市场震荡：DDR止涨VS NAND狂飙

持续11个月的DRAM涨价潮在2026年3月正式按下暂停键，与之形成鲜明对比的是，NAND闪存价格迎来疯狂飙升，单月涨幅逼近40%，呈现“一稳一疯”的极端分化态势。根据相关机构数据，3月份PC DRAM标准产品（DDR4 8Gb 1Gx8）平均固定交易价格为13美元，与上月持平，标志着自2025年4月开启的连续涨价周期正式终结。机构分析指出，这一变化源于主要DRAM供应商与PC制造商在今年1-2月已敲定一季度合约价格，3月市场聚焦二季度供需谈判，交易零散导致价格趋于稳定。NAND市场则延续暴涨态势，3月份用于存储卡和USB驱动器的NAND标准产品（128Gb 16x8 MLC）平均价格达17.73美元，环比涨幅39.95%，累计涨价周期已达15个月。核心原因在于制造商加速向高层3D NAND转型，老旧工艺产品供应短缺，推动价格持续创下历史新高。

与此同时，中国深圳华强北电子市场传出DDR5内存条现货价格“断崖式下跌”的消息，上周售价约3000元的32GB DDR5内存，本周降幅达500-1050元，部分商户抛售价低至1950元。有商户透露，因前期价格过高导致“有价无市”，商家为缓解资金周转压力被迫降价套现。但供应链人士澄清，此次跌价的主要是服务器退役的拆机旧产品，原装DDR5价格并未波动。业界预期，主流厂商1Gb DDR5颗粒价格仍维持在5-7.5美元区间，多数观点认为，上游价格支撑下，此轮降价难以长期持续，存储器产业长期上行趋势未变。机构预测，2026年二季度一般型DRAM合约价格仍将季增58%-63%，NAND合约价格季增70%-75%。巨头博弈：三星SK海力士争雄HBM，韩国半导体出口创新高。

三星HBM营收暴增3倍，冲击历史最高利润
2026年第一季度，三星电子HBM（高带宽存储器）营收迎来爆发式增长，同比增幅超300%，核心得益于向英伟达供应的HBM3E以及2月率先量产的HBM4出货量激增。作为AI芯片核心供应商，英伟达的HBM需求持续旺盛，直接带动三星相关业务增长，而SK海力士也拿下英伟达Vera Rubin平台约七成HBM4订单，两家企业的竞争愈发激烈。外界预测，三星一季度营收有望突破120万亿韩元，营业利润超40万亿韩元（约合261亿美元），创下韩国企业单季利润新纪录。其中，DRAM业务营收预计超45万亿韩元，仅HBM营收就有望突破3万亿韩元，较2025年同期增长3倍以上。随着二季度HBM4大规模出货，三星HBM营收有望进一步攀升，同时计划扩大1c DRAM产能，巩固AI存储器市场主导地位。

SK海力士加码资本支出，誓要夺回HBM领先地位
面对三星的强势冲击，SK海力士选择以巨额资本支出反击，全力争夺HBM市场领导权。2025年，SK海力士全年资本支出达30.173万亿韩元，较2024年增长68.0%，占当年年收入的31.1%。此前，SK海力士凭借HBM3E占据英伟达独家供应商主导地位，但2025年下半年开始，三星加速向英伟达出货，且率先批量生产HBM4，美光也同步宣布量产HBM4，SK海力士的领先地位岌岌可危。目前SK海力士已建立HBM4量产体系，其供应份额远超市场预期，彰显了与英伟达长期合作的深厚基础。为应对竞争，SK海力士持续扩大投资，批准引进荷兰阿斯麦EUV扫描设备，计划持续至2027年12月；额外投资建设龙仁半导体集群一期晶圆厂，总投资额达31万亿韩元；同时推进ADR上市，计划今年下半年上市以补充资金，2026年资本支出有望较去年翻倍。

韩国半导体出口破800亿美元，中东战火引供应链隐忧
2026年3月，韩国出口额首次突破800亿美元，达861.3亿美元，同比增长48.3%，贸易顺差达257.4亿美元，均创下历史新高。其中，半导体出口成为核心驱动力，同比增长151.4%，达328.3亿美元，主要受益于AI服务器投资扩大、服务器需求回升以及内存价格飙升。除半导体外，汽车、次级电池、电脑等产品也实现均衡增长，但中东战火对韩国出口造成明显冲击，中东地区出口因物流中断暴跌49%，能源和石化行业受影响显著。更严峻的是，中东战火波及全球氦气供应——卡塔尔作为全球第二大氦气供应国，其生产设施因攻击停摆，而氦气是半导体制造的关键材料。三星与SK海力士目前备有4-6个月的氦气库存，正不惜支付高额溢价向美国抢货，若冲突持续，关键材料可能面临断链风险。

产业变革：铠侠停产退出，旧世代NAND缺口达40%铠侠全面退出2D NAND，台厂迎来转单商机
2026年3月31日，存储芯片大厂铠侠发布停产通知，宣布逐步退出部分传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS FLASH产品，涵盖32nm、24nm、15nm制程，包含多种产品形态。此次停产品项最后购买预测截止日为2026年9月30日，最终出货截止日为2028年12月31日，意味着2029年铠侠将正式退出2D NAND市场。业内分析，铠侠停产主要因NAND技术快速演进，MLC单位产值低于TLC、QLC，厂商正集中资源于高端产品。此次停产对普通消费市场影响有限，但工业级客户需提前备货，中国台湾相关供应链迎来转单商机，旺宏、慧荣等企业有望承接相关需求。

旧世代NAND缺口40%，价格涨幅或超200%
摩根士丹利（大摩）在最新报告中指出，2026年下半年，旧世代MLC与TLC NAND将面临约40%的供给缺口，核心原因是全球主要供应商持续缩减成熟制程产能。价格方面，大摩预测2026年全年MLC及成熟制程TLC价格涨幅可能超200%，主要支撑在于MLC更高的耐用性及工业、企业级应用的需求韧性。相比之下，DDR4价格涨势在3月后出现反弹，后续上涨空间有限，且DDR4无法适配AI应用，难以享受AI算力扩张红利。

国产突围：CJCC逼近全球前三，产业链锁定上游产能CJCC武汉3号线量产，有望超越SK海力士、美光
中国代表性NAND制造商CJCC正加速崛起，其武汉3号线工厂处于关键设备建设最后阶段，预计2026年下半年全面量产高端高层NAND产品，武汉1号线、2号线已接近最大产能。过去两年，CJCC产能快速扩张，年产量从2024年的129万片增至2025年的177万片，2026年预计接近200万片。武汉3号线投产后，CJCC NAND出货量将超越SK海力士、美光，跃居全球第三，目前正稳步提升200层产品份额，300层产品良率预计2026年趋于稳定。更值得关注的是，CJCC正突破海外市场壁垒，据路透社报道，苹果因担心NAND价格上涨影响iPhone利润率，正考虑将CJCC作为替代供应商，若达成合作，将标志着CJCC正式进入全球顶级设备制造商供应链。

产业链锁单备战，国产厂商加速布局
随着AI技术发展，全球存储器产业进入上行周期，兆易创新、CXCC、佰维存储等国产企业纷纷通过长期合约锁定上游晶圆供应，应对供需紧张与价格波动。兆易创新2025年存储器业务表现亮眼，截至2025年底，未履行合约金额达55.71亿元，2026年计划向CXCC采购57.11亿元DRAM产品，应对全球供给偏紧局面。佰维存储与上游原厂签订为期24个月、总金额15亿美元的晶圆采购合约，同时积极切入高端产品领域，推进自研主控芯片，已进入20余家车厂及Tier 1供应链。业内表示，产业链“长约锁单”反映产业向稳定长期合作转型，但也存在景气反转的成本风险，目前国产存储器在先进制程与高端产品上与国际大厂仍有提升空间。

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审核编辑 黄宇