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在电子工程师的日常工作中,智能功率模块(IPM)是实现高效、可靠电力转换的关键组件。今天,我们就来详细探讨一下ON Semiconductor(现onsemi)推出的STK541UC62K-E智能功率模块。
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STK541UC62K-E是一款高度集成的“逆变器IPM”,它将从高压直流(HV - DC)到三相输出的所有高压(HV)控制功能集成在一个单列直插式封装(SIP)模块中。输出级采用IGBT/FRD技术,并具备欠压保护(UVP)和过流保护(OCP)功能,同时带有故障检测输出标志。此外,模块内部还提供了用于高端栅极升压驱动的升压二极管。
由于采用了内部自举电路为高端预驱动电路供电,该模块只需一个控制电源,简化了电路设计。
所有控制输入和状态输出均为低电压电平,可直接与微控制器兼容,方便系统集成。
内置交叉导通预防功能,有效提高了模块的可靠性和安全性。
通过外部可访问的嵌入式热敏电阻,可实现对基板温度的测量,有助于实时监测模块的工作状态。
该模块获得了UL1557认证(文件编号:E339285),这表明它符合相关的安全标准,可在多种应用场景中放心使用。
| 在Tc = 25°C的条件下,该模块的各项绝对最大额定值如下: | Parameter | Symbol | Conditions | Ratings | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| Supply voltage | VCC | P to N, surge < 500 V | 450 | V | |
| Collector - emitter voltage | VCE | P to U, V, W or U, V, W to N | 600 | V | |
| Output current | Io | P, N, U, V, W terminal current | ±10 | A | |
| Output current at Tc = 100°C | Io | P, N, U, V, W terminal current | ±5 | A | |
| Output peak current | Iop | P, N, U, V, W terminal current for a Pulse width of 1 ms. | ±20 | A | |
| Pre - driver voltage | VD1, 2, 3, 4 | VB1 to U, VB2 to V, VB3 to W, VDD to VSS | 20 | V | |
| Input signal voltage | VIN | HIN1, 2, 3, LIN1, 2, 3 | 0.3 to 7 | V | |
| FLTEN terminal voltage | VFLTEN | FLTEN terminal | 0.3 to VDD | V | |
| Maximum power dissipation | Pd | IGBT per channel | 22 | W | |
| Junction temperature | Tj | IGBT, FRD | 150 | C | |
| Storage temperature | Tstg | 40 to +125 | C | ||
| Operating substrate temperature | Tc | IPM case temperature | 40 to +100 | C | |
| Tightening torque | Case mounting screws | 0.9 | Nm | ||
| Isolation voltage | Vis | 50 Hz sine wave AC 1 minute | 2000 | VRMS |
在Tc = 25°C,VD1, VD2, VD3, VD4 = 15 V的条件下,模块的电气特性包括功率输出部分、控制(预驱动)部分等的相关参数。例如,集电极 - 发射极截止电流、集电极 - 发射极饱和电压、预驱动电流等。同时,在不同的测试条件下,还给出了开关特性,如开通时间、关断时间、开关损耗等参数。
| 该模块共有23个引脚,每个引脚都有其特定的功能,具体如下: | Pin | Name | Description |
|---|---|---|---|
| 1 | VB3 | High Side Floating Supply Voltage 3 | |
| 2 | W, VS3 | Output 3 - High Side Floating Supply Offset Voltage | |
| 3 | | Without Pin | |
| 4 | VB2 | High Side Floating Supply voltage 2 | |
| 5 | V, VS2 | Output 2 - High Side Floating Supply Offset Voltage | |
| 6 | | Without Pin | |
| 7 | VB1 | High Side Floating Supply voltage 1 | |
| 8 | U, VS1 | Output 1 - High Side Floating Supply Offset Voltage | |
| 9 | | Without Pin | |
| 10 | P | Positive Bus Input Voltage | |
| 11 | | Without Pin | |
| 12 | N | Negative Bus Input Voltage | |
| 13 | VTH | Temperature Feedback | |
| 14 | VDD | +15 V Main Supply | |
| 15 | HIN1 | Logic Input High Side Gate Driver - Phase U | |
| 16 | HIN2 | Logic Input High Side Gate Driver - Phase V | |
| 17 | HIN3 | Logic Input High Side Gate Driver - Phase W | |
| 18 | LIN1 | Logic Input Low Side Gate Driver - Phase U | |
| 19 | LIN2 | Logic Input Low Side Gate Driver - Phase V | |
| 20 | LIN3 | Logic Input Low Side Gate Driver - Phase W | |
| 21 | FLTEN | Fault output and Enable | |
| 22 | ISO | Current monitor output | |
| 23 | VSS | Negative Main Supply |
模块内部包含自举二极管和电阻,通过添加电容“CB”可产生高端驱动电压,每个相位需要一个独立的自举电容。推荐的CB值范围为1至47 μF,但在生产前需要进行验证。如果选择的电容值超过47 μF(±20%),需要在三相高端电源端子(VB1,2,3)和每个自举电容之间串联一个约20 Ω的电阻。当不使用自举电路时,每个高端预驱动电源需要一个外部独立电源。
为了减少浪涌电压的影响,缓冲电路中端子之间的布线长度应尽可能短。推荐的“CS”值范围为0.1至10 μF。
“ISO”(引脚22)是电流监测端子,使用下拉电阻时,应选择大于5.6 kΩ的电阻。“FLTEN”(引脚21)是漏极开路输出端子(低电平有效),推荐使用大于5.6 kΩ的上拉电阻。
模块内部的热敏电阻用于监测内部基板温度,连接在VSS端子和VTH端子之间。因此,需要在TH端子和外部电源之间连接一个外部上拉电阻。
过流保护功能并非用于保护特殊故障情况,为了安全起见,建议使用外部保险丝。
当输入脉冲宽度小于1.0 μs时,输出可能不会对脉冲做出响应。
STK541UC62K-E智能功率模块以其高度集成的设计、丰富的功能和良好的电气性能,为电子工程师在电力转换应用中提供了一个可靠的选择。在使用过程中,严格按照规格参数和使用注意事项进行设计和应用,能够充分发挥该模块的优势,确保系统的稳定运行。各位工程师在实际应用中,是否遇到过类似模块的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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