电子说
在电子工程师的日常工作中,绝缘栅双极晶体管(IGBT)是不可或缺的关键组件。今天,我们将深入探讨一款性能卓越的IGBT——FGY60T120SQDN,它由Semiconductor Components Industries, LLC推出,适用于UPS和太阳能等应用领域。
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FGY60T120SQDN是一款1200V、60A的IGBT,采用了坚固且经济高效的超场截止沟槽结构。这种结构使得该IGBT在要求苛刻的开关应用中表现出色,具备低导通态电压和极小的开关损耗。同时,它还集成了一个软快速的共封装续流二极管,具有低正向电压。
| 在使用FGY60T120SQDN时,需要严格遵守其绝对最大额定值,以避免对器件造成损坏。以下是一些关键的额定值: | 符号 | 描述 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VCES | 集电极 - 发射极电压 | 1200 | V | |
| VGES | 栅极 - 发射极电压 | ±25 | V | |
| IC (TC = 25°C) | 集电极电流 | 120 | A | |
| IC (TC = 100°C) | 集电极电流 | 60 | A | |
| ILM (1) (TC = 25°C) | 脉冲集电极电流 | 240 | A | |
| ICM (2) | 脉冲集电极电流 | 240 | A | |
| IF (TC = 25°C) | 二极管正向电流 | 120 | A | |
| IF (TC = 100°C) | 二极管正向电流 | 60 | A | |
| IFM | 脉冲二极管最大正向电流 | 240 | A | |
| PD (TC = 25°C) | 最大功耗 | 517 | W | |
| PD (TC = 100°C) | 最大功耗 | 259 | W | |
| TJ | 工作结温 | -55 至 +175 | °C | |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C | |
| TL | 焊接时最大引脚温度(距外壳1/8”,5秒) | 300 | °C |
| 在不同的测试条件下,该IGBT的开关特性表现如下: | 符号 | 描述 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| td(on) | 导通延迟时间 | 感性负载,TC = 25°C | 52 | - | - | ns | |
| tr | 上升时间 | - | - | 84 | - | ns | |
| td(off) | 关断延迟时间 | - | - | - | - | ns | |
| tf | 下降时间 | - | - | 56 | - | ns | |
| Eon | 导通开关损耗 | - | 5.15 | - | - | mJ | |
| Eoff | 关断开关损耗 | - | - | - | - | mJ | |
| Ets | 总开关损耗 | - | 6.97 | - | - | mJ |
在TC = 25°C时,二极管的正向电压典型值为3.4V,最大值为4V;反向恢复时间典型值为91ns;反向恢复电荷典型值为860nC;反向恢复电流典型值为19A。
文档中提供了多个典型性能特性图,包括输出特性、饱和电压特性、电容特性、开关损耗特性等。这些特性图可以帮助工程师更好地了解该IGBT在不同条件下的性能表现,从而进行更优化的设计。
FGY60T120SQDN采用TO - 247 - 3LD(无铅)封装,每管30个。其标记图包含了特定的设备代码、组装位置、年份、工作周等信息。
由于其出色的性能和特性,FGY60T120SQDN非常适合用于太阳能逆变器和UPS等应用。在这些应用中,它能够提供高效、可靠的开关性能,满足系统的需求。
作为电子工程师,我们在选择IGBT时,需要综合考虑其性能、特性、应用场景等因素。FGY60T120SQDN以其卓越的性能和可靠性,为我们的设计提供了一个优秀的选择。你在实际应用中是否使用过类似的IGBT呢?它的表现如何?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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