建设银行领导莅临深圳争妍微电子考察交流 共商银企合作新篇章

          2026年4月9日，建设银行领导一行莅临深圳争妍微电子有限公司考察指导，双方围绕深化银企合作、赋能企业高质量发展展开深入交流。深圳争妍微电子有限公司总经理李学会率管理团队热情接待，并陪同参观公司荣誉展厅及核心业务展区。

实地参观：见证企业实力与创新成果

          考察期间，建行领导一行首先参观了公司荣誉墙，墙上陈列的“国家知识产权优势企业”“AAA级信用企业”“中央政府采购认证入库企业”等数十多项资质牌匾，直观展现了争妍微电子在技术创新、市场信誉及行业地位上的综合实力。李学会总经理详细介绍了公司自成立以来在半导体领域的深耕历程，重点展示了以“深圳争妍微二极管、争妍微三极管、争妍微MOSFET、争妍微可控硅、争妍微IGBT、争妍微SiC JBS、争妍微氮化镓HEMT、争妍微驱动IC”为核心的产品矩阵，以及这些产品在新能源、工业控制、消费电子等领域的应用成果。期间，李学会特别指出，公司技术实力的核心支撑来自于持续的自主创新——其个人拥有80余项半导体器件相关专利，其中40项发明专利及实用新型专利已获国家知识产权局授权；公司自有专利达32项，发明专利占比超90%，构建了坚实的技术壁垒。

座谈交流：共谋金融赋能产业新路径

          座谈会上，李学会总经理对建设银行长期以来的支持表示感谢，并指出：“作为专注功率半导体研发与制造的高新技术企业，争妍微电子始终坚持以技术创新驱动发展。当前，公司正加速布局第三代半导体（SiC、GaN）及智能驱动IC领域，亟需金融力量的精准支持。我们期待与建设银行在供应链金融、科技信贷、跨境结算等领域深化合作，共同探索‘金融+科技’融合新模式，为国产半导体产业链升级注入新动能。”

建设银行领导对争妍微电子的技术实力和发展潜力给予高度评价，表示将充分发挥国有大行的综合金融服务优势，针对半导体行业特点定制专属金融方案，助力企业突破技术瓶颈、拓展市场空间，实现银企互利共赢。

展望未来：携手助推国产半导体崛起

          此次考察交流为双方合作奠定了坚实基础。深圳争妍微电子有限公司将以此次交流为契机，继续聚焦“争妍微二极管、争妍微三极管、争妍微MOSFET、争妍微可控硅、争妍微IGBT、争妍微SiC JBS、争妍微氮化镓HEMT、争妍微驱动IC”等核心产品的技术迭代与市场拓展，同时深化与金融机构的战略协同，以更优质的产品和服务赋能全球客户，为中国半导体产业的自主创新与高质量发展贡献力量。