深入解析FDMB2308PZ：双P沟道MOSFET的卓越性能与应用

在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的MOSFET至关重要。今天我们就来详细探讨一下 onsemi 公司推出的 FDMB2308PZ 双 P 沟道、共漏极 MOSFET，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。

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一、产品概述

FDMB2308PZ 专为锂离子电池组保护电路和其他超便携式应用而设计，采用单封装解决方案。它集成了两个共漏极 P 沟道 MOSFET，能够实现双向电流流动，基于 onsemi 的先进 POWERTRENCH 工艺和先进的 MicroFET 引线框架，有效降低了 PCB 空间占用和源极间导通电阻 rS1S2(on)。

二、产品特性

低导通电阻

• 在 VGS = -4.5 V，ID = -5.7 A 时，最大 rS1S2(on) 为 36 mΩ；在 VGS = -2.5 V，ID = -4.6 A 时，最大 rS1S2(on) 为 50 mΩ。低导通电阻有助于降低功率损耗，提高电路效率。

  低外形封装

  采用新型 MicroFET 2x3 mm 封装，最大高度仅 0.8 mm，非常适合对空间要求苛刻的超便携式应用。

  高 ESD 保护

  HBM ESD 保护等级 > 2.8 kV，能有效防止静电对器件造成损坏，提高产品的可靠性。

  环保特性

  该器件无铅、无卤，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

三、产品参数

最大额定值

符号	参数	额定值	单位
VS1S2	源极 1 到源极 2 电压	-20	V
VGS	栅极到源极电压	±12	V
IS1S2（连续）	源极 1 到源极 2 电流（TA = 25°C）	-7	A
IS1S2（脉冲）	源极 1 到源极 2 电流（TA = 25°C）	-30	A
PD（TA = 25°C，条件 1a）	功率耗散	2.2	W
PD（TA = 25°C，条件 1b）	功率耗散	0.8	W
TJ, TSTG	工作和存储结温范围	-55 到 +150	°C

热特性

热阻 RJA 在不同安装条件下有所不同：

• 安装在 1 in² 2 oz 铜焊盘上时为 57 °C/W。
• 安装在最小 2 oz 铜焊盘上时为 161 °C/W。

电气特性

包括关断特性、导通特性、动态特性、开关特性和漏源特性等。例如，在关断特性中，零栅极电压源极 1 到源极 2 电流 IS1S2 在 VS1S2 = -16 V，VGS = 0 V 时为 -1 A；在导通特性中，栅源阈值电压 VGS(th) 在 VGS = VS1S2，IS1S2 = -250 μA 时为 -0.6 到 -1.5 V。

四、典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，如导通区域特性曲线、归一化导通电阻与源极电流和栅极电压的关系曲线、导通电阻与结温的关系曲线等。这些曲线能帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现，从而进行更优化的电路设计。例如，通过观察导通电阻与结温的关系曲线，我们可以预测在不同温度环境下器件的导通电阻变化情况，进而评估电路的功率损耗。

五、应用领域

FDMB2308PZ 主要应用于锂离子电池组保护电路。在锂离子电池组中，它可以实现双向电流控制，保护电池免受过充、过放和短路等故障的影响。同时，其低外形封装和低导通电阻特性使其非常适合超便携式设备，如智能手机、平板电脑等。

六、总结

FDMB2308PZ 作为一款高性能的双 P 沟道 MOSFET，凭借其低导通电阻、低外形封装、高 ESD 保护和环保特性等优势，在锂离子电池组保护电路和超便携式应用中具有广阔的应用前景。电子工程师在进行相关电路设计时，可以充分考虑该器件的特性，以实现更高效、可靠的电路设计。大家在实际应用中是否遇到过类似 MOSFET 的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。