电子说
在电力电子领域,高效、可靠的功率模块一直是工程师们追求的目标。onsemi推出的NXH240B120H3Q1PG系列Si/SiC混合模块,凭借其独特的设计和优异的性能,为太阳能逆变器、ESS等应用提供了理想的解决方案。本文将深入解析该系列模块的特点、参数及典型应用。
NXH240B120H3Q1PG是一款采用Q1封装的功率模块,包含三通道BOOST级。它集成了场截止沟槽IGBT和SiC二极管,能够有效降低传导损耗和开关损耗,帮助设计师实现高效率和卓越的可靠性。
该系列模块主要应用于太阳能逆变器和ESS(储能系统)领域。在太阳能逆变器中,模块的高效率和高可靠性能够提高太阳能转换效率,降低系统成本;在ESS中,模块能够快速响应储能需求,实现能量的高效存储和释放。
| 器件类型 | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| IGBT(T1, T2, T3) | 集电极 - 发射极电压 | (V_{CES}) | 1200 | V |
| 栅极 - 发射极电压 | (V_{GE}) | ±20 | V | |
| 连续集电极电流((T_h = 80^{circ}C),(T_J = 175^{circ}C)) | (I_C) | 68 | A | |
| 脉冲集电极电流((T_J = 175^{circ}C)) | (I_{Cpulse}) | 204 | A | |
| 最大功耗((T_J = 175^{circ}C)) | (P_{tot}) | 158 | W | |
| 最小工作结温 | (T_{JMIN}) | -40 | (^{circ}C) | |
| 最大工作结温 | (T_{JMAX}) | 150 | (^{circ}C) | |
| 保护二极管(D11, D21, D31) | 重复峰值反向电压 | (V_{RRM}) | 1200 | V |
| 连续正向电流((T_h = 80^{circ}C),(T_J = 150^{circ}C)) | (I_F) | 30 | A | |
| 重复峰值正向电流((T_J = 150^{circ}C)) | (I_{FRM}) | 120 | A | |
| 最大功耗((T_J = 150^{circ}C)) | (P_{tot}) | 44 | W | |
| 最小工作结温 | (T_{JMIN}) | -40 | (^{circ}C) | |
| 最大工作结温 | (T_{JMAX}) | 150 | (^{circ}C) | |
| 碳化硅升压二极管(D12, D22, D32) | 重复峰值反向电压 | (V_{RRM}) | 1200 | V |
| 连续正向电流((T_h = 80^{circ}C),(T_J = 175^{circ}C)) | (I_F) | 25 | A | |
| 重复峰值正向电流((T_J = 175^{circ}C)) | (I_{FRM}) | 75 | A | |
| 最大功耗((T_J = 175^{circ}C)) | (P_{tot}) | 73 | W | |
| 最小工作结温 | (T_{JMIN}) | -40 | (^{circ}C) | |
| 最大工作结温 | (T_{JMAX}) | 175 | (^{circ}C) | |
| 旁路二极管(D13, D23, D33) | 重复峰值反向电压 | (V_{RRM}) | 1200 | V |
| 连续正向电流((T_h = 80^{circ}C),(T_J = 150^{circ}C)) | (I_F) | 42 | A | |
| 重复峰值正向电流((T_J = 150^{circ}C)) | (I_{FRM}) | 126 | A | |
| 最大功耗((T_J = 150^{circ}C)) | (P_{tot}) | 50 | W | |
| 最小工作结温 | (T_{JMIN}) | -40 | (^{circ}C) | |
| 最大工作结温 | (T_{JMAX}) | 150 | (^{circ}C) | |
| 热特性 | 存储温度范围 | (T_{stg}) | -40 to 150 | (^{circ}C) |
| 绝缘特性 | 隔离测试电压((t = 1s),(60Hz)) | (V_{is}) | 3000 | (V_{RMS}) |
| 爬电距离 | 12.7 | mm |
模块的推荐工作结温范围为 -40°C 至 150°C。超出推荐工作范围的应力可能会影响器件的可靠性。
在(T_J = 25^{circ}C)的条件下,碳化硅升压二极管(D12, D22, D32)的热阻 - 芯片到散热器为 1.30°C/W,热阻 - 芯片到外壳为 0.85°C/W;旁路二极管(D13, D23, D33)在(I_F = 50A),(T_J = 25^{circ}C)时,正向电压为 1.095 - 1.3V,在(I_F = 50A),(T_J = 150^{circ}C)时,正向电压为 1.004V。热敏电阻在(T = 25^{circ}C)时,标称电阻为 5kΩ,在(T = 100^{circ}C)时,标称电阻为 493.3Ω。
文档中给出了IGBT(T1, T2, T3)和碳化硅肖特基二极管(D12, D22, D32)的一系列典型特性曲线,包括输出特性、转移特性、二极管正向特性、开关损耗与电流和栅极电阻的关系、反向恢复时间与电流和栅极电阻的关系等。这些曲线有助于工程师深入了解模块的性能,优化电路设计。
| 可订购型号 | 标记 | 封装 | 包装 |
|---|---|---|---|
| NXH240B120H3Q1PG, NXH240B120H3Q1PG - R | NXH240B120H3Q1PG, NXH240B120H3Q1PG - R | Q1 BOOST,Case 180AX 压接引脚(无铅) | 21 个/泡罩托盘 |
| NXH240B120H3Q1SG | NXH240B120H3Q1SG | Q1 BOOST,Case 180BQ 焊接引脚(无铅) | 21 个/泡罩托盘 |
文档还提供了模块的机械外壳轮廓和封装尺寸,包括 PIM30(71x37.4)和 PIM41(93x47)两种类型。这些尺寸信息对于模块的安装和布局设计至关重要。
onsemi的NXH240B120H3Q1PG系列Si/SiC混合模块凭借其高性能的半导体器件、优化的设计和丰富的电气特性,为太阳能逆变器和ESS等应用提供了可靠的解决方案。工程师在设计过程中,应根据实际需求合理选择模块,并结合典型特性曲线进行电路优化,以充分发挥模块的性能优势。同时,注意模块的最大额定值和推荐工作范围,确保系统的可靠性和稳定性。大家在实际应用中是否遇到过类似模块的选型和设计问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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