模拟输入来设置输出电压,从而控制射频PA的功率水平和效率。
输入电压(V{IN})范围为2.7V ≤ (V{IN}) ≤ 5.5V,这决定了该芯片适用的电源范围。
控制电压(V{CON})范围为0.32V ≤ (V{CON}) ≤ 1.44V,它通过公式(V{OUT}=2.5 × V{CON})来控制输出电压。
输出电流(I{OUT})范围为0mA ≤ (I{OUT}) ≤ 650mA,满足大多数中小功率应用的需求。
| Pin No | Name | Description |
|---|---|---|
| A1 | PV IN | 内部PFET开关的电源电压输入 |
| B1 | V DD | 模拟电源输入 |
| C1 | EN | 使能输入,高电平正常工作,低电平关机 |
| C2 | V CON | 电压控制模拟输入,在PWM模式下控制(V_{OUT}) |
| C3 | FB | 反馈模拟输入,连接到输出滤波电容器的输出端 |
| B3 | SGND | 模拟和控制地 |
| A3 | PGND | 功率地 |
| A2 | SW | 开关节点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器,需连接饱和电流额定值超过LM3208最大开关峰值电流限制规格的电感器 |
| Manufacture | Manufacture No | Description | |
|---|---|---|---|
| C1 (input C) | TDK | C2012X5R0J106M | 10µF,6.3V,20%,0805 (2012) |
| C2 (output C) | TDK | C1608X5R0J475M | 4.7µF,6.3V,20%,0603 (1608) |
| C3 (optional, input C) | 0.1µF,25V,0402 (1005) (推荐用于更好的噪声性能) | ||
| C4 (optional, filter for V CON ) | 10 - 100pF,25V,0402 (1005) (推荐用于更好的噪声性能) | ||
| L1 (inductor) | FDK | MIPW3226D3R0M | 3.0µH,Idc = 1000mA,Rdc = 0.12Ω,3.2×2.6×1.0mm |
| R1 (jumper PV IN to V DD ) | Vishay | CRCW04020R00F | 0Ω,0402 (1005) |
| V IN banana jack - red | Johnson Components | 108 - 0902 - 001 | 绝缘香蕉插头(红色) |
| V out banana jack - yellow | Johnson Components | 108 - 0907 - 001 | 绝缘香蕉插头(黄色) |
| GND banana jack - black | Johnson Components | 108 - 0903 - 001 | 绝缘香蕉插头(黑色) |
LM3208通过基于电感器的开关拓扑将较高的输入电压高效转换为较低的输出电压。在开关周期的前半部分,内部PMOS开关导通,输入电压施加到电感器,电流从(PV IN)线通过电感器流向输出电容器(C2)和负载;后半周期,PMOS关断,内部NMOS导通,电感器电流继续通过电感器从器件PGND线流向输出电容器(C2)和负载。
虽然图1和图2所示的LM3208评估板在设计时考虑了上述要点,但由于评估特定要求的限制,某些方面尚未优化。该板可作为参考,但并非理想设计。如有更多疑问,可联系TI代表。
作为电子工程师,在使用LM3208评估板进行设计时,你是否遇到过布局方面的挑战?你又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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