Vishay Si9121:ISDN数字电话的高效电源解决方案

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描述

Vishay Si9121:ISDN数字电话的高效电源解决方案

一、产品概述

Vishay的Si9121是一款针对ISDN数字电话应用的高压、非隔离型降压 - 升压转换器。它已于2014年12月31日停止新购,但在相关旧项目中仍有应用价值。该芯片集成了多种功能,为ISDN电源供应提供了单芯片解决方案,简化了从 - 48V到 + 5V或 + 3.3V的转换器设计。

文件下载:SI9121DB-3.pdf

二、产品特点

(一)输出与反馈

  1. 固定输出:提供固定的 + 5V或 + 3.3V输出,能满足不同ISDN设备的供电需求。
  2. 集成反馈放大器:集成了浮动反馈误差放大器,可直接进行输出电压调节,无需外部并联稳压器。

(二)内部元件

  1. MOSFET开关:片上集成了70V、1.5Ω的N沟道MOSFET开关,允许转换器直接从高输入总线电压供电,无需外部启动电路。
  2. 启动电路:集成了高压启动电路和 (V_{CC}) 稳压器,可在 - 10V至 - 60V的输入电压范围内工作。

(三)工作模式与保护

  1. PWM工作:采用95kHz的PWM工作模式,能在全负载条件下高效运行。
  2. 软启动与振荡器:集成了软启动和振荡器电路,减少了外部元件数量。
  3. 保护功能:具备欠压锁定、电流模式控制、打嗝模式短路保护和热关断等功能,提高了系统的可靠性。

(四)封装与温度范围

  1. 封装形式:采用SOIC - 8窄体封装,有标准和无铅两种版本。
  2. 温度范围:工业温度范围为 - 40°C至85°C,能适应多种恶劣环境。

三、电气特性

(一)绝对最大额定值

参数 数值
VNEG - 63V
Vcs VNGG - 0.3V至VCC + 0.3V
Vcc VnEG + 13.2V
I (L_{X}) (峰值电流) 3A
Vour 6V
旁路,CS VnEG - 0.3V至 (V_{OC}) + 0.3V
(VLX - VCS) 内部功率MOSFET 70V
存储温度 - 65°C至150°C
工作结温 150°C

(二)推荐工作范围

参数 范围
VNEG - 10V至 - 60V
VCC (内部调节) VNEG + 8.5V
VCC (外部供电) VNEG + 9.5V至VNEG + 12.0V
数字输入 0V至Vcc

(三)推荐外部组件

推荐的外部组件包括 (L = 68mu H),(C{OUT } = 220mu F // 0.1mu F),(CIN = 33mu F),(C{BYPASS } = 0.1mu F),(C{V C C} = 1mu F),(R{SENSE } = 0.25Omega) 0.5W。

(四)具体参数规格

这里列出了输出电压、线路调节、(V{CC}) 偏置电压、欠压锁定、软启动、振荡器、误差放大器、电流限制、MOSFET开关等参数的详细规格,如 + 5V转换器输出电压在10mA < (I{LOAD}) < 250mA时,范围为4.80V至5.20V;开关频率在室温下为80kHz至110kHz等。

四、工作原理

(一)启动过程

UVLO电路会防止内部电路在 (V{CC}) 低于负电源电压(VNEG引脚)7.6V(典型值)时开启。当 ((V{C C}-V_{N E G})) 超过UVLO阈值时,内部参考、振荡器和软启动电路将被启用。

(二)软启动

片上软启动电路利用误差放大器外部补偿网络来逐渐增加输出NMOS晶体管的电流限制,使输出电压逐渐上升,避免过大的过冲。推荐频率补偿组件下,软启动时间约为10ms。

(三)振荡器

振荡器无需外部组件,标称频率为95kHz。该频率使转换器在全负载条件下以PWM模式运行,且能在不使用大型输出电感和电容的情况下实现最佳效率。

(四)PWM模式与电流限制

Si9121是电流模式转换器,采用逐脉冲峰值电流限制。当CS引脚的峰值电流感应电压大于0.67V时,开关在时钟周期的剩余时间内关闭。

(五)旁路

旁路电压相对于 (V{NEG}) 引脚设置为特定正参考电压,用于为片上振荡器和软启动电路设置准确的电压和偏置电流。建议在旁路和 (V{NEG}) 之间连接0.1μF陶瓷去耦电容。

(六)误差放大器

误差放大器持续监测输出电压,并将其与参考电压进行比较。差值信号被电平转换到低端电路,以控制功率开关的占空比,从而调节输出电压。通过在COMP引脚和 (V_{NEG}) 引脚之间连接外部网络实现频率补偿。

(七)(V_{CC}) 稳压器

(V{CC}) 是内部生成的偏置电源电压,需用0.1μF电容连接到负电源电压 (V{NEG}) 进行外部旁路。(V{CC}) 也可由9.5V至12V的外部电源提供,当 (V{CC}) 高于 (V{NEG}) 9.5V时,内部 (V{CC}) 稳压器将被禁用。

(八)热关断

当结温超过170°C时,热关断功能将关闭器件。当芯片温度冷却至145°C以下时,稳压器重新启用。若因封装功耗过高导致芯片温度过高,稳压器的热电路将使稳压器不断开启和关闭,即热循环。

(九)打嗝模式短路保护

当输出短路时,器件立即进入逐周期电流限制模式。若热关断未激活,通过监测COMP引脚,Si9121自动决定是否启动内部打嗝定时器。当VCOMP超过约3.5V时,定时器启动,COMP引脚的外部网络被内部2A电流吸收器放电,直到VCOMP降至约1.5V。之后电路恢复正常软启动模式,若短路仍存在,将重复上述过程,直到短路消除。

(十)MOSFET开关

集成的低侧N沟道MOSFET开关提供了最佳性能,并减小了转换器的整体尺寸。MOSFET的典型 (r_{DS(on)}) 为1.5Ω,可使转换器输出高达2W的功率。

五、封装信息

Si9121采用SOIC(窄体)8引脚封装,JEDEC零件编号为MS - 012。其详细的尺寸规格以毫米和英寸为单位给出,包括A、A1、B、C、D、E、e、H、h、L、q、S等参数的最小和最大值。

六、总结

Vishay Si9121以其集成度高、功能丰富、性能可靠等特点,为ISDN数字电话的电源设计提供了优秀的解决方案。尽管已进入产品生命周期末期,但在旧项目维护和特定应用场景中仍有其价值。电子工程师在使用时,需根据具体需求合理选择外部组件,并注意各项参数的工作范围和保护功能的应用。大家在实际设计中是否遇到过类似芯片应用的问题呢?欢迎在评论区交流分享。

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