onsemi AFGB30T65SQDN IGBT:汽车应用的理想选择

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描述

onsemi AFGB30T65SQDN IGBT:汽车应用的理想选择

在汽车电子领域,IGBT(绝缘栅双极晶体管)扮演着至关重要的角色。onsemi推出的AFGB30T65SQDN IGBT专为汽车应用而设计,具备诸多出色特性,下面我们就来详细了解一下。

文件下载:AFGB30T65SQDN-D.PDF

产品概述

AFGB30T65SQDN是一款适用于汽车应用的IGBT,采用D2PAK封装,具有650V的集电极 - 发射极电压(VCES)和30A的集电极电流(IC)。其最大结温可达175°C,属于高速开关系列,且搭配了低VF软恢复共封装二极管。该产品通过了AEC - Q101认证,所有部件都经过动态测试,可靠性有保障。

主要特性

高温性能

最大结温 (T_{J}=175^{circ} C),这使得它能够在高温环境下稳定工作,适应汽车复杂的工况,减少因温度过高导致的性能下降和故障风险。大家可以思考一下,在高温环境下,如何进一步优化散热设计以充分发挥其高温性能呢?

高速开关

高速开关系列的特性使得它在开关过程中能够快速响应,减少开关损耗,提高系统效率。对于汽车电子系统来说,高效的开关性能有助于提升整体的能源利用效率。

低VF软恢复二极管

低VF软恢复共封装二极管可以降低正向压降,减少功率损耗,同时软恢复特性能够减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰,提高系统的稳定性。

最大额定值

参数 符号 数值 单位
集电极 - 发射极电压 VCES 650 V
栅极 - 发射极电压 VGES ±20 V
瞬态栅极 - 发射极电压 VGES ±30 V
集电极电流((T_{C}=25^{circ}C)) IC 60 A
集电极电流((T_{C}=100^{circ}C)) IC 30 A
脉冲集电极电流 ICM 120 A
二极管正向电流((T_{C}=25^{circ}C)) IF 40 A
二极管正向电流((T_{C}=100^{circ}C)) IF 20 A
脉冲二极管最大正向电流 IFM 120 A
最大功耗((T_{C}=25^{circ}C)) PD 220 W
最大功耗((T_{C}=100^{circ}C)) PD 110 W
工作结温和存储温度范围 (T{J}, T{STG}) - 55 to +175 °C

从这些额定值可以看出,该IGBT在不同温度条件下的电流和功率承载能力有所不同,在设计电路时需要充分考虑这些因素,以确保其在安全范围内工作。

热阻评级

参数 符号 最大值 单位
IGBT结到壳热阻 (R_{θJC}) 0.68 °C/W
二极管结到壳热阻 (R_{θJC}) 1.55 °C/W
结到环境热阻 (R_{θJA}) 40 °C/W

热阻是衡量器件散热能力的重要指标,这些热阻数据有助于我们设计合适的散热方案,保证器件在工作过程中能够有效散热,避免因过热而损坏。

电气特性

关断特性

  • 击穿电压 (BVCES):在 (V{GE}=0 ~V),(I{C}=1 ~mA) 时为650V。
  • 击穿电压温度系数 (AVCES/ ATJ):在 (V{GE}=0 ~V),(I{C}=1 ~mA) 时为0.6V/°C。
  • 集电极 - 发射极泄漏电流:在 (V{CE}=V{CES}),(V_{GE}=0 ~V) 时最大为250μA。
  • 栅极 - 发射极泄漏电流 (IGES):最大为±400nA。

导通特性

在 (V{GE}=V{CE}),(I_{C}=30 ~mA) 时,饱和电压典型值为1.6V。

开关特性

  • 开通延迟时间 (td(on)):在 (V{CC}=400 ~V),(I{C}=30 ~A),(R{G}=6 Omega),(V{GE}= 15 V) 条件下为16ns。
  • 关断延迟时间 (td(off))、上升时间 (tr)、下降时间 (tf) 等也都有相应的参数。
  • 开通开关损耗 (Eon) 为0.783mJ,关断开关损耗 (Eoff) 为0.369mJ,总开关损耗 (Ets) 为1.379mJ。
  • 总栅极电荷 (Qg) 在 (V{CE}=400 ~V),(I{C}=30 ~A) 时为11nC。

二极管特性

  • 二极管正向电压 (VFM):在 (IF = 20A) 时,范围为1.5 - 2.1V。
  • 反向恢复能量 (Erec) 和反向恢复时间 (tr) 等参数在不同条件下有相应的值。

这些电气特性是我们在设计电路时需要重点关注的,它们直接影响着IGBT的性能和系统的稳定性。大家在实际应用中,如何根据这些特性来优化电路设计呢?

典型应用

AFGB30T65SQDN适用于汽车车载充电器和混合动力汽车的汽车DC/DC转换器等应用。在这些应用中,其高性能和可靠性能够满足汽车电子系统的严格要求。

机械封装

该产品采用D2PAK - 3(TO - 263,3 - 引脚)封装,文档中给出了详细的封装尺寸和推荐的安装脚印。在进行PCB设计时,需要根据这些尺寸来合理布局,确保器件的安装和散热效果。

总之,onsemi的AFGB30T65SQDN IGBT以其出色的性能和特性,为汽车应用提供了一个可靠的解决方案。在实际设计中,我们需要综合考虑其各项参数和特性,结合具体的应用需求,进行合理的电路设计和散热设计,以充分发挥其优势。

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