TPS54550 降压转换器评估模块使用指南

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TPS54550 降压转换器评估模块使用指南

在电子设计领域,降压转换器是一种常见且关键的元件,它能够将较高的输入电压转换为较低的稳定输出电压,满足各种电子设备的供电需求。德州仪器(Texas Instruments)的 TPS54550 降压转换器评估模块(TPS54550EVM - 158)为工程师们提供了一个便捷的平台,用于评估和开发相关应用。本文将围绕该评估模块展开详细介绍,希望能为电子工程师们在实际设计中提供有价值的参考。

文件下载:TPS54550EVM-158.pdf

一、背景知识

1.1 TPS54550 基本特性

TPS54550 是一款 DC/DC 转换器,能够在 4.5V 至 20V 的输入电压源下提供高达 6A 的输出电流。评估模块的额定输入电压范围为 6V 至 17V,输出电流范围为 0A 至 5A。其开关频率内部设定为标称 700kHz,并且在 TPS54550 封装内集成了高端 MOSFET 和栅极驱动电路。MOSFET 较低的漏源导通电阻使得 TPS54550 能够实现高效率,并有助于在高输出电流时保持较低的结温。此外,通过外部分压器可实现输出电压的可调,外部补偿组件则能适应广泛的输出滤波组件。同时,该转换器还提供了使能输入功能,其绝对最大输入电压为 20V。

1.2 评估模块设计目的

该评估模块旨在展示使用 TPS54550 调节器设计时所能实现的小尺寸印刷电路板面积。由于 3.3V 输出电压的要求,评估模块的最大输入电压设定为 17V。

二、性能规格总结

2.1 测试条件说明

除非另有说明,性能规格测试均在输入电压 (V_{IN}=12V)、输出电压为 3.3V、环境温度为 25°C 的条件下进行。TPS54550EVM - 158 设计并测试的输入电压范围为 6V 至 17V,其最大输入电压为 20V。

2.2 具体性能指标

规格 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
(V_{IN}) 电压范围 - 6 12 或 15 17 V
输出电压设定点 - - 3.3 - V
输出电流范围 (V_{IN}=10V) 至 17V 0 - 5 A
线性调整率 (I{O}=0 - 2.5A),(V{IN}=10V - 17V) -0.03% - +0.08% %
负载调整率 (V{IN}=12V),(I{O}=0A) 至 5A -0.01% - +0.07% %
负载瞬态响应(电压变化) (I_{O}=1.25A) 至 3.75A - - -72.5 mV
负载瞬态响应(恢复时间) (I_{O}=1.25A) 至 3.75A - - 450 μs
负载瞬态响应(电压变化) (I_{O}=3.75A) 至 1.25A - - +72.5 mV
负载瞬态响应(恢复时间) (I_{O}=3.75A) 至 1.25A - - 450 μs
环路带宽 (V{IN}=12V),(I{O}=2.5A) - 27 - kHz
相位裕度 (V{IN}=12V),(I{O}=2.5A) - 62 - -
输入纹波电压 (V{IN}=7V),(I{O}=5A) 276 - 300 mVpp
输出纹波电压 (V{IN}=7V),(I{O}=5A) - - 7 mVpp
输出上升时间 - - - 5 ms
工作频率 - - 700 - kHz
最大效率 (V{IN}=6V),(V{O}=3.3V),(I_{O}=1.25A) - 93.5% - %

三、模块修改

3.1 输出电压设定点调整

若要改变评估模块的输出电压,需要改变电阻 R2 的值。通过改变 R2 的值,可以将输出电压调整到高于 0.891V。特定输出电压下 R2 的值可使用公式 (R2 = 10kΩ × frac{0.891V}{V{O}-0.891V}) 计算得出。不过需要注意的是,(V{IN}) 必须处于一定范围内,以确保最小导通时间大于 220ns,最大占空比小于 80%。以下是一些常见输出电压对应的 R2 标准值: 输出电压 (V) R2 值 (kΩ)
1.8 9.76
2.5 5.49
3.3 3.74
5 2.15

3.2 输入电压范围

评估模块设计为在标称 12V 或 15V 下工作,工作输入电压范围为 6V 至 17V。而 TPS54550 规定的输入电压范围为 4.5V 至 20V。上限电压设定为 17V 是由于最小导通时间的限制,以保证 3.3V 的输出。

四、测试设置与结果

4.1 输入/输出连接

TPS54550EVM - 158 配备了输入/输出连接器和测试点。通过一对 20AWG 电线将能够提供 3A 电流的电源连接到 J1,负载则通过另一对 20AWG 电线连接到 J3,最大负载电流能力为 5A。为减少电线损耗,应尽量缩短电线长度。测试点 TP1 用于监测 (V_{IN}) 输入电压,TP2 作为接地参考;TP3 用于监测输出电压,TP4 作为接地参考。

4.2 效率

TPS54550EVM - 158 的效率在负载电流约为 1A 至 3A 时达到峰值,具体取决于输入电压,随后随着负载电流接近满载而降低。在环境温度为 25°C 时,效率会受到 MOSFET 漏源电阻温度变化的影响,在较高环境温度下效率会降低。

4.3 输出电压调节

输出电压的负载调整率和线性调整率分别如图 4 - 2 和图 4 - 3 所示,测量均在环境温度为 25°C 的条件下进行。

4.4 负载瞬态响应

TPS54550EVM - 158 对负载瞬态的响应如图 4 - 4 所示,电流阶跃为最大额定负载的 25% 至 75%,输出的总峰 - 峰电压变化包括纹波和噪声。

4.5 环路特性

TPS54550EVM - 158 的环路响应特性如图 4 - 5 所示,展示了 (V_{IN}) 电压为 12V、负载电流为 2.5A 时的增益和相位图。

4.6 输出电压纹波

TPS54550EVM - 158 的输出电压纹波如图 4 - 6 所示,输入电压 (V_{IN}=12V),输出电流为额定满载 5A,电压直接在输出电容两端测量。

4.7 输入电压纹波

输入电压纹波如图 4 - 7 所示,输入电压 (V_{IN}=12V),每个器件的输出电流为 TPS54550EVM - 158 的满载 5A。

4.8 上电过程

TPS54550EVM - 158 的启动波形如图 4 - 8 所示。(V_{IN}) 从 0V 充电至 12V,当输入电压达到内部设定的欠压锁定(UVLO)阈值电压时,慢启动序列开始。经过一段时间延迟后,内部参考电压以内部设定的慢启动速率线性上升至 0.891V,输出电压则上升至设定的 5V。可以通过在 JP1 处使用跳线将 EN 连接到 GND 来抑制输出,移除跳线后,EN 释放,慢启动电压以内部设定的速率上升,当 EN 电压达到 1.06V 的使能阈值电压时,启动序列如前文所述开始。

五、电路板布局

5.1 布局特点

TPS54550EVM - 158 的电路板布局如图 5 - 1 至图 5 - 3 所示。顶层和底层采用 2oz 铜,顶层包含 (V_{IN})、OUT 和 VPHASE 的主要功率走线,以及 TPS54550 其余引脚的连接和大面积的接地区域;底层包含接地和一些信号走线。顶层、底层和内部接地走线通过多个过孔连接,包括 TPS54550 器件正下方的四个过孔,为 PowerPAD™ 焊盘到接地提供了热路径。输入去耦电容(C1)和自举电容(C3)尽可能靠近 IC 放置,电压设定点电阻分压器组件也靠近 IC,电压分压器网络在调节点与输出电容 C3 相邻处连接到输出电压。

六、原理图与物料清单

6.1 原理图

TPS54550EVM - 158 的原理图如图 6 - 1 所示。

6.2 物料清单

TPS54550EVM - 158 的物料清单详细列出了各个元件的数量、参考标识、值、描述、尺寸、部件编号和制造商等信息,具体如下: 数量 参考标识 描述 尺寸 部件编号 制造商
0 C1 开路 铝电解电容,SM 封装,10 × 12mm - - -
2 C2, C10 100 μF 陶瓷电容,6.3V,X5R,20%,1210 封装 - C3225X5R0J107M TDK
1 C3 0.1 μF 陶瓷电容,25V,X5R,10%,0603 封装 - C1608X5R1E104KB TDK
1 C4 1.0 μF 陶瓷电容,25V,X5R,10%,0603 封装 - C1608X5R1E105KB TDK
1 C5 0.033 μF 陶瓷电容,50V,X5R,10%,0603 封装 - C1608X5R1H333KB TDK
1 C6 0.068 μF 陶瓷电容,50V,X5R,10%,0603 封装 - C1608X5R1H683KT TDK
1 C7 1000pF 陶瓷电容,50V,C0G,5%,0603 封装 - C1608C0G1H102JB TDK
1 C8 0.01 μF 陶瓷电容,50V,X5R,10%,0603 封装 - C1608X5R1H103KB TDK
1 C9 10 μF 陶瓷电容,16V,X5R,20%,1210 封装 - C3225X5R1C106M TDK
2 J1, J2 2 针端子块,6A,3.5mm - 0.27 × 0.25 ED1514 OST
2 J3, J4 2 针插头,100mil 间距,(36 针条) - 0.100 × 2 PTC36SAAN Sullins
1 L1 6.8 μH 贴片电感,5.4A,14 mΩ,0.405 平方英寸 - CDRH105R - 6R8 Sumida
1 Q1 MOSFET,快速开关,N 沟道,20V,21.1A,5.3 mΩ,PWRPAK 1212 封装 - - Si7110DN Vishay
3 R1, R9, R11 10.0k 贴片电阻,1/16W,1%,0603 封装 - Std Std
1 R10 23.7 贴片电阻,1/16W,1%,0603 封装 - Std Std
1 R2 3.74k 贴片电阻,1/16W,1%,0603 封装 - Std Std
1 R3 1.00k 贴片电阻,1/16W,1%,0603 封装 - Std Std
1 R4 69.8k 贴片电阻,1/16W,1%,0603 封装 - Std Std
1 R5 133 贴片电阻,1/16W,1%,0603 封装 - Std Std
0 R6, R7 开路 贴片电阻,1/16W,1%,0603 封装 - - -
1 R8 0 贴片电阻,1/16W,1%,0603 封装 - Std Std
7 TP1, TP3, TP5, TP6 - TP9 红色通孔测试点,颜色编码 - 0.100 × 0.100 5000 Keystone
2 TP2, TP4 黑色通孔测试点,颜色编码 - 0.100 × 0.100 5001 Keystone
1 U1 IC,4.5 至 20V 输入,6A 降压转换器,输出电压可调,PWP16 封装 - - TPS54550PWP TI
1 PCB 3 英寸 × 3 英寸 × 0.062 英寸 - - HPA158 Any

七、总结

通过对 TPS54550 降压转换器评估模块的详细介绍,我们了解了其基本特性、性能规格、模块修改方法、测试设置与结果、电路板布局以及原理图和物料清单等方面的内容。对于电子工程师来说,这些信息有助于在实际设计中更好地使用该评估模块,实现高效、稳定的降压转换应用。在实际应用中,你是否遇到过类似降压转换器的设计挑战呢?又采取了哪些解决方案呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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